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      基于ENMC 的主動中子多重性質(zhì)詢影響因素蒙特卡羅模擬研究

      2023-11-08 05:18:18侯英偉胡力元趙云龍孫詩奇王利斌劉輝蘭周春芝宋玉收
      核科學(xué)與工程 2023年4期
      關(guān)鍵詞:多重性中子源計數(shù)率

      吳 坤,侯英偉,胡力元,趙云龍,李 垚,孫詩奇,王利斌,劉輝蘭,周春芝,宋玉收,*

      (1.哈爾濱工程大學(xué)核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,黑龍江 哈爾濱 150001;2.國民核生化災(zāi)害防護國家重點實驗室,北京 102205)

      核保障以核材料衡算與控制為基礎(chǔ),多年來發(fā)展的核查方法分有損分析技術(shù)與無損分析技術(shù)兩種,有損檢測需要對核材料或核彈頭進行拆解,甚至使用化學(xué)手段處理,尤其在軍控核查方面存在較多弊端。無損檢測手段無需對核材料進行拆解,且可在現(xiàn)場快速測量,價格也相對低廉[1]。

      基于中子的無損檢測技術(shù)分為總中子計數(shù)、中子符合計數(shù)、中子多重性計數(shù),其中總中子計數(shù)方法最為簡單,是對核材料總體中子發(fā)射率的測量。中子符合計數(shù)和中子多重性計數(shù)可以區(qū)分出裂變的中子,研究中子的時間關(guān)聯(lián)信息。其方法如圖1(a)所示,獲取中子時間序列,通過設(shè)置預(yù)延遲、符合門寬、長延遲等參數(shù),根據(jù)前后兩個符合門中的中子分布獲取多重性符合計數(shù)率來求解核材料質(zhì)量[2]。通常,前符合門稱為R+A 門,后符合門稱為A 門,其大小相等約為中子衰減時間的1~2 倍;長延遲用來保證后符合門中盡量不存在與觸發(fā)中子相關(guān)聯(lián)的裂變中子。根據(jù)是否有外源對核材料進行誘發(fā)裂變,多重性計數(shù)方法分為主動多重性計數(shù)方法和被動多重性計數(shù)方法,符合計數(shù)方法也分為主動符合計數(shù)方法和被動符合計數(shù)方法。中子符合計數(shù)方法相比中子多重性計數(shù)方法簡單,但需要標準樣品進行刻度,限制了其使用范圍[3]。

      圖1 中子符合及多重性計數(shù)方法示意圖及ENMC 探測器結(jié)構(gòu)Fig.1 The schematic of neutron coincidence and multiplicity method and the ENMC detector structure

      被動中子多重性計數(shù)適用于含Pu 核材料質(zhì)量測量,但對于U 核材料自發(fā)裂變率低[4],需要使用外部中子源進行誘發(fā)裂變。國外已發(fā)展了多種類型的中子多重性計數(shù)設(shè)備;國內(nèi)對于中子多重性計數(shù)的研究起步較晚,中國原子能科學(xué)研究院[5,6]、中國工程物理研究院[7,8]、火箭軍工程大學(xué)[9,10]、西北工業(yè)大學(xué)[11]等單位在實驗裝置、計數(shù)原理等方面進行了相關(guān)研究,核工業(yè)大學(xué)將人工智能算法用于多重性計數(shù)設(shè)備的結(jié)構(gòu)優(yōu)化[12]。目前雖沒有形成成熟的商業(yè)產(chǎn)品,但在電子學(xué)設(shè)計[13]、配套數(shù)據(jù)獲取軟件[14]方面也進行了探索。本文基于超熱中子多重計數(shù)器(ENMC)結(jié)構(gòu)[15][見圖1(b)],使用蒙特卡羅方法研究主動中子多重性計數(shù)方法中質(zhì)量重構(gòu)結(jié)果的影響因素,包含符合門寬的設(shè)置、質(zhì)詢中子源強度、探測效率與衰減時間,是多重性設(shè)備設(shè)計開發(fā)的理論和數(shù)據(jù)支撐。

      1 主動中子多重性計數(shù)模擬方法

      主動中子多重性與被動中子多重性都依賴中子多重性模型假設(shè)[16],差異在于由于外加中子源的影響,中子單重符合計數(shù)率會含有誘發(fā)中子源發(fā)射的中子,已經(jīng)不能用于核材料質(zhì)量重構(gòu),但可以通過測量的雙重符合計數(shù)率、三重符合計數(shù)率以及刻度核材料與質(zhì)詢中子源的耦合系數(shù)與核材料增殖系數(shù)之間的關(guān)系,來求解核材料質(zhì)量。由式(1)、式(2)[17]可知:

      相繼求解出增殖系數(shù)M、誘發(fā)裂變率F。

      其中:D、T——雙重和三重中子符合計數(shù)率;

      εf——裂變中子的探測效率,可通過對252Cf 裂變中子源進行標定獲取。

      vs——質(zhì)詢源誘發(fā)裂變中子階乘矩;

      vi——誘發(fā)裂變中子再誘發(fā)裂變中子的階乘矩;

      fd、ft——二重和三重符合門因子。

      模擬研究中,為減小裂變階乘矩參數(shù)引入的誤差,通過統(tǒng)計粒子間關(guān)系獲取準確數(shù)值。

      通過式(3)和式(4)計算[16]。

      式中:P——預(yù)延遲;

      G——符合門寬;

      τ——中子在多重性探測器中的衰減時間。

      由于關(guān)聯(lián)中子計數(shù)率符合Rossi-α分布[16],可通過擬合不同門寬與中子雙重符合計數(shù)率的關(guān)系獲得較準確的數(shù)值。之后通過公式:

      計算核材料質(zhì)量。

      其中:Y——質(zhì)詢中子源強度;

      C——源與核材料耦合系數(shù),可通過對(6)式標定獲得[18],本文稱其為C-M 方程。

      其中:a、b、c——三個參數(shù);

      C——一個質(zhì)詢源中子在鈾部件單位質(zhì)量的235U 中產(chǎn)生的平均誘發(fā)裂變數(shù)。

      除上述標定方法,亦可根據(jù)C的物理意義,通過蒙特卡羅方法統(tǒng)計出C值,此方法用來研究純實驗方法中C-M 方程標定偏差的影響。

      2 結(jié)果與討論

      通過研究中子多重性方法及質(zhì)詢過程,歸納出如圖2 所示的質(zhì)詢結(jié)果影響因素傳導(dǎo)過程。其中探測器與核材料在實際應(yīng)用過程中不可變,裂變中子分布階乘矩主要來源于235U 核材料,可認為是定值。探測效率與衰減時間是與探測器性能相關(guān)的重要指標參數(shù),在質(zhì)詢之前通過252Cf 中子源的標定獲得,由于252Cf 中子能譜與實際測量環(huán)境存在偏差,影響質(zhì)詢結(jié)果。質(zhì)詢中子源強度與探測器門寬設(shè)置為影響質(zhì)詢結(jié)果的重要設(shè)置參數(shù);在研究其影響過程中采用了根據(jù)物理含義統(tǒng)計出的耦合系數(shù)C,避免C-M 方程偏差導(dǎo)致耦合系數(shù)求解不準的影響。由于模擬過程中可以準確獲取中子的探測時間,可忽略探測器死時間影響。

      圖2 主動中子多重性結(jié)果影響因素傳導(dǎo)過程Fig.2 The conduction process of factors affecting the results of active neutron multiplicity

      2.1 多重性方法參數(shù)模擬(探測效率、衰減時間、裂變中子分布階乘矩)

      利用Geant4 進行ENMC 建模及計算[19],物理過程采用QGSP_BERT_HP 高精度中子模型,將具有252Cf 中子能譜及多重性的中子源作為蒙特卡羅模擬的源項放置于ENMC 探測腔中間,統(tǒng)計得到中子探測效率為58.7%;Rossi-α公式擬合衰減時間為 21 μs。與已有研究中65%、21.8 μs 存在的偏差屬于合理范圍,該偏差可能來源于源項的位置、源項體積、反應(yīng)截面、周圍環(huán)境影響等。

      模擬采用NBL0075(鈾富集度為93.2%)作為質(zhì)詢核材料。Am-Li 中子源作為(α,n)源,自身不具有裂變源的多重性特征,不會影響多重性計數(shù)結(jié)果,往往被用作235U 核材料的質(zhì)詢源。研究探測效率和衰減時間偏差影響時在Am-Li 中子源強度為51 560/s(立體角4π)條件下測試,中子源發(fā)射半張角設(shè)為16.6°保證核材料能夠全部被質(zhì)詢中子覆蓋,發(fā)射強度為1 075/s,該部分差異將會融合到耦合因子C中。統(tǒng)計NBL0075 核材料中的裂變中子,可獲得裂變中子分布階乘矩,如表1 所示。

      表1 探測器參數(shù)及NBL0075 核材料誘發(fā)裂變中子階乘矩Table 1 Detector parameters and the induced fission neutron factorial moment of NBL0075

      2.2 質(zhì)詢影響因素

      2.2.1 探測效率與衰減時間

      在研究中子多重性質(zhì)詢結(jié)果的影響中,首先需要模擬多重性計數(shù)的測量時間,以滿足質(zhì)詢結(jié)果的穩(wěn)定。在質(zhì)詢中子源不變的情況下,通過模擬不同測量時間下質(zhì)詢結(jié)果與真實核材料NBL0075 的質(zhì)量偏差變化來確定測量時間。如圖3(a)模擬了500~4 500 s 的質(zhì)詢偏差,測量時間大于2 500 s 后,偏差趨于穩(wěn)定;為保證計算準確度,后續(xù)研究采用3 000 s 測量時間。

      圖3 測量時間及刻度數(shù)據(jù)對質(zhì)詢結(jié)果的影響Fig.3 The influence of the measurement time and the calibration data on mass inquiry results

      中子多重性測量及質(zhì)量重構(gòu)過程中,需要標定多重性計數(shù)探測器的探測效率和衰減時間。即便252Cf 為裂變中子源,但與某個特定待測量核材料的誘發(fā)裂變中子譜依舊具有偏差;另外標定時中子源與核材料的結(jié)構(gòu)及擺放不同,都將導(dǎo)致兩個參數(shù)的擬合偏差。耦合系數(shù)C是根據(jù)求解的增殖系數(shù)M通過標定C-M 方程獲得,M可通過方程將誤差傳遞至C,且C-M方程的標定來源于已知質(zhì)量的核材料以及計算出的誘發(fā)裂變率F,它們都會引入誤差。圖3(b)展示了中子增殖系數(shù)與耦合系數(shù)的關(guān)系;明顯,通過耦合系數(shù)含義統(tǒng)計獲得的方程(實線)與C-M 公式更契合。圖3(c)、圖3(d)為采用標定C-M 曲線研究不同門寬下質(zhì)量重構(gòu)偏差與探測效率和衰減時間的關(guān)系;圖3(e)、圖3(f)為采用統(tǒng)計方法直接獲取耦合系數(shù)C 后,研究不同符合門寬下質(zhì)量重構(gòu)偏差與探測效率和衰減時間的關(guān)系。無論是在相同探測效率偏差還是衰減時間偏差,由標定C-M 曲線獲得的重構(gòu)核材料質(zhì)量都有更大的偏差;圖3(e)曲線之間的寬度可以體現(xiàn)探測效率相差1%,相對偏差相差約9%。表明在真實測量過程中探測效率與衰減時間都需要準確的標定值。圖3(c)、圖3(d)中偏差數(shù)值隨門寬值先下降后上升,是由于隨門寬變化的參數(shù)影響了M的計算結(jié)果導(dǎo)致。有趣的現(xiàn)象是當(dāng)門寬足夠大的時候,兩種耦合因子獲取方法的質(zhì)詢結(jié)果都不受衰減時間偏差的影響[見圖3(d)、圖3(f)];原因在于衰減時間主要通過影響符合門因子fd影響M、F的計算結(jié)果,當(dāng)門寬足夠大后符合門因子逐漸逼近1。

      2.2.2 質(zhì)詢源強度與符合門寬

      主動中子多重性中,由測試人員可以調(diào)節(jié)的重要特征為門寬與質(zhì)詢中子源的強度。圖4(a)展示了中子雙重與三重符合計數(shù)率隨著源強的變化,二者都與源強成線性正相關(guān)關(guān)系,且雙重符合計數(shù)率斜率更大,二者比值為2.58。如圖4(b),源越弱,質(zhì)詢相對偏差隨門寬變化曲線越平滑,這是由于源強太強導(dǎo)致被測到的中子強度強,會有更多的偶然符合中子(不同裂變事件中子、中子源中子)在R+A 門內(nèi)被探測,影響準確性。圖4(c)展示了門寬設(shè)置為32 μs 和70 μs 時,R+A 門內(nèi)的時間相關(guān)中子占比隨源強增加逐漸降低的變化曲線;圖4(d)展示了質(zhì)詢結(jié)果的相對偏差隨R+A 門內(nèi)裂變相關(guān)中子比例的變化曲線,在本模擬中R+A 門內(nèi)相關(guān)中子占比大于3%時,質(zhì)詢相對偏差較為穩(wěn)定。根據(jù)中子多重性假設(shè),超裂變事件為納秒量級,遠遠小于中子衰減時間。中子衰減時間符合單指數(shù)衰減規(guī)律,門寬越小可以減小本底中子進入R+A 門的比例,但是小門寬導(dǎo)致部分時間相關(guān)中子不在R+A 門內(nèi)探測,高符合計數(shù)率降低,所以需要選用合適門寬。

      圖4 質(zhì)詢中子源強度及符合門寬對質(zhì)詢結(jié)果的影響Fig.4 Influence of the neutron source intensity and the coincidence gate width on mass inquiry results

      用不同強度的252Cf 源作為中子源,放在樣品腔的中心位置。每隔10 s 計算不同門寬下的S、D、T,計算間隔數(shù)為200 次,最后計算200次的雙重符合計數(shù)率的相對標準差(D-RSD)和三重符合計數(shù)率的相對標準差(T-RSD)。由于單重計數(shù)率與源強成正比關(guān)系,研究了單重計數(shù)率為430/s、4 300/s、21 500/s、43 000/s 的D-RSD 和T-RSD 隨門寬的變化,結(jié)果如圖5 所示。源強越小,中子稀疏導(dǎo)致RSD 越大,且RSD 隨門寬的變化越平緩;圖5(e)為使用上述四個源強的數(shù)據(jù)做出最佳門寬與單計數(shù)率S的關(guān)系,隨著源強的增加,最佳門寬逐漸減小,且減小的速率逐漸變緩,該結(jié)論與Henzlova 等人的研究結(jié)果一致[20]。圖4(c)中不同源強下R+A 門內(nèi)真符合中子的占比變化,解釋了這一現(xiàn)象的主要原因。

      圖5 使用252Cf 裂變中子源模擬裂變中子強度對符合門寬的影響Fig.5 252Cf fission neutron source is used to simulate the effect of the fission neutron intensity on the coincidence gate width

      圖6(a)、圖6(b)為使用核材料放入探測腔,計算D-RSD 和T-RSD 在不同源強下隨門寬的變化。D 和T 的統(tǒng)計為等時間間隔,間隔為10 s;統(tǒng)計量為每個門寬500 個,總時間為5 000 s。在發(fā)射角源強500~2 000/s 的范圍內(nèi),通過D-RSD 及T-RSD 分析,最佳門寬位置都在41~47 μs。沒有出現(xiàn)源強與最佳門寬的明顯變化關(guān)系是由于相較于使用252Cf 源驗證,使用Am-Li 源誘發(fā)核材料裂變的裂變中子強度相對較低。此時無論是D-RSD 還是T-RSD 隨門寬的變化也比較平緩,與圖5 中結(jié)論一致,在Pu 核材料的被動中子多重性分析中也有相似規(guī)律[21]。

      圖6 核材料存在時質(zhì)詢中子源強度對符合門寬的影響Fig.6 Influence of the neutron source intensity on the coincidence gate width in the presence of nuclear material

      3 結(jié)論

      通過分析主動中子多重性方法測量過程,確定了在測量過程中影響測量準確性的主要影響因素為:探測效率、衰減時間的標定值與真實核材料誘發(fā)裂變中子的偏差以及質(zhì)詢中子源強度、符合門寬的設(shè)置?;贓NMC 探測器結(jié)構(gòu),通過蒙特卡羅方法研究了上述兩類因素的影響規(guī)律及原因。探測效率及衰減時間的偏差,會通過標定C-M 曲線影響質(zhì)詢結(jié)果的計算;針對ENMC 探測效率在使用標定C-M 時,其相差1%,質(zhì)詢結(jié)果相對偏差約為9%。質(zhì)詢中子源強度會影響R+A 門內(nèi)裂變時間相關(guān)中子比例,設(shè)置合適門寬,R+A 門內(nèi)相關(guān)中子占比大于3%,質(zhì)詢相對偏差較為穩(wěn)定。使用雙重符合計數(shù)率和三重符合計數(shù)率的相對標準差作為衡量依據(jù),也可以幫助設(shè)計和使用者確定準確的門寬選擇。整個模擬針對ENMC,但研究方法對新型中子多重性設(shè)備的設(shè)計和開發(fā)具有指導(dǎo)價值。

      致謝

      感謝中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(3072020 CFT1505)的資助。

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