摘要 基于微通道板(Microchannel plate, MCP)的面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器具有靈敏度高和暗計(jì)數(shù)率低等特點(diǎn),已被應(yīng)用于空間微弱紫外光譜信號的光學(xué)遙感探測領(lǐng)域。本研究采用面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器作為檢測器、平場凹面光柵作為分光器、無極放電燈(Electrodeless discharge lamp, EDL)作為激發(fā)光源,搭建了一種適用于氫化物發(fā)生-原子熒光光譜法(Hydride generation-atomic fluorescence spectrometry, HG-AFS)的色散檢測系統(tǒng)。對此系統(tǒng)進(jìn)行了波長標(biāo)定,并對面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器負(fù)高壓和EDL 穩(wěn)定時(shí)間等參數(shù)進(jìn)行了分析和優(yōu)化。針對As 元素和Bi 元素在180~320 nm 波長范圍內(nèi)的激發(fā)熒光特征譜線進(jìn)行了分析,對257.3~306.7 nm 范圍內(nèi)的散射干擾進(jìn)行了討論。結(jié)果表明,基于面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器的AFS 色散檢測系統(tǒng)初步實(shí)現(xiàn)了對HG-AFS 熒光信號的檢測和分析,有效避免了散射干擾對檢測結(jié)果的影響。本系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)簡單、無需制冷控溫、不含移動(dòng)部件和可實(shí)現(xiàn)多波段同時(shí)測定等特點(diǎn)。
關(guān)鍵詞 原子熒光光譜法;面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器;色散檢測;紫外高靈敏度成像探測技術(shù)
氫化物發(fā)生-原子熒光光譜法(Hydride generation-atomic fluorescence spectroscopy, HG-AFS)近年來已成為我國食品[1-3]、農(nóng)產(chǎn)品[4-5]和環(huán)境科學(xué)[6-7]等領(lǐng)域重金屬污染防治監(jiān)測的重要手段。但是,歐美國家現(xiàn)有的相關(guān)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)對HG-AFS 的限制較多,如美國環(huán)保署標(biāo)準(zhǔn)(EPA Method 1631, Revision E)只承認(rèn)冷原子熒光光譜法對Hg 元素的測定結(jié)果,在檢測過程中需要進(jìn)行兩級金汞齊富集,以保證水汽雜質(zhì)完全去除。這是由于原子化器中可能存在殘留水汽與過渡金屬反應(yīng)混合物形成的氣溶膠顆粒,在檢測過程中會同時(shí)產(chǎn)生散射干擾,嚴(yán)重影響檢測結(jié)果。2012 年, Jiang 等[8]提出了一種緊湊的串聯(lián)原子化器,并通過可見光對火焰圖像和光譜信號峰值點(diǎn)的對應(yīng)關(guān)系進(jìn)行了分析和討論。2020 年, Obrusnik 等[9]對AFS的Ar-H2 擴(kuò)散火焰進(jìn)行了建模和分析,進(jìn)一步驗(yàn)證了AFS 的熒光激發(fā)與H 自由基的相關(guān)性?;鹧娴男螒B(tài)同時(shí)決定了H 自由基和O–H 鍵的分布,其中, O–H 鍵產(chǎn)生的281~306 nm 的窄波帶光譜可能成為水汽散射干擾的主要成因,該波段與AFS 熒光激發(fā)波長范圍重疊,也會對檢測結(jié)果產(chǎn)生影響?,F(xiàn)有的AFS 儀器主要采用非色散檢測法,無法有效驗(yàn)證或排除此類問題,限制了HG-AFS 的進(jìn)一步應(yīng)用。為了解決以上問題,發(fā)展一種適用于AFS 的色散檢測技術(shù)尤為重要。
HG-AFS 檢測元素的激發(fā)熒光特征譜線主要分布在180~320 nm 范圍內(nèi),常用于痕量和超痕量檢測,因此對色散檢測方法的靈敏度和響應(yīng)速度等的要求較高。相比于HG-AFS,非色散檢測系統(tǒng)采用光電倍增管(Photomultiplier tube, PMT)直接對光子信號進(jìn)行采集,常用的色散檢測方法如轉(zhuǎn)動(dòng)光柵單道掃描型檢測系統(tǒng)結(jié)構(gòu)較復(fù)雜,并含有機(jī)械傳動(dòng)部件,檢測速度慢[10];濾光片波長選擇型檢測系統(tǒng)不適用于多通道多元素的特征譜線同時(shí)測定[11]。田地研究組[12-14]提出了一種由數(shù)字微鏡器件(Digital micromirrordevice, DMD) 作為空間光調(diào)制器、光柵作為分光器、PMT 作為檢測器的紫外DMD 光譜儀。由于PMT不具備光譜選擇能力,需要通過控制DMD 的微鏡陣列翻轉(zhuǎn)實(shí)現(xiàn)波長的選擇,而現(xiàn)有商品化DMD 需要采用更換窗口等紫外增強(qiáng)方法才能實(shí)現(xiàn)對270 nm 以下的光譜進(jìn)行空間光調(diào)制。因此,應(yīng)選擇一種適用于AFS 的紫外成像探測器。
傳統(tǒng)的電荷藕合器件(Charge-coupled device, CCD)和互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary metaloxide semiconductor, CMOS)等紫外成像探測器內(nèi)部暗電流噪聲較大,對微弱紫外光譜信號的檢測靈敏度不高[15-16]。增強(qiáng)型CCD(Intensified CCD, ICCD)雖然可以實(shí)現(xiàn)微弱輻射光譜的高性能檢測[17],但必須采用深度制冷等措施降低電路暗噪聲,并且較高的研制成本和器件的復(fù)雜性限制了其在AFS 檢測領(lǐng)域的應(yīng)用。目前,在空間微弱紫外光譜信號光學(xué)遙感探測中廣泛應(yīng)用的基于微通道板(Microchannel plate,MCP)的面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器具有靈敏度高、暗計(jì)數(shù)率低等特點(diǎn)。陳波研究組[18-19]研制的楔條形陽極(Wedge and strip anode, WSA)面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器已成功應(yīng)用于嫦娥三號極紫外相機(jī)和風(fēng)云三號04 星廣角極光成像儀等宇宙微弱極紫外光譜的空間光學(xué)遙感成像領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)了對30.4 nm 波段的地球等離子體和140~180 nm 波段范圍的極光光譜在軌長期有效監(jiān)測。
本研究采用自主研制的適用于180~320 nm 范圍的面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器作為檢測器、平場凹面光柵作為分光器,研制了一套適用于AFS 檢測的高靈敏度紫外光譜分光檢測系統(tǒng)。通過對面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器負(fù)電壓和無極放電燈(Electrodeless discharge lamp, EDL)穩(wěn)定時(shí)間等控制參數(shù)的優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了As 元素和Bi 元素的激發(fā)熒光特征譜線的檢測分析,并對檢測過程中的散射干擾進(jìn)行了討論,驗(yàn)證了基于面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器的色散檢測系統(tǒng)對180~320 nm 范圍內(nèi)微弱AFS 熒光光譜信號的檢測和分析能力。
1 實(shí)驗(yàn)部分
1.1 儀器整體結(jié)構(gòu)
基于面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器的HG-AFS 實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)組成結(jié)構(gòu)及實(shí)物見圖1。進(jìn)樣系統(tǒng)及原子化器采用AFS9880 原子熒光儀器平臺(北京博暉創(chuàng)新生物技術(shù)股份有限公司),樣品經(jīng)過氫化物反應(yīng)后,在原子化器轉(zhuǎn)化為待測元素的原子態(tài),并在原子化器被System2 型EDL(美國PerkinElmer 公司)激發(fā)出元素特征譜,入射熒光首先經(jīng)過狹縫(高度800 μm,寬度100 μm)準(zhǔn)直后,照射到平場凹面光柵(刻線密度為1000 grooves/mm, f=30 mm,中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研制),色散分光后的熒光信號被面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器(光譜響應(yīng)范圍180~320 nm,最高計(jì)數(shù)率≥350 k/s,暗計(jì)數(shù)率≤1計(jì)數(shù)/(s·cm)2,有效探測面積≥500 mm2,中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所研制)采集并進(jìn)行處理分析。
1.2 樣品制備
HCl和NaOH為優(yōu)級純;KBH4 為分析純;As元素和Bi元素標(biāo)準(zhǔn)儲備溶液(1000 μg/mL,國家標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)中心)分別稀釋成0.2、0.4、1、2、4、10、20和40 μg/L標(biāo)準(zhǔn)系列溶液。實(shí)驗(yàn)用水為超純水(gt;18 MΩ?cm),使用其配制含2.0%(m/V) KBH4 和0.5%(m/V) NaOH的還原劑溶液。
2 結(jié)果與討論
2.1 實(shí)驗(yàn)參數(shù)優(yōu)化及處理
2.1.1 波長定標(biāo)測試
光譜檢測系統(tǒng)設(shè)計(jì)檢測波長范圍為180~320 nm,根據(jù)美國標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院NIST 原子光譜數(shù)據(jù)庫(ASD),分別選用193.7 和234.9 nm(As 元素)、253.7 nm(Hg 元素)、223.1 和306.7 nm(Bi 元素)的EDL激發(fā)譜線對此光譜檢測系統(tǒng)進(jìn)行波長定標(biāo)及誤差分析,對應(yīng)面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器等效像元315~566 列,獲得的不同元素特征譜線與探測器等效列位置關(guān)系見表1,線性關(guān)系式為i=–2.2221L+996.97,其中, i 為因變量, L 為自變量,相關(guān)系數(shù)r=0.9996。
2.1.2 EDL 激發(fā)信號漂移測試
EDL 點(diǎn)亮后通過功率耦合器在玻璃泡殼內(nèi)瞬間建立一個(gè)高頻磁場,由于原子返回基態(tài)時(shí)自發(fā)輻射,對應(yīng)元素的特征光譜信號強(qiáng)度可能會隨時(shí)間的延長產(chǎn)生提升和漂移。本研究采用海洋光學(xué)Maya2000-Pro 光譜儀分別對As 元素在189.0、193.7、197.3、228.8 和234.9 nm 處產(chǎn)生的激發(fā)熒光強(qiáng)度,以及Bi 元素在206.2、223.1 和306.7 nm 處產(chǎn)生的激發(fā)熒光強(qiáng)度與時(shí)間的關(guān)系進(jìn)行檢測分析,激發(fā)光源穩(wěn)定時(shí)間與相對熒光激發(fā)強(qiáng)度的關(guān)系如圖2 所示。結(jié)果表明,當(dāng)EDL 點(diǎn)亮40 min 后,激發(fā)熒光信號強(qiáng)度基本穩(wěn)定,相對標(biāo)準(zhǔn)偏差(Relative standard deviation, RSD)為1.79%~3.24%。
2.1.3 面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器負(fù)電壓測試
面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器的表面由104~107 個(gè)相互平行且內(nèi)壁涂有二次電子發(fā)射材料的微型管路陣列構(gòu)成,光譜信號通過轉(zhuǎn)化成電子云在電場的作用下加速落在位置靈敏陽極上,位置靈敏陽極通過一定的位置解碼原理獲得倍增電子云中心位置,經(jīng)后續(xù)的處理電路輸入到計(jì)算機(jī)進(jìn)行解碼成像,通過對面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器內(nèi)部MCP 兩段面施加負(fù)電壓有效提升內(nèi)壁二次電子發(fā)射,獲得較高的電子增益效率。增益G 的表達(dá)式見式(1)。
其中,v0 為電子發(fā)射時(shí)的初電位, k為材料常數(shù), 為MCP 通道的長徑比。
隨著MCP 兩段面施加負(fù)電壓U 的提升,面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器增益G 逐漸增大,但過高的U 會導(dǎo)致面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器內(nèi)部發(fā)射的二次電子飽和,增益降低,探測光譜信號的能力下降。對40 μg/L 的As 和Bi 標(biāo)準(zhǔn)系列溶液進(jìn)行測試,并對As 在197.3 nm 和Bi 在223.1 nm 處獲得的激發(fā)熒光強(qiáng)度和面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器的負(fù)高壓參數(shù)變化關(guān)系進(jìn)行分析,結(jié)果如圖3 所示。隨著面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器負(fù)高壓增大,檢測到的熒光信號強(qiáng)度隨之增大,當(dāng)負(fù)電壓增大到2.35 kV 時(shí), As和Bi 元素的激發(fā)熒光信號達(dá)到最大值。
2.1.4 散射干擾測試
由于AFS 的Ar-H2 擴(kuò)散火焰中會殘留水汽及氣溶膠,可能影響檢測結(jié)果??瞻讟悠吩?80~320 nm范圍內(nèi)產(chǎn)生的熒光激發(fā)信號如圖4 所示,在237.6~307.4 nm 區(qū)域存在帶狀光譜信號,在238.7、260.8、266.8、281.7 和307.4 nm 處出現(xiàn)光譜峰。
為進(jìn)一步驗(yàn)證散射干擾與激發(fā)熒光之間的關(guān)系,分別對0.2、0.4、1、2、4、10、20 和40 μg/L 的As元素標(biāo)準(zhǔn)溶液和0.2、0.4、1、2、4、10 和20 μg/L 的Bi 元素標(biāo)準(zhǔn)溶液進(jìn)行測試分析,結(jié)果如圖5A 和圖5B 所示,橙色區(qū)域?yàn)樯⑸涓蓴_的分布區(qū)域,光譜信號強(qiáng)度并未隨樣品濃度變化。As 元素激發(fā)熒光在189.0~197.3 nm 范圍內(nèi)的共振熒光線和234.9 nm 處的直躍熒光線熒光信號隨樣品濃度升高而增強(qiáng), Bi 元素激發(fā)熒光在206.2 nm 處的共振熒光線和223.1 nm 處的階躍熒光線熒光信號隨樣品濃度升高而增強(qiáng)。As 元素在234.6 和249.3 nm 處的直躍熒光與干擾峰在238.7 nm 處有部分重疊,并且激發(fā)熒光信號較弱;Bi 元素在306.7 nm 處的階躍熒光線熒光信號與干擾峰在238.7 nm 處有部分重疊。上述與特征譜線重疊區(qū)域的散射干擾會影響在此波段的定量分析相關(guān)系數(shù),并導(dǎo)致檢出限(Limit of detection, LOD)增高。
2.1.5 As 和Bi 的檢出限
采用本方法對0.2、0.4、1、2、4、10、20 和40 μg/L 的As 元素標(biāo)準(zhǔn)溶液和0.2、0.4、1、2、4、10 和20 μg/L 的Bi 元素標(biāo)準(zhǔn)溶液進(jìn)行測試, LOD 按公式LOD=3S/k 計(jì)算,其中, S 為11 次標(biāo)準(zhǔn)空白溶液的標(biāo)準(zhǔn)差, k 為標(biāo)準(zhǔn)曲線的斜率。具體實(shí)驗(yàn)條件參數(shù)參見表2。
在每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)樣品測試前需測試相同時(shí)間內(nèi)空白樣品背景,并在每次樣品測試結(jié)果中將其扣除,獲得的As 和Bi 元素光譜信號見圖5C 和圖5D。由于散射干擾光譜主要分布在237.6~307.4 nm 范圍內(nèi), As元素激發(fā)熒光在189.0~197.3 nm 范圍內(nèi)的共振熒光線和234.9 nm 處的直躍熒光線熒光信號以及Bi 元素激發(fā)熒光在206.2 nm 處的共振熒光線和223.1 nm 處的階躍熒光線熒光信號受散射干擾的影響較弱,但Bi 元素在306.7 nm 處的階躍熒光線受到散射干擾的影響較強(qiáng)。通過半峰寬度評估本方法的檢測能力,對扣除和不扣除散射干擾的檢測結(jié)果中As 和Bi 在不同特征譜線處獲得的LOD 進(jìn)行分析,相關(guān)測試結(jié)果見表3。
3 結(jié)論
本研究基于面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器在紫外波段高靈敏度、低暗計(jì)數(shù)率的特點(diǎn),開發(fā)了由狹縫、平場凹面光柵等部件組成的紫外高靈敏度光譜檢測系統(tǒng),并搭建了HG-AFS 實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)。對EDL 的穩(wěn)定時(shí)間和面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器負(fù)高壓等參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,對檢測過程中存在的水汽造成的散射干擾進(jìn)行了討論,并評估了系統(tǒng)對As 和Bi 元素的檢測能力。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,基于面陣單光子計(jì)數(shù)成像探測器的HG-AFS 色散檢測系統(tǒng)具有良好的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性,未來可以在AFS 多元素同時(shí)測定和電感耦合等離子體發(fā)射光譜(Inductively coupled plasma-optical emission spectrometer, ICP-OES)紫外信號探測等領(lǐng)域中進(jìn)一步應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)化集成。
致謝感謝北京博暉創(chuàng)新生物技術(shù)股份有限公司舒迪博士團(tuán)隊(duì)提供的實(shí)驗(yàn)測試環(huán)境及樣品。
References
[1] DA COSTAM A P, DA SILVA D L F, DIAS F D, DSANTOS A D, DOS SANTOS W N L. Anal. Methods, 2020, 12(13):1711-1719.
[2] DENG X, LI R, DENG S. J. Fluoresc. , 2020, 30(4): 949-954.
[3] BORGES G A, SOUZA G D, LOPERS P S F, CIMINELLI V S T, CALDEIRA C L, RODRIGUES G D. Quim. Nova, 2020,43(6): 697-704.
[4] LIU M, LIU T, MAO X, LIU J, NA X, DING L, QIAN Y. Talanta, 2019, 202: 178-185.
[5] Lü Li, LI Yuan, JING Mei-Jiao, MA Meng-Dan, PENG Yue-Han, QIN Shun-Yi, LI Liu-An. Spectrosc. Spectral Anal. ,2019, 39(2): 607-611.
呂莉, 李源, 井美嬌, 馬夢丹, 彭玥晗, 秦順義, 李留安. 光譜學(xué)與光譜分析, 2019, 39(2): 607-611.
[6] LIU M, MAO X, LIU J, DING L, NA X, CHEN G, QIAN Y. At. Spectrosc. , 2019, 40(3): 83-90.
[7] FERREIRA C, DOSANJOS J P, FELIX C S A, DA SILVA M M, PALACIO E, CERDA V. TrAC, Trends Anal. Chem. ,2019, 110: 335-343.
[8] JIANG X, WU P, DENG D, GAO Y, HOU X, ZHENG C. J. Anal. At. Spectrom. , 2012, 27(10): 1780-1786.
[9] OBRUSNíK A, DěDINA J, DVO?áK P. J. Anal. At. Spectrom. , 2020, 35(7): 1464-1471.
[10] WüNSCH G, WENNEMER A, MCLAREN J W. Spectrochim. Acta, Part B, 1991, 46(11): 1517-1531.
[11] PATEL B M, REEVES R D, BROWNER R F, MOLNAR C J, WINEFORNDER J D. Appl. Spectrom. , 1973, 27(3): 171-176.
[12] TAO C, LI C, LI Y, WANG H, ZHANG Y, ZHOU Z, MAO X, MA Z, TIAN D. J. Anal. At. Spectrom. , 2019, 34(2): 413-414.
[13] WANG Hong-Xia, LI Ying-Chao, LI Chun-Sheng, ZHOU Zhi-Heng, MA Zhen-Yu, TIAN Di. Chin. J. Anal. Chem. , 2021,49(9): 1470-1477.
王宏霞, 李穎超, 李春生, 周志恒, 馬振予, 田地. 分析化學(xué), 2021, 49(9): 1470-1477.
[14] TAO Chen, LI Chun-Sheng, WANG Hong-Xia, ZHANG Ya-Ru, ZHAO Cheng-Wei, ZHOU Zhi-Heng, MA Zhen-Yu, TIAN Di. Chin. J. Anal. Chem. , 2018, 46(12): 1878-1885.
陶琛, 李春生, 王宏霞, 張雅茹, 趙成威, 周志恒, 馬振予, 田地. 分析化學(xué), 2018, 46(12): 1878-1885.
[15] ?ESTáK J, PLANETA J, KAHLE V. Anal. Chim. Acta, 2020, 1112: 80-91.
[16] ZHANG Y, KIM Y, TANG A, KAWAMURA J H, RECK T J, FRANK CHANG M C. IEEE Trans. Circuits Syst., Ⅰ, 2019,66(5): 1863-1873.
[17] FOSSUM E R, HONDONGWA D B. IEEE J. Electron Devices Soc. , 2014, 2(3): 33-43.
[18] HE Ling-Ping, NI Qi-Liang, LI Min, LIU Shi-Jie, CHEN Bo. Opt. Precis. Eng. , 2009, 17(11): 2699-2704.
何玲平, 尼啟良, 李敏, 劉世界, 陳波. 光學(xué)精密工程, 2009, 17(11): 2699-2704.
[19] CHEN Bo, HE Fei. Opt. Precis. Eng. , 2011, 19(9): 2057-2062.
陳波, 何飛. 光學(xué)精密工程, 2011, 19(9): 2057-2062.
國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃基礎(chǔ)科研條件與重大科學(xué)儀器設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目(No. 2022YFF0708500)和國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(No. 62205331)資助。