李雨洹,曹獻龍*,田維瑋,萬 濤,周志勇,仇帥帥,蔣鴻飛,唐康富
(1.重慶科技學(xué)院 冶金與材料工程學(xué)院,重慶 401331; 2.納微復(fù)合材料與器件重慶市重點實驗室,重慶 401331)
鎂及其合金是最輕的有色金屬結(jié)構(gòu)材料,在汽車工業(yè)、電子產(chǎn)品和生物技術(shù)等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景[1]。但由于鎂合金腐蝕電位較負(fù)、電化學(xué)活性高,在水中極易發(fā)生腐蝕,這嚴(yán)重限制了其廣泛應(yīng)用[2]。國內(nèi)外的科學(xué)家針對提升鎂及鎂合金的耐腐蝕性方面進行了眾多的探究工作。目前,提高鎂及鎂合金耐蝕性主要采用表面防護技術(shù),如化學(xué)轉(zhuǎn)化膜、陽極氧化、有機涂層、金屬鍍層、表面熱噴涂、緩蝕劑等[3]。
緩蝕劑是一種行之有效的腐蝕防護方法[4],在鎂合金特定的應(yīng)用體系中加入一定量的緩蝕劑可以有效阻滯其快速腐蝕。李凌杰等[5]研究了十二烷基苯磺酸在3.5 wt.%的NaCl腐蝕介質(zhì)中對AZ31鎂合金的吸附行為及緩蝕作用。此外,三-(2-乙基己基)磷酸鈰也是WE43和AZ31鎂合金的自愈合緩蝕劑,該緩蝕劑的保護作用與結(jié)構(gòu)中的鈰和有機磷的聯(lián)合作用形成的保護性的化合物有關(guān)[6-8]。Yan L等[9]研究了硅酸鈉(SS)、海藻酸鈉(SA)和鎢酸鈉(ST)對AZ91D鎂合金在3.5 wt.%NaCl溶液中腐蝕行為的抑制作用。隨著SA濃度的增加,緩蝕性能先增大后減小。當(dāng)SA濃度為0.03 mol/L時,抑制率最高,達98 %。SA與其他沉積膜形成的吸附膜對提高AZ91D鎂合金的耐蝕性具有協(xié)同作用。江珊等[10]研究了AZ91D鎂合金在乙二醇溶液中加入苯并三氮唑、氟化鈉、十二烷基苯磺酸鈉、鉬酸鈉等幾種緩蝕劑后的緩蝕作用。Lehr I L等[11]通過引入Ce(NO3)3、Na2Mo4和檸檬酸(H3Cit)于浸蝕溶液而提高了AZ91D鎂合金的耐腐蝕性。杜盼盼等[12]研究了AZ91D鎂合金在硫脲、十二烷基硫酸鈉(SDS)、聚天冬氨酸(PASP)及其復(fù)配物在自來水中的緩蝕性能。劉瑤等[13]研究了木質(zhì)素磺酸鈉(SLS)在3.5 wt.% NaCl溶液中對鎂合金AZ91D的腐蝕抑制作用。楊國卉[14]分別將5種有機緩蝕劑分別加入3.5 wt.% NaCl溶液中,并研究每種有機緩蝕劑對AZ31鎂合金的抑制作用。關(guān)景鑫[15]研究了在1 g/L NaCl介質(zhì)中分別添加單一無機緩蝕劑碳酸鈉、氟化鈉、鉬酸鈉后AZ91D鎂合金的腐蝕行為并研究了其緩蝕機理和緩蝕效果。這些緩蝕劑主要涉及桔皮提取物[16]、十二烷基苯磺酸[5]、硅酸鈉、海藻酸鈉和鎢酸鈉[17]、苯并三氮唑、鉬酸鈉、聚天冬氨酸[10]、Ce(NO3)3、三-(2-乙基己基)磷酸鈰、硫脲、木質(zhì)素磺酸鈉、磷酸鹽和鉻酸鹽等。這些緩蝕劑對生態(tài)環(huán)境普遍存在一定的負(fù)面作用,加之國內(nèi)外環(huán)境法規(guī)的日趨嚴(yán)格,開發(fā)綠色環(huán)保的新型高效緩蝕劑成為該領(lǐng)域內(nèi)的熱點研究方向。
近年來,學(xué)者們發(fā)現(xiàn)大多數(shù)過期醫(yī)療藥品具備作為有機緩蝕劑的結(jié)構(gòu)特征[18],它們的分子結(jié)構(gòu)中具有含不飽和鍵且可形成大π鍵的芳香環(huán),以及提供與金屬原子相結(jié)合所需的孤對電子的O、N、S、P等電負(fù)性較大的雜原子[2],并且它們可以通過物理或化學(xué)作用吸附于金屬材料表面,從而達到緩蝕的目的。這些過期醫(yī)療藥品具有來源廣、無毒、環(huán)保等優(yōu)點,有望替代傳統(tǒng)的有毒副作用的緩蝕劑。據(jù)統(tǒng)計,我國目前每年至少可產(chǎn)生近2萬噸過期藥品[19],充分利用這些過期藥品作為金屬腐蝕緩蝕劑,既能減少對環(huán)境的污染,同時也能降低這些過期藥品的處置費用。近年來有多種醫(yī)療藥品被嘗試用于金屬緩蝕劑的研究[20-22],包括:青霉素、頭孢、環(huán)丙沙星、四環(huán)素、鏈霉素、阿替洛爾等。如陳振宇等[19]通過控制丙硫氧嘧啶和茴三硫這兩類過期藥品的質(zhì)量百分比,并使它們與二氧化碳緩蝕劑其他組分達成協(xié)同緩蝕作用,使得該緩蝕劑對二氧化碳的緩蝕效率有較大的提升。史玉璐等[23]通過失重法、電化學(xué)法、形貌分析等方法研究了兩種酰胺醇類抗生素過期藥在20 %醋酸中對A3鋼的緩蝕和機理。結(jié)果表明:兩種藥物的緩蝕效率都是隨著濃度的增加而提高,且氯霉素比甲砜霉素緩蝕效果好。這些醫(yī)療藥品主要應(yīng)用于低碳鋼、不銹鋼的腐蝕抑制,而針對鎂合金的研究則很少。如果能將類似的過期醫(yī)療藥品應(yīng)用于鎂合金,則一方面減少了鎂合金在特定工作環(huán)境下的腐蝕問題[24],另一方面也拓展了過期醫(yī)療藥品的應(yīng)用范圍,解決該類藥品回收問題[25]。
中藥甘桔冰梅片是一種用作疏風(fēng)清熱、利咽開音的常見中藥,價格便宜且對環(huán)境友好。其主要成分為桔梗、薄荷、射干、蟬蛻、烏梅、冰片、甘草、青果;同時含有一定量的添加劑成分,包括微晶纖維素、二氧化硅、羧甲淀粉鈉、硬脂酸鎂、碳酸鈣等。甘桔冰梅片組分中含有酚類化合物,由于羥基取代的高反應(yīng)性和其吞噬自由基的能力,而具有抗氧化活性的潛力,同時組分中還含有長鏈羧基、羰基等官能團,所以該藥品是潛在的有效緩蝕劑。由于甘桔冰梅片成分十分復(fù)雜,故不考慮提取藥物中可能的有效緩蝕成分,以避免增加提取加工處理成本。基于此,本工作分別采用電化學(xué)阻抗法、極化曲線、開路電位等電化學(xué)方法對甘桔冰梅片在室溫下0.10 mol/L NaCl溶液中對AZ91D的緩蝕行為和效果進行了研究,以確定該藥品作為鎂合金緩蝕劑的可能性。
實驗使用的樣品全部為鎂合金AZ91D(8.5 wt.%~9.5 wt.% Al,1 wt.% Zn,0.3 wt.% Mn)。鎂合金試樣除電化學(xué)測試的工作面之外,其余面均采用環(huán)氧樹脂密封。將保留的1.0 cm2的工作面使用碳化硅砂紙從400目逐級打磨至2000目,再經(jīng)過拋光、純水洗、乙醇洗,最后將表面用冷風(fēng)吹干后存儲待用。
實驗所用的緩蝕劑溶液是由化學(xué)純的NaCl和過期的重慶華森制藥有限公司生產(chǎn)的甘桔冰梅片(簡寫為GJBMP)以及純水所配制的。緩蝕劑溶液具體配制過程為:先稱量0.10 mol的NaCl放入已盛裝大約500 mL純水的1 L燒杯中,再將定量的經(jīng)過精細研磨的GJBMP加入上述的燒杯中,并加入純水至1 L的刻度線,最后使用磁力攪拌器攪拌5 min后,轉(zhuǎn)入五口燒瓶中并置于恒溫水浴加熱鍋中,待溫度恒定后開始后續(xù)的測量。
本實驗使用CHI600E辰華電化學(xué)工作站,采用AZ91D工作電極、鉑棒輔助電極和含飽和氯化鉀的Ag/AgCl參比電極構(gòu)成的經(jīng)典三電極系統(tǒng),開展在0.10 mol/L的NaCl溶液及上述含緩蝕劑的NaCl溶液中的電化學(xué)性能測試。
開路電位-時間曲線(Eocp-T)測試的測試持續(xù)時間為600 s,電位點的采集間隔為1 s。電化學(xué)阻抗譜(EIS)測試是在上述開路電位-時間曲線中獲得的穩(wěn)定開路電位基礎(chǔ)上進行測量,測試頻率為10-2~106Hz,測試的交流幅值為10 mV。電化學(xué)阻抗譜擬合可借助電化學(xué)等效電路軟件輔助,以獲得等效擬合電路及相應(yīng)的電化學(xué)擬合參數(shù)表。Tafel極化曲線(Tafel Plot)測試的電位掃描范圍為-0.3~1.0 V(相對于穩(wěn)定開路電位),掃描速率為1 mV/s。
圖1為鎂合金AZ91D在20 ℃下含/不含1.00 g/L GJBMP緩蝕劑的0.10 mol/L NaCl溶液中開路電位隨時間變化曲線。由圖1可知,AZ91D鎂合金在兩種溶液中浸泡10 min的過程中自腐蝕變化曲線大致相同,即AZ91D在浸入腐蝕介質(zhì)初期,其開路電位迅速正向移動,達到一定電位值后電位出現(xiàn)突降向負(fù)向移動,在之后的浸泡過程中,開路電位在一定的范圍內(nèi)波動,最后穩(wěn)定在某個值,含緩蝕劑時鎂合金的電位要稍高于不含緩蝕劑時的電位值。
圖1 在含/不含GJBMP緩蝕劑溶液中樣品的開路電位曲線Fig.1 Open circuit potential curves of samples in the solution with/without GJBMP
一般情況下,開路電位的正移意味著體系保護性或鈍化性增強以及腐蝕傾向的減弱,且有機緩蝕劑一般是通過吸附機理而產(chǎn)生作用。當(dāng)AZ91D浸入0.10 mol/L NaCl空白溶液時,鎂合金迅速與水反應(yīng)生成了Mg(OH)?腐蝕產(chǎn)物膜,該膜進一步覆蓋了自然暴露所生成的氧化膜,促進了對鎂合金的短暫保護,而此時氯離子的作用未凸顯,這導(dǎo)致其電位正移。而隨著氯離子不斷吸附于這層膜的表面,由于其超強的滲透性和腐蝕性[26],逐漸滲透到了鎂合金基體表面,進而導(dǎo)致后期電位負(fù)移,直到氯離子吸附覆蓋到了整個表面后,電位逐漸趨于穩(wěn)定。當(dāng)NaCl溶液中有GJBMP緩蝕劑存在時,緩蝕劑也會吸附在鎂合金表面的氧化膜上共同對鎂合金基體產(chǎn)生保護作用,但在浸入溶液初期,緩蝕劑分子還難以與氯離子競爭,最終使得其電位與不含緩蝕劑的狀況接近[27-28]。但是隨著時間的延長,緩蝕劑逐漸覆蓋基體表面,最終形成相對比較完整的膜層,可以抑制氯離子的作用,這促使此時鎂合金電位趨于穩(wěn)定且比不含緩蝕劑時的電位值要略正。
鎂合金AZ91D在含/不含GJBMP緩蝕劑的0.10 mol/L的NaCl溶液中的極化曲線如圖2所示,測試溫度20 ℃,浸泡時間10 min。該曲線的電化學(xué)擬合參數(shù)如表1所示。
表1 在含/不含GJBMP緩蝕劑溶液中樣品的極化曲線的電化學(xué)擬合參數(shù)Tab.1 Electrochemical parameters of polarization curves of samples in the solution with/without GJBMP
圖2 在含/不含GJBMP緩蝕劑溶液中樣品的極化曲線Fig.2 Polarization curves of samples in the solution with/without GJBMP
由圖2可以看出,當(dāng)添加緩蝕劑時,極化曲線的自腐蝕電位Ecorr值明顯正移,且腐蝕電流密度顯著下降,腐蝕電流密度值相比于空白溶液從1.36×10-5A/cm2減少至1.06×10-6A/cm2,極化曲線的陽極支改變顯著而陰極支則變化不大。這正是符合陽極型緩蝕劑能增加陽極極化,減慢陽極過程,對陰極過程沒有明顯作用,從而使腐蝕電位正移的特征[29]。由此可推測甘桔冰梅片對于AZ91D在0.10 mol/L的NaCl溶液中表現(xiàn)為陽極型緩蝕劑。從圖2中還可得出,AZ91D鎂合金在不含緩蝕劑的0.10 mol/L的NaCl溶液中發(fā)生了活化溶解,鎂合金在被腐蝕的時候具有負(fù)差數(shù)效應(yīng),因此Tafel曲線上并沒有出現(xiàn)典型的活化-鈍化轉(zhuǎn)變區(qū)、鈍化區(qū)及過鈍化區(qū)等特征。這主要是因為鎂合金的表面膜在腐蝕介質(zhì)中沒有保護作用,當(dāng)腐蝕電位甚至低于自腐蝕電位時,鎂合金表面膜就已經(jīng)被破壞。因此在陽極極化時,對陽極電流幾乎沒有阻滯作用,表明了AZ91D鎂合金在含氯離子空白溶液中很容易被腐蝕。當(dāng)甘桔冰梅片加入后,對Tafel曲線的陰極支沒有產(chǎn)生明顯的影響,與空白溶液中的Tafel曲線陰極支幾乎平行,說明甘桔冰梅片的加入并沒有影響鎂合金的陰極析氫控制步驟以及質(zhì)子交換反應(yīng),但體系的腐蝕電流密度減小了近一個數(shù)量級。所以,甘桔冰梅片對于在0.10 mol/L的NaCl溶液中鎂合金AZ91D的腐蝕是一種有效的陽極型緩蝕劑。這種陽極緩蝕作用可能與甘桔冰梅片的分子結(jié)構(gòu)有關(guān)系。其分子結(jié)構(gòu)中具有羥基(—OH)、羧基(—COOH)、羰基(—C=O—)等極性官能團,同時具有大π鍵芳香環(huán),這些結(jié)構(gòu)可提供與鎂金屬原子鍵合所需的孤對電子,形成吸附中心,吸附于鎂金屬表面活性點,形成以O(shè)原子為中心的極性基團和由C、H原子構(gòu)成的非極性基團組成的有效緩蝕特征結(jié)構(gòu),達到緩蝕的目的。當(dāng)然,甘桔冰梅片成分復(fù)雜,所涉成分的不同基團之間可能也存在互相作用,進而影響緩蝕效果,但該作用過程可能更為復(fù)雜。
2.3.1 浸泡時間對AZ91D鎂合金緩蝕性能的影響
由于GJBMP的加入,會干擾ZA91D鎂合金與NaCl溶液(0.10 mol/L)界面處發(fā)生的電化學(xué)過程。利用電化學(xué)阻抗譜測試技術(shù)可以深入研究這種擾動引起的影響,從而進一步探索緩蝕劑的緩蝕機理[30]。電化學(xué)阻抗譜的橫軸表示實部阻抗值,縱軸表示虛部阻抗值。阻抗的實部與虛部分別由Z'和-Z"表示。容抗弧的直徑可以反映緩蝕劑對鎂合金的緩蝕性能,一般來講容抗弧的直徑越大,其阻抗值越高,意味著緩蝕性能越好。
圖3和圖4分別為AZ91D鎂合金在20 ℃含1.00 g/L GJBMP的0.10 mol/L NaCl溶液中不同浸泡時間(60、120、180、240 min)后的Nyquist圖和Bode圖。由圖3和圖4可見,AZ91D鎂合金試樣隨著浸泡時間的延長,AZ91D鎂合金試樣的耐蝕性能也在逐漸增加,在浸泡4 h后試樣的耐蝕性能沒有明顯增強,而是與浸泡3 h后的數(shù)值相當(dāng)。這說明隨著時間的延長,甘桔冰梅片對鎂合金表面不斷地進行覆蓋,表面膜的完整度不斷地增加,阻礙了Cl-侵蝕性介質(zhì)的進入,同時3 h后鎂合金耐蝕性能沒有明顯的改變,說明3 h后穩(wěn)定完整的膜層已在鎂合金試樣表面形成。
圖3 在GJBMP緩蝕劑溶液中浸泡不同時間后樣品的Nyquist圖Fig.3 Nyquist diagrams of samples immersed in GJBMP-containing solution for different time
圖4 在GJBMP緩蝕劑溶液中浸泡不同時間后樣品的Bode圖Fig.4 Bode diagrams of samples immersed in GJBMP-containing solution for different time
2.3.2 GJBMP濃度對AZ91D鎂合金緩蝕性能的影響
圖5和圖6分別為AZ91D鎂合金在20℃含不同濃度(0、0.85、1.00、1.15、1.20 g/L)的GJBMP的0.10 mol/L NaCl中浸泡240 min后的Nyquist圖和Bode圖。在添加了GJBMP緩蝕劑的0.10 mol/L Na-Cl溶液中,AZ91D鎂合金試樣的電化學(xué)阻抗譜中包含一個高頻容抗弧和一個低頻感抗弧(圖5和6)。低頻感抗弧的出現(xiàn)主要是由局部腐蝕較快,大量析氫或腐蝕產(chǎn)物膜脫落等造成[31]。
圖5 在不同濃度GJBMP溶液中浸泡后樣品的Nyquist圖Fig.5 Nyquist diagrams of samples immersed in the solution with different concentrations of GJBMP
圖6 在不同濃度GJBMP溶液中浸泡后樣品的Bode圖Fig.6 Bode diagrams of samples immersed in the solution with different concentrations of GJBMP
在0.10 mol/L NaCl溶液中添加的GJBMP緩蝕劑的濃度達到0.85 g/L時,AZ91D鎂合金試樣的電化學(xué)阻抗譜具有三個時間常數(shù),由一個高頻區(qū)域的容抗弧、一個中頻區(qū)域的容抗弧和一個低頻區(qū)域的感抗弧所構(gòu)成,這說明在此濃度下,鎂合金表面開始形成有機吸附膜層,但膜層不完整且可能出現(xiàn)少量腐蝕。當(dāng)GJBMP的濃度達到1.00 g/L時,感抗弧消失,而只存在兩個容抗弧,說明GJBMP緩蝕劑膜層完整地覆蓋了AZ91D鎂合金表面,體系不再存在明顯的腐蝕現(xiàn)象[23]。當(dāng)緩蝕劑濃度大于1 g/L時,Nyquist圖出現(xiàn)了十分明顯的低頻感抗信息,低頻感抗的出現(xiàn)一般代表著吸附膜層或腐蝕產(chǎn)物膜脫落、基體發(fā)生點蝕等,這可能是因為藥品緩蝕劑濃度達到某極限值時,某一成分的負(fù)面效果凸顯而不可忽視,或者不同成分之間的相互作用發(fā)生了改變而使膜層局部破壞。無論是何種原因,膜層的局部脫落或基體點蝕的發(fā)生都意味著鎂合金表面可能形成了大陰極小陽極的狀態(tài)[32],從而進一步加速了鎂合金的腐蝕,導(dǎo)致引入更高濃度的緩蝕劑時,緩蝕效果反而低于沒有緩蝕劑的情況。
為了對GJBMP的緩蝕效率進行定量分析,采用圖7所示等效電路對圖5進行擬合,其中濃度為0、1.15 g/L和1.20 g/L對應(yīng)圖7(a)等效電路,0.85 g/L對應(yīng)圖7(b)等效電路,1.00 g/L對應(yīng)圖7(c)等效電路。Rs是溶液電阻;CPEfi是常相位角元件,代表膜層電容,n代表彌散因子;Rfi代表膜層電阻;CPEdl代表雙電層電容,Rct代表電荷轉(zhuǎn)移電阻,RL代表電感電阻,L代表感抗,η代表緩蝕效率。電化學(xué)阻抗譜擬合參數(shù)見表2。其中,GJBMP對鎂合金的緩蝕效率根據(jù)電化學(xué)阻抗進行計算,具體計算如(1)所示。
表2 在不同濃度GJBMP溶液中浸泡后樣品的EIS擬合結(jié)果Tab.2 EIS fitting results of samples immersed in the solution with different concentrations of GJBMP
圖7 在不同濃度GJBMP溶液中浸泡后樣品的EIS等效電路圖Fig.7 Equivalent electric circuits of EIS of samples immersed in the solution with different concentrations of GJBMP
式中:RP和R0P分別為空白(不添加緩蝕劑)和含有緩蝕劑的3.5 % NaCl溶液的極化電阻。
從表2中數(shù)據(jù)可以看出,隨著GJBMP含量由0、0.85 g/L、1.00 g/L逐漸增加,其對鎂合金的緩蝕效率η也逐漸增加,其中當(dāng)GJBMP濃度為1.00 g/L時緩蝕率達到最大值84.90 %。對應(yīng)的極化電阻Rp也在逐漸增加,說明鎂原子變成鎂離子的阻力在不斷增大,鎂合金AZ91D的腐蝕過程被抑制。當(dāng)GJBMP的濃度增加到1.15 g/L、1.20 g/L時,極化電阻Rp比空白組極化電阻Rp更小,說明在此濃度下緩蝕劑反而促進了鎂合金在NaCl溶液中的腐蝕。
2.3.3 溫度對GJBMP緩蝕劑性能的影響
圖8和圖9分別是AZ91D鎂合金在不同溫度(20、30、40、50 ℃)的1.00 g/L GJBMP溶液中浸泡120 min的Nyquist圖和Bode圖。
圖8 在不同溫度GJBMP溶液中浸泡后樣品的Nyquist圖Fig.8 Nyquist diagrams of samples immersed in GJBMP-containing solution at different temperatures
圖9 在不同溫度GJBMP溶液中浸泡后樣品的Bode圖Fig.9 Bode diagrams of samples immersed in GJBMP-containing solution at different temperatures
由圖8可以看出,20 ℃時其阻抗譜表現(xiàn)為高頻區(qū)的容抗弧和低頻區(qū)的容抗弧,30 ℃、40 ℃、50 ℃都表現(xiàn)出感抗部分。容抗弧半徑大小表示了腐蝕阻力的大小,圖8中20℃時的高頻容抗弧半徑大,說明此溫度下GJBMP的緩蝕效果較好。這是由于AZ91D鎂合金表面與GJBMP之間形成的吸附層和AZ91D表面的氧化層共同起到了良好的緩蝕效果。低頻部分感抗弧與電極表面吸附物質(zhì)的弛豫過程有關(guān)[33-34],低頻部分表示了緩蝕劑的脫附作用。隨著溫度的升高,高頻容抗弧半徑越來越小,其腐蝕速度越來越快[35]。說明隨著溫度的升高,AZ91D表面吸附的緩蝕膜層越來越薄,其緩蝕效果逐漸降低。
圖9(a)為Bode阻抗模值圖,可以看出隨著溫度的升高,最低頻率阻抗模值逐漸減小,意味著體系的耐蝕性有所降低,緩蝕劑的緩蝕作用減弱;圖9(b)為相位角圖,由圖可知隨溫度的升高,相位角峰向高頻方向移動,表明隨溫度的升高,溶液體系對鎂合金的緩蝕作用逐漸減弱[36]。
通過等效電路圖7(b)對體系進行擬合,以進一步研究溫度影響下的電化學(xué)阻抗譜。AZ91D在不同溫度時含1.00 g/L GJBMP的NaCl溶液中EIS的擬合結(jié)果如表3所示。從擬合后的數(shù)據(jù)中可看出,溫度的變化會使緩蝕劑的作用發(fā)生改變,隨溫度的升高,交流阻抗值逐漸減小,電荷轉(zhuǎn)移電阻減小,緩蝕效果變差,這可能是因為隨著溫度的增加導(dǎo)致鎂合金表面緩蝕劑吸附能力下降,吸附膜層開始逐漸脫落,氯離子更易穿過緩蝕膜層使得基體發(fā)生腐蝕,使得緩蝕效果降低。同時,也可能是由于溫度升高,氯離子具有更高的能量穿透鎂合金表面所形成的完整的吸附膜[33,36]。最終可以得出,AZ91D在1.00 g/L GJBMP溶液中隨溫度的升高,腐蝕逐漸增強,即GJBMP的緩蝕效果逐漸降低。
表3 在不同溫度GJBMP溶液中浸泡后樣品的EIS擬合結(jié)果Tab.3 EIS Fitting results of samples immersed in GJBMP-containing solution at different temperatures
(1)甘桔冰梅片對于AZ91D具有緩蝕作用,且表現(xiàn)為陽極型緩蝕劑。甘桔冰梅片的分子結(jié)構(gòu)中具有羥基、羧基、羰基等官能團以及大π鍵芳香環(huán),可提供與鎂金屬原子鍵合所需的孤對電子,形成吸附中心,吸附于鎂金屬表面活性點,形成以O(shè)原子為中心的極性基團和由C、H原子構(gòu)成的非極性基團組成的有效緩蝕特征結(jié)構(gòu),進而達到緩蝕的目的。
(2)甘桔冰梅片濃度的改變對AZ91D鎂合金的緩蝕效果影響較大。隨著甘桔冰梅片濃度增加,AZ91D鎂合金的交流阻抗值先增加后降低。在緩蝕劑濃度為1.00 g/L、溫度為20 ℃時,緩蝕率最高可達84.90 %。
(3)溫度對甘桔冰梅片緩蝕作用有顯著影響。當(dāng)溫度從20 ℃升高到50 ℃的過程中,甘桔冰梅片對AZ91D鎂合金的緩蝕作用逐漸減弱。