○文 袁惠
日前,蘇州工業(yè)園區(qū)科技領(lǐng)軍人才企業(yè)——度亙激光技術(shù)(蘇州)有限公司“光電子產(chǎn)業(yè)研討會(huì)暨通信級高功率單模980nm半導(dǎo)體激光芯片與泵浦模塊產(chǎn)品發(fā)布會(huì)”在園區(qū)舉行。
“MADE IN CHINA,這是我們比較自豪的,真正實(shí)現(xiàn)了從芯片到器件、到模塊的全自主可控的國產(chǎn)化”, 手握著一款國產(chǎn)激光芯片制成的泵浦模塊,度亙激光副董事長、CTO楊國文抑制不住地激動(dòng)。這是他們團(tuán)隊(duì)辛苦奮戰(zhàn)3年的成果。
全光網(wǎng)絡(luò)是大容量光通信的基礎(chǔ),作為實(shí)現(xiàn)全光網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵部件,摻鉺光纖放大器(EDFA)可以進(jìn)行光信號的直接放大,是光通信領(lǐng)域的里程碑式成果,而單模980nm激光芯片和泵浦模塊則是EDFA的核心關(guān)鍵器件與心臟,該成果的規(guī)模量產(chǎn)解決了我國光通信核心激光芯片及器件長期依賴進(jìn)口的問題,對于國家通信及國防安全具有重要意義。
“小芯片,大作用。0.5毫米長,0.4毫米寬,厚度也是0.1毫米,小小的芯片要承受1瓦以上的功率,結(jié)構(gòu)是比較復(fù)雜的。要制造這樣一個(gè)芯片,牽涉到上百項(xiàng)工藝環(huán)節(jié)”,楊國文告訴記者,由于該芯片與器件需要極高的性能和超過25年以上的使用壽命,至今國際上只有3家供應(yīng)商可以生產(chǎn)。為了突破這一工藝技術(shù),有著32年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)的楊國文帶領(lǐng)多個(gè)成員分工協(xié)作,建立了芯片設(shè)計(jì)、高質(zhì)量外延材料、芯片工藝制備、可靠性測試等多個(gè)小組,突破了3大技術(shù)瓶頸,打通了10項(xiàng)重要的工藝環(huán)節(jié)。
作為園區(qū)重點(diǎn)培育的創(chuàng)新型半導(dǎo)體企業(yè),度亙激光自成立以來,始終致力于高端激光芯片的研發(fā)制造,核心產(chǎn)品性能指標(biāo)國際領(lǐng)先。去年十月,度亙總部研發(fā)中心在園區(qū)落成啟用,現(xiàn)在公司又順利迎來創(chuàng)新產(chǎn)品的隆重發(fā)布,充分體現(xiàn)了度亙激光服務(wù)科技自立自強(qiáng)的責(zé)任擔(dān)當(dāng),也將為園區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
在光電子產(chǎn)業(yè)研討上,多位專家院士、企業(yè)高管齊聚一堂,共同探討光通信核心激光芯片及器件的創(chuàng)新未來。
度亙激光成立5年來,一直致力于高端激光芯片的研發(fā)制造,瞄準(zhǔn)通信級高功率單模980nm激光芯片和泵浦模塊,攻克了多項(xiàng)核心技術(shù),如高功率單模輸出和高電光轉(zhuǎn)換效率,超高功率密度導(dǎo)致的災(zāi)變性光學(xué)腔面損傷,極高電流密度和極高功率密度工作條件下的極高可靠性等。突破了芯片和模塊研制過程中IDM體系的諸多關(guān)鍵技術(shù)和工藝,實(shí)現(xiàn)了從芯片設(shè)計(jì)、材料外延、芯片到模塊的全制程完全自主可控,成功開發(fā)了高功率、高效率和高可靠性單模半導(dǎo)體激光芯片與模塊的系列產(chǎn)品,并通過了Telcordia GR-468-CORE通信標(biāo)準(zhǔn)驗(yàn)證。
在工業(yè)高功率芯片和器件方面公司也取得了巨大進(jìn)展,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、智能感知、光通訊、醫(yī)療美容和科學(xué)研究領(lǐng)域,公司榮獲中國潛在獨(dú)角獸、江蘇省企業(yè)技術(shù)中心、蘇州市高端半導(dǎo)體激光芯片工程技術(shù)研究中心、蘇州市獨(dú)角獸培育企業(yè)等數(shù)十項(xiàng)榮譽(yù)。
布局光電子產(chǎn)業(yè),搶占光電子產(chǎn)業(yè)“制高點(diǎn)”,蘇州工業(yè)園區(qū)進(jìn)一步完善產(chǎn)業(yè)體系,為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)提供強(qiáng)大基礎(chǔ)。作為重點(diǎn)打造的光電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群,園區(qū)目前引進(jìn)和孵化相關(guān)企業(yè)近300家,2021年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值421億元。
在核心技術(shù)方面:經(jīng)過多年培育,園區(qū)在GaN襯底外延材料、半導(dǎo)體激光切割設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域已形成先發(fā)優(yōu)勢,多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域填補(bǔ)了國內(nèi)空白,進(jìn)一步完善了我國光電領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)的創(chuàng)新鏈。光電材料方面,MO源、光刻膠等一批關(guān)鍵材料打破國外壟斷,從源頭上解決“卡脖子”難題;光電器件方面,400G光模塊技術(shù)國際領(lǐng)先,市場占有率全球第一;光電設(shè)備方面,全球首發(fā)大型紫外3D直寫光刻設(shè)備等高端設(shè)備,廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代。
在創(chuàng)新載體方面:園區(qū)先后引進(jìn)了中科院蘇州納米所、中科蘇州微電子產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、長三角中科先進(jìn)光電技術(shù)研究所等重大創(chuàng)新載體,圍繞光電材料和器件持續(xù)開展關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān),為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供源頭技術(shù)供給。國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心蘇州平臺(tái)目前圍繞第三代半導(dǎo)體材料在半導(dǎo)體照明、新型顯示領(lǐng)域的“雙碳”目標(biāo)方向,在氮化鎵單晶、Micro-LED顯示等技術(shù)領(lǐng)域取得重要突破。
下一步,園區(qū)將繼續(xù)秉持親商服務(wù)理念,不斷提升政策體系、人才供給、產(chǎn)業(yè)生態(tài),大力推動(dòng)“產(chǎn)、學(xué)、研、資、介、銀”全面融合對接,營造技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新、協(xié)同創(chuàng)新齊頭并進(jìn)的良好局面,助力企業(yè)加速成長。