非晶硅
- a-Si:H（p）/c-Si（n）異質(zhì)結(jié)太陽電池的模擬優(yōu)化
晶硅襯底上沉積非晶硅薄膜形成的一種高效硅基太陽電池，具有轉(zhuǎn)換效率高、開路電壓高、溫度系數(shù)低、低溫工藝制備及抗衰減等優(yōu)勢[3]，在行業(yè)內(nèi)備受關(guān)注[4]～[6]。目前，硅異質(zhì)結(jié)電池效率的世界紀(jì)錄是由日本Kaneka公司于2016年創(chuàng)造的，其研發(fā)的叉指背接觸硅異質(zhì)結(jié)電池效率達(dá)到26.63%[7]。在硅異質(zhì)結(jié)電池的研發(fā)中，由于涉及眾多的結(jié)構(gòu)變量諸如功函數(shù)、光學(xué)帶隙和非晶硅的摻雜濃度等等，從實(shí)驗(yàn)上透徹地研究各參數(shù)對電池性能的影響是比較困難的，因而需要借助模擬軟件對一
可再生能源 2022年3期2022-03-21
- 非晶硅光電池光譜特性研究
。因此，本文將非晶硅光電池作為視網(wǎng)膜假體感光單元，代替視網(wǎng)膜上的感光細(xì)胞，除了需要其對光亮度敏感，還需要對其光譜敏感特性進(jìn)行測量。進(jìn)一步，我們搭建了測量光路來測量非晶硅光電池的光譜敏感度曲線。關(guān)鍵詞：非晶硅;光電池;光譜1.光譜敏感度曲線測量系統(tǒng)搭建人眼的視覺與環(huán)境亮度密切相關(guān)。一般認(rèn)為，環(huán)境亮度在10-3×104 cd/m2的視覺稱為明視覺;當(dāng)環(huán)境亮度在10-3 cd/m2以下時的視覺稱為暗視覺。非晶硅光電池的光電效應(yīng)已預(yù)示其具有很好的人眼明視覺效應(yīng)。光
江蘇廣播電視報·新教育 2021年21期2021-10-25
- 低溫多晶硅薄膜晶體管的專利技術(shù)
要的元件。由于非晶硅薄膜晶體管的漏電流較小，因此早期的液晶顯示技術(shù)大多采用非晶硅薄膜晶體管，但是非晶硅薄膜晶體管普遍存在載流子遷移率低下的問題，這極大的影響了顯示技術(shù)的發(fā)展。因此，急需研究一種可以改善載流子遷移率低下問題的薄膜晶體管器件。由于多晶硅薄膜晶體管（TFT）相較于非晶硅薄膜晶體管（TFT）具有功率損耗小、載流子遷移率大，且能夠在較低溫條件(如低于600℃)下制備而成、基底的選擇很靈活、制作成本低等優(yōu)勢。低溫多晶硅薄膜晶體管(Low Tempera
電子世界 2021年16期2021-09-26
- 非晶硅薄膜太陽能電池分析與研究
熱點(diǎn)之一。二、非晶硅薄膜太陽能電池目前國際上研究較多的薄膜太陽能電池主要分為：硅基薄膜太陽能電池、砷化鎵薄膜太陽能電池、銅銦鎵硒薄膜太陽能電池、碲化鎘薄膜太陽能電池等。在這些薄膜電池中，硅基薄膜太陽能電池以其特有的優(yōu)勢快速發(fā)展，硅基薄膜太陽能電池又分為：非晶硅、微晶硅、納米硅薄膜太陽能電池以及他們相互合成的疊層電池等。（一）非晶硅薄膜電池基本特點(diǎn)與晶硅材料相比，非晶硅薄膜材料具有以下特性。1.生產(chǎn)耗能少。非晶硅薄膜太陽能電池的制作需要200℃左右的溫度條件
- 非晶硅太陽能光伏/光熱空氣集熱器性能對比實(shí)驗(yàn)研究
生變形或斷裂。非晶硅光伏電池功率溫度系數(shù)較低，可達(dá)到-0.1%/℃，并具有柔性高和熱應(yīng)力低的特性，能夠減少自身的光致衰減缺陷，進(jìn)而防止光伏組件出現(xiàn)破壞和中斷的現(xiàn)象[6]，[7]。因此，將非晶硅光伏電池與空氣集熱器相結(jié)合能有效解決晶硅電池?zé)釕?yīng)力大的問題，同時，也避免了冬季管道發(fā)生霜凍的情況?；诖?，本文提出了由非晶硅光伏電池集成的太陽能PV/T空氣集熱器（以下簡稱為非晶硅太陽能PV/T空氣集熱器），并通過實(shí)驗(yàn)對比研究了該集熱器與傳統(tǒng)太陽能空氣集熱器和單獨(dú)非晶
可再生能源 2021年4期2021-04-21
- 半導(dǎo)體顯示兩種硅島干法刻蝕方式對比
阻覆蓋之大面積非晶硅刻蝕，形成TFT關(guān)鍵硅島②有源層溝道半曝光區(qū)域的光阻去除，使溝道內(nèi)的金屬露出，在第二次WET刻蝕時去除，形成源漏電極。故第一次DRY刻蝕工藝流程也據(jù)此一般包含兩部分：大面積非晶硅刻蝕（即主蝕刻，又叫Main Etching，ME）與溝道半曝光區(qū)域去光阻（即Half-ton Ashing，又叫Etch Back，EB）。因刻蝕對象膜層不同，主蝕刻與燒光阻刻蝕工藝差異明顯?？涛g非晶硅時，一般需要使用含CL，F(xiàn)氣體，形成揮發(fā)性的SiFx和Si
科學(xué)與生活 2021年29期2021-03-24
- 非晶態(tài)納米硅粉制備方法綜述
體硅相比，盡管非晶硅的電子電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率較差[8]，但非晶硅在充放電過程中體積膨脹明顯緩解[9]。非晶硅嵌鋰時體積膨脹呈現(xiàn)各向同性(晶態(tài)硅呈各向異性)，因此，在充放電過程中非晶硅具有更好的結(jié)構(gòu)可逆性[9]。此外，非晶硅具有更好的機(jī)械穩(wěn)定性，其結(jié)構(gòu)破裂的臨界尺寸達(dá)到870 nm，相比之下晶態(tài)硅臨界尺寸僅有150 nm[10]。Lin等[11]制備的非晶硅材料以1 A/g大電流進(jìn)行充放電，150 次循環(huán)后克容量可保持在1500 mA·h/g，與晶態(tài)硅相比循環(huán)穩(wěn)
儲能科學(xué)與技術(shù) 2021年2期2021-03-19
- 摻雜層對非晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池特性影響的研究
多分支。其中，非晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池由于其工藝溫度低、溫度系數(shù)小、轉(zhuǎn)換效率較高等優(yōu)點(diǎn)而受到廣泛關(guān)注。從1990年起，三洋公司（現(xiàn)已被松下收購）便一直通過所謂的HIT太陽電池結(jié)構(gòu)體現(xiàn)著這種技術(shù)潛在的優(yōu)勢，并于1997年實(shí)現(xiàn)HIT太陽電池的產(chǎn)業(yè)化。對于高效率異質(zhì)結(jié)太陽電池，晶體硅的表面鈍化是非常重要的參數(shù)。通過減少電池的厚度而降低太陽電池成本勢必會使電池表面積與體積比值的增加，因此，為了有效地鈍化PN結(jié)，需要在晶體硅基片的正反兩面都使用較高質(zhì)量的氫化非晶
江西電力 2020年6期2020-06-29
- SiO2晶態(tài)物性對高溫水泥石力學(xué)性能的影響
.1 晶體硅與非晶硅的理化性能差異晶體硅（如石英砂，SiO2含量>98%）和非晶硅（如硅灰，SiO2含量為88%～98%）的結(jié)晶程度完全不同（見圖1）。在更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)（硅酸鹽）中，其主要由硅氧四面體三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)組成，四面體通過頂點(diǎn)的氧原子（橋氧）連接，形成硅氧烷鍵（≡Si—O—Si≡），礦物中的其他金屬元素也會與氧原子連接。圖1 非晶硅與晶態(tài)硅的晶相特征可以看出，石英砂表現(xiàn)出很高的結(jié)晶程度而硅灰的結(jié)晶程度低（呈現(xiàn)彌散峰），原因在于硅氧四面體中O—Si—O
鉆井液與完井液 2020年6期2020-05-07
- 光子芯片使用可編程光子新材料 可加快集成電路研發(fā)
學(xué)材料——?dú)浠?span id="j5i0abt0b" class="hl">非晶硅，能夠加快光子集成電路的研發(fā)和生產(chǎn)。該研究項(xiàng)目的負(fù)責(zé)人Oded Raz表示，這是第一個可編程的光子電路，研發(fā)人員可以對光子材料本身進(jìn)行編程和重新設(shè)置，且不需要任何電力依然可保持自身的編程狀態(tài)，將在一定程度上幫助工程師加速開發(fā)光子器件。據(jù)介紹，這種材料名為氫化非晶硅，目前主要用于薄膜硅太陽能電池。研究人員在一個被稱為“Staebler-Wronski效應(yīng)”的研究中發(fā)現(xiàn)，光或熱會改變氫化非晶硅的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)，但當(dāng)它在黑暗中緩慢冷卻后，可以
中國計(jì)算機(jī)報 2020年13期2020-04-26
- 光照強(qiáng)度對三種硅太陽能電池特性影響的實(shí)驗(yàn)研究
硅太陽能電池、非晶硅太陽能電池。本文用實(shí)驗(yàn)方法對比研究了單晶硅、多晶硅、非晶硅太陽能電池的特性與光照強(qiáng)度之間的關(guān)系。1 實(shí)驗(yàn)裝置太陽能電池的實(shí)驗(yàn)裝置如圖1所示，該裝置由成都世紀(jì)中科儀器有限公司研制，包括太陽能電池特性試驗(yàn)儀、可變負(fù)載(電阻箱)、導(dǎo)軌、光源(含支架)、滑動支架、太陽能電池、光強(qiáng)探頭。2 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與方法實(shí)驗(yàn)過程中光照強(qiáng)度的大小由光強(qiáng)探頭測量。考慮到溫度以及其它光源可能對實(shí)驗(yàn)構(gòu)成影響，實(shí)驗(yàn)時選擇了一個背光的、室溫相對穩(wěn)定的暗室。2.1 按照圖1所
延安大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2020年1期2020-04-09
- GZO厚度對非晶硅電池中復(fù)合背電極的影響
的光電利用中，非晶硅太陽能電池以其價格低廉、制備工藝簡單、襯底選擇靈活等特點(diǎn)，成為薄膜太陽能電池的重點(diǎn)研究方向[7-9].1976年，美國RCA實(shí)驗(yàn)室的Carlson等成功研制出轉(zhuǎn)換效率為2.4%的p-i-n結(jié)構(gòu)非晶硅太陽能電池[10].Villar等人利用HWCVD在溫度低于150 ℃的條件下制備出效率為4.6%的非晶硅薄膜電池[11].隨后，日本的Takeuchi進(jìn)一步改進(jìn)了非晶硅太陽能電池的制備工藝，推動了非晶硅電池的批量生產(chǎn)[12].目前，雖然非晶
材料科學(xué)與工藝 2019年5期2019-11-13
- CIGS薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)分析
，包括硅基類（非晶硅、多晶硅、微晶硅）、無機(jī)化合物類（碲化鎘、銅銦硒、砷化鎵）、有機(jī)類、染料敏化（二氧化鈦、氧化鋅）等，并從材料、工藝和轉(zhuǎn)換效率等方面比較和討論了它們各自性能的優(yōu)劣，最后展望了這些薄膜太陽能電池材料未來的研究方向及應(yīng)用前景。關(guān)鍵詞：薄膜太陽能電池引言近年來，環(huán)境污染和能源衰竭等問題與全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展之間的矛盾越來越突出，加上人類對可再生能源的不斷需求，這樣就促使人們致力于開發(fā)新的能源。太陽能作為一種可再生能源有著其它能源不可比擬的優(yōu)勢，因此，合
中國電氣工程學(xué)報 2019年19期2019-10-21
- 低溫鋁誘導(dǎo)非晶硅晶化的熱力學(xué)機(jī)理研究*
TA)的鋁誘導(dǎo)非晶硅晶化(AIC)因其能實(shí)現(xiàn)低溫晶化，且制備出的微晶硅具有結(jié)晶性能良好、晶化率可控等優(yōu)點(diǎn)，已成為非晶硅晶化的重要方法之一.AIC的動力學(xué)過程已較為清晰，即在溫度的作用下原非晶硅中的Si-Si鍵斷裂，并通過擴(kuò)散的方式進(jìn)入Al膜，形成非穩(wěn)定態(tài)的硅鋁化合物；在適當(dāng)?shù)臏囟认峦嘶?，達(dá)到異質(zhì)形核條件，成核長大.非穩(wěn)定態(tài)的硅鋁化合物不斷地形成穩(wěn)定態(tài)的晶態(tài)硅，最后形成穩(wěn)定的晶硅層和包裹著多余Al的非晶硅層[1].但鋁誘導(dǎo)非晶硅晶化不僅包括動力學(xué)過程，還包括
云南師范大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2019年5期2019-10-10
- 不同類型平板探測器的DQE測量比較
S）閃爍材料的非晶硅平板探測器是最為主流的數(shù)字X射線影像設(shè)備。近三十年來，間接式的基于閃爍材料+非晶硅TFT面板的平板探測器已經(jīng)獲得了長足的發(fā)展，技術(shù)已經(jīng)十分的成熟、穩(wěn)定，形成了從傳感器面板到探測器設(shè)計(jì)、制造商，再到平板DR制造商的完整的產(chǎn)業(yè)鏈。在X射線影像設(shè)備領(lǐng)域，間接式平板探測器已經(jīng)成為主流，在世界各地所有的醫(yī)學(xué)影像和工業(yè)檢測領(lǐng)域，都已占據(jù)市場主導(dǎo)地位。如何比較多年以來先后出現(xiàn)的不同的X射線影像技術(shù)呢？一個較客觀且被廣泛DR廠家及影像學(xué)家所接受的方法是
中國醫(yī)療器械信息 2019年9期2019-06-17
- 硅基薄膜太陽能電池研究進(jìn)展
太陽能電池分為非晶硅（α－Si）、微晶硅（μ－Si）、納米晶硅（nc－Si）薄膜電池。 硅薄膜電池相比于單晶硅太陽能電池，有著價格低廉、制作工藝相對簡單的優(yōu)點(diǎn)。1.1 非晶硅薄膜太陽能電池非晶硅薄膜太陽能電池的制備方法有等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）、反應(yīng)濺射法和低壓化學(xué)氣相沉積法（LPCVD）。國內(nèi)外在此項(xiàng)技術(shù)上的研究也日趨成熟。我國河北工業(yè)大學(xué)采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF—PECVD)技術(shù)，在 P型晶化硅層沉積時間12.5分鐘。N層
科技視界 2018年22期2018-07-12
- 非晶硅薄膜太陽能電池的p/i和i/n界面插入緩沖層對電池性能影響研究
于pin型結(jié)構(gòu)非晶硅薄膜太陽能電池，采用數(shù)值模擬的方法，通過模擬分析表明，在電池的p/i、i/n界面插入緩沖層可以得到電池轉(zhuǎn)化效率為7.474%，比沒有緩沖層電池提高0.305%。關(guān)鍵詞：非晶硅 緩沖層 轉(zhuǎn)化效率中圖分類號：O469 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A 文章編號：1674-098X（2017）09（a）-0073-02由于非晶硅材料的原子結(jié)構(gòu)是一種共價無規(guī)的網(wǎng)絡(luò)原子結(jié)構(gòu)，不受周期性結(jié)構(gòu)的約束，具有短程有序、長程無序的結(jié)構(gòu)。無序結(jié)構(gòu)導(dǎo)致多種結(jié)構(gòu)缺陷和微空洞的形成
科技創(chuàng)新導(dǎo)報 2017年25期2017-11-07
- 限電條件下光伏方陣改造方案分析
量比例。限電，非晶硅，單晶硅，發(fā)電量計(jì)算目前先期(2010年)投產(chǎn)的非晶硅組件的發(fā)電量比同期多晶硅組件的發(fā)電量低30%，非晶硅組件轉(zhuǎn)換率低下，致使該發(fā)電系統(tǒng)長期無法滿負(fù)荷工作，造成大量的資源浪費(fèi)。同時，隨著技術(shù)的進(jìn)步，單晶硅的轉(zhuǎn)換效率在不斷提高，價格逐步下降，通過用單晶硅組件替代非晶硅組件可以充分的利用場地資源，提高發(fā)電效率，達(dá)到良好的經(jīng)濟(jì)效果。1 太陽能資源分析及發(fā)電量計(jì)算1)站址概述。電站場址距離格爾木市中心29 km，距離南側(cè)的109國道約1.5 k
山西建筑 2017年26期2017-10-21
- 低應(yīng)力非晶硅薄膜的制備
206）低應(yīng)力非晶硅薄膜的制備王劍敏(上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司，上海，201206）本文研究了三種降低非晶硅材料應(yīng)力的手段:優(yōu)化工藝參數(shù)。通過N2退火，將非晶硅的壓應(yīng)力變?yōu)閺垜?yīng)力。通過額外的摻雜硼來改變非晶硅的應(yīng)力。最初加入硼摻雜后應(yīng)力會發(fā)生突變，但隨著同步摻雜的濃度增加，最終的應(yīng)力變化會趨向緩和。通過綜合利用以上三個手段，最終的實(shí)際結(jié)果達(dá)到了預(yù)定的低應(yīng)力目標(biāo)。低應(yīng)力；非晶硅；微機(jī)械；半導(dǎo)體制造0 引言非晶硅材料被廣泛運(yùn)用在微電子和微機(jī)械的工藝制作中
電子測試 2017年10期2017-08-07
- 載流子選擇性接觸:高效硅太陽電池的選擇?
結(jié)硅太陽電池、非晶硅薄膜硅異質(zhì)結(jié)太陽電池和氧化物薄膜硅異質(zhì)結(jié)太陽電池結(jié)構(gòu)進(jìn)行數(shù)值模擬,三者的器件結(jié)構(gòu)分別如圖2(a)、圖2(b)和圖2(c)所示.圖2 (網(wǎng)刊彩色)模擬器件結(jié)構(gòu) (a)擴(kuò)散同質(zhì)結(jié)硅太陽電池;(b)非晶硅薄膜硅異質(zhì)結(jié)太陽電池;(c)氧化物薄膜硅異質(zhì)結(jié)太陽電池Fig.2.(color online)Structures of silicon solar cell:(a)Diffused homojunction solar cell;(b)si
物理學(xué)報 2017年15期2017-04-26
- 非晶硅薄膜和結(jié)晶硅薄膜的拉曼光譜
01620)?非晶硅薄膜和結(jié)晶硅薄膜的拉曼光譜馬希文， 楊玉慶， 張 坤， 何 佳， 張 霞(上海工程技術(shù)大學(xué) 材料工程學(xué)院，上海 201620)以玻璃為襯底，利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝制備了非晶硅(α-Si)薄膜，然后通過準(zhǔn)分子激光晶化方式獲得結(jié)晶硅(nc-Si)薄膜，采用激光顯微拉曼光譜儀對非晶硅薄膜、結(jié)晶硅薄膜這兩類薄膜的拉曼光譜效應(yīng)和結(jié)晶質(zhì)量等進(jìn)行了定量分析。結(jié)果表明：當(dāng)激光功率達(dá)到某一閾值時，非晶硅樣品發(fā)生了晶化，即由非晶硅轉(zhuǎn)化成了結(jié)晶硅，
實(shí)驗(yàn)室研究與探索 2016年8期2016-12-21
- 非晶/微晶相變區(qū)硅基薄膜太陽能電池研究進(jìn)展
/微晶相變區(qū)的非晶硅一側(cè)，其相比于非晶硅具有更高的中程有序性和更低的光致衰退特性.低缺陷密度的窄帶隙納米晶硅薄膜處于非晶/微晶相變區(qū)的微晶硅一側(cè)，有效鈍化的納米硅晶粒具有較高的載流子遷移率和較好的長波響應(yīng)特性.基于上述相變區(qū)硅薄膜材料的疊層電池已經(jīng)達(dá)到13.6%的穩(wěn)定轉(zhuǎn)換效率.摻鍺制備的硅鍺薄膜可進(jìn)一步降低薄膜的帶隙寬度，引入相變區(qū)硅鍺合金薄膜后，三結(jié)疊層電池初始效率已經(jīng)達(dá)到16.3%，四結(jié)疊層太陽能電池理論效率可以超過20%.非晶/微晶相變區(qū)；中程有序性
河北大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2016年5期2016-12-15
- 替代型非晶硅薄膜標(biāo)準(zhǔn)太陽電池的研制
徐正元替代型非晶硅薄膜標(biāo)準(zhǔn)太陽電池的研制中國電子科技集團(tuán)公司第十八研究所 ■ 王金玉*伊紀(jì)祿 袁明翰 徐正元通過在單晶硅標(biāo)準(zhǔn)太陽電池上安裝合適的濾光片作為替代型非晶硅薄膜標(biāo)準(zhǔn)太陽電池，減小非晶硅薄膜標(biāo)準(zhǔn)太陽電池與非晶硅薄膜太陽電池的光譜響應(yīng)失配引起的測量誤差。實(shí)驗(yàn)證明，替代型非晶硅薄膜標(biāo)準(zhǔn)太陽電池的相對光譜響應(yīng)曲線與非晶硅薄膜太陽電池基本一致。替代型非晶硅；薄膜；標(biāo)準(zhǔn)太陽電池；光譜響應(yīng)；光譜失配0 引言采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法，以玻璃、不銹鋼、聚
太陽能 2016年9期2016-11-30
- 光伏電站中箱式變電站對低壓防雷器的要求
710032)非晶硅薄膜電池的負(fù)極接地設(shè)計(jì)在光伏發(fā)電系統(tǒng)中非常重要，文章根據(jù)非晶薄膜電池對地負(fù)偏壓時腐蝕較大的缺點(diǎn)，論述了與非晶薄膜電池相配合的逆變器直流側(cè)負(fù)極需接地的主要原因。根據(jù)逆變器負(fù)極接地時電壓的特點(diǎn)，得出結(jié)論：箱式變電站低壓側(cè)防雷器耐壓須大于逆變器的直流輸入電壓與輸出相電壓峰值之和。光伏發(fā)電；非晶硅薄膜電池；逆變器接地；防雷器耐壓0 前 言光伏發(fā)電作為一種可再生的清潔能源，已成為發(fā)電系統(tǒng)的重要組成部分[1-3]。大規(guī)模并網(wǎng)光伏發(fā)電系統(tǒng)的產(chǎn)生使太陽
西北水電 2016年5期2016-11-30
- 一種用于BIPV的半透明非晶硅薄膜太陽能電池的研究
IPV的半透明非晶硅薄膜太陽能電池的研究陳宇(廣東志成冠軍集團(tuán)有限公司， 廣東東莞523718)利用一種半透明非晶硅薄膜太陽能電池采用高導(dǎo)電性能的透明銀(Ag)薄膜和TCO薄膜組成透明的背電極代替了普通的不透明鋁背電極，通過ZnO/TiO2薄膜組成復(fù)合增透膜提升入射光能，彌補(bǔ)透明背電極的背反射減弱問題。實(shí)驗(yàn)采用磁控濺射法制備厚度為10～15 nm的銀薄膜與200～300 nm厚度AZO薄膜為透明背電極，采用厚度為65 nm的ZnO薄膜和50 nm的TiO2
東莞理工學(xué)院學(xué)報 2016年3期2016-10-13
- 液相混合輔助低溫制備Ca2Si5N8：Eu2+熒光粉
-氨溶液，原料非晶硅懸浮于溶液中，通過液氨揮發(fā)使金屬-氨溶液產(chǎn)生過飽和，并以金屬酰胺形式沉析在非晶硅表面，將這種液相混合處理的原料在常壓1100 ℃保溫6 h合成Ca2Si5N8：Eu2+熒光粉。采用XRD、SEM和PL光譜儀分別表征了產(chǎn)物的晶體結(jié)構(gòu)、微觀顆粒形貌以及發(fā)光性能。結(jié)果表明：這種液相混合降低了熒光粉合成溫度，在常壓下1100 ℃保溫6 h合成了結(jié)晶良好的Ca2Si5N8：Eu2+熒光粉；合成的熒光粉顆粒呈類球形且分散性較好；合成的Ca2Si5N
浙江理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版) 2016年7期2016-09-29
- 非晶硅薄膜表面微納結(jié)構(gòu)制備及抗反射性能研究
130022）非晶硅薄膜表面微納結(jié)構(gòu)制備及抗反射性能研究吳杰（長春理工大學(xué)電子信息工程學(xué)院，長春130022）為了對非晶硅薄膜表面改性，使其具有更好的抗反射性，將采用激光干涉光刻的方法，在非晶硅薄膜表面制備具有抗反射性能的微納結(jié)構(gòu)。首先搭建三光束激光干涉系統(tǒng)，使用波長為1064nm的Nd：YAG激光光源，使其在空間分布上接近旋轉(zhuǎn)對稱的三束光，對非晶硅薄膜進(jìn)行干涉實(shí)驗(yàn)，然后用掃描電子顯微鏡（SEM）、原子力顯微鏡（AFM）對激光刻蝕后的非晶硅薄膜表面結(jié)構(gòu)特征
長春理工大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2016年3期2016-09-16
- 可用于可穿戴設(shè)備的透明非晶硅薄膜太陽能電池的研究
穿戴設(shè)備的透明非晶硅薄膜太陽能電池的研究陳 宇 （廣東志成冠軍集團(tuán)有限公司，廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)田心工業(yè)區(qū)，523718）摘要：一種可用于可穿戴設(shè)備屏幕表面的透明非晶硅薄膜太陽能電池，采用激光刻蝕高密度微納光通道陣列、TCO薄膜作為透明導(dǎo)電背電極，并減薄I層厚度來提升光線透過率。實(shí)驗(yàn)表明隨著光刻密度增加或I層厚度的減少，光電轉(zhuǎn)換效率會降低，光線透過率會增加，當(dāng)I層厚度300nm，光刻孔隙直徑30m，陣列間隔55m以內(nèi)時，可獲得50%以上的透過率（最高59%）
電子測試 2016年13期2016-08-04
- 寬光譜高效硅基薄膜太陽電池的基礎(chǔ)研究報告
明導(dǎo)電薄膜用作非晶硅太陽電池前電極、非晶硅太陽電池BZO/p-a-SiC：H接觸特性改善、非晶硅界面緩沖層對非晶硅鍺電池性能的影響以及非晶硅鍺電池性能的調(diào)控等方面的研究內(nèi)容及結(jié)果。 首先我們將自行研制的具有優(yōu)異陷光效果的摻硼氧化鋅 BZO 用作 p-i-n 型非 晶硅太陽電池的前電極，并且將傳統(tǒng)商業(yè)用 U 型摻氟二氧化錫 FTO 作為對 比電極。結(jié)果表明相對 FTO 電池，盡管 BZO 電池的電流優(yōu)勢明顯，但當(dāng)本征 層厚度較薄時其 Voc 和 FF 卻較差
科技資訊 2016年6期2016-05-14
- 小型汽車太陽能補(bǔ)電裝置
晶硅、多晶硅、非晶硅三類。單晶硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換率為15%左右，多晶硅太陽能電池的制作工藝與單晶硅太陽能電池差不多，光電轉(zhuǎn)換率約為12%。非晶硅太陽能電池是1976年出現(xiàn)的新型薄膜式太陽能電池，它與單晶硅和多晶硅太陽能電池的制作方法完全不同，硅材料消耗少，電耗更低。雖然目前光電轉(zhuǎn)換效率偏低（國際先進(jìn)水平為10%左右），但在弱光下有較好的表現(xiàn)。在強(qiáng)光下，單晶體式太陽能電池板較非晶體式雖能轉(zhuǎn)化多達(dá)一倍以上的太陽能，但價格要貴兩三倍以上，且陰天時非晶體式反而
發(fā)明與創(chuàng)新 2015年14期2015-12-25
- 非晶硅鍺薄膜太陽電池的模擬研究
2］。近年來，非晶硅薄膜太陽電池以其較低的生產(chǎn)成本，在市場上所占份額有所增加，但其轉(zhuǎn)換效率不高且在長時間光照下易出現(xiàn)光致衰退現(xiàn)象［3］。近期發(fā)展起來的非晶硅鍺薄膜材料因帶隙在1.1～1.8 eV可調(diào)，且隨著鍺含量的增加使其對長波區(qū)太陽光的吸收系數(shù)增大，因而越來越受到重視。然而，與非晶硅薄膜太陽電池相比，非晶硅鍺單結(jié)薄膜太陽電池的工作機(jī)理及影響效率的因素尚不明確，文獻(xiàn)報道的此種電池的轉(zhuǎn)換效率都較低［3］，故可以通過計(jì)算機(jī)模擬的方法進(jìn)行分析研究，以便進(jìn)一步提高
重慶理工大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)) 2015年6期2015-12-06
- TFT柵極絕緣層和非晶硅膜層的ITO污染對電學(xué)特性影響的研究
T柵極絕緣層和非晶硅膜層的ITO污染對電學(xué)特性影響的研究王守坤?，袁劍峰，郭會斌，郭總杰，李升玄，邵喜斌（北京京東方顯示技術(shù)有限公司，北京100176）本文對TFT在柵極絕緣層和非晶硅膜層沉積過程中，透明電極ITO成分對膜層的污染和TFT電學(xué)性質(zhì)的影響進(jìn)行分析研究.通過二次離子質(zhì)譜分析和電學(xué)測試設(shè)備對樣品進(jìn)行分析.ITO成分會對PECVD設(shè)備、柵極絕緣層和非晶硅膜層產(chǎn)生污染，并會影響TFT的電學(xué)特性.建議采用獨(dú)立的PECVD設(shè)備完成ITO膜層上面的柵極絕緣
液晶與顯示 2015年6期2015-10-22
- 小型汽車太陽能補(bǔ)電裝置
晶硅、多晶硅、非晶硅三類。單晶硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換率為15%左右，多晶硅太陽能電池的制作工藝與單晶硅太陽能電池差不多，光電轉(zhuǎn)換率約為12%。非晶硅太陽能電池是1976年出現(xiàn)的新型薄膜式太陽能電池，它與單晶硅和多晶硅太陽能電池的制作方法完全不同，硅材料消耗少，電耗更低。雖然目前光電轉(zhuǎn)換效率偏低（國際先進(jìn)水平為10%左右），但在弱光下有較好的表現(xiàn)。在強(qiáng)光下，單晶體式太陽能電池板較非晶體式雖能轉(zhuǎn)化多達(dá)一倍以上的太陽能，但價格要貴兩三倍以上，且陰天時非晶體式反而
發(fā)明與創(chuàng)新·中學(xué)生 2015年4期2015-04-09
- 埋弧焊鋼管焊縫DR檢測機(jī)理及應(yīng)用
R探測器主要為非晶硅（α－Si）輻射探測器［2］。1.2 埋弧焊鋼管焊縫非晶硅DR探測器構(gòu)成及射線轉(zhuǎn)換原理1.2.1 非晶硅輻射探測器構(gòu)成非晶硅輻射探測器是間接轉(zhuǎn)換型半導(dǎo)體輻射探測器。包括：閃爍體層、非晶硅層（光電二極管陣列）、薄膜晶體管陣列（TFT）、電路，結(jié)構(gòu)如圖1所示。其中閃爍體層、非晶硅層是影響數(shù)字射線成像品質(zhì)的重要組成部分。圖1 非晶硅平板探測器結(jié)構(gòu)閃爍體層一般由銫碘化物組成，銫碘化物是較理想的材料。碘化銫閃爍層是一種吸收X射線并把能量轉(zhuǎn)換為可見
無損檢測 2014年10期2014-10-27
- 電致發(fā)光技術(shù)在非晶硅組件量產(chǎn)中的應(yīng)用
作流程等。由于非晶硅電池的生產(chǎn)工藝與晶體硅電池完全不同，鮮有文獻(xiàn)報道EL用于非晶硅電池缺陷的檢測和在產(chǎn)線上應(yīng)用。本文利用EL設(shè)備對非晶硅電池進(jìn)行檢測，有效檢測電池中存在的各類缺陷，進(jìn)一步研究缺陷對電池功率、FF等各項(xiàng)電學(xué)參數(shù)的影響，指出EL技術(shù)在晶體硅與非晶硅電池檢測中的差別，以及如何進(jìn)行非晶硅電池EL測試的優(yōu)化，并指導(dǎo)在產(chǎn)線上的應(yīng)用。1 電致發(fā)光原理電致發(fā)光(Electroluminescent)，簡稱EL。在太陽電池中，少子的擴(kuò)散長度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于勢壘寬度，
太陽能 2014年6期2014-10-22
- 中低階高分辨率智能手機(jī)將于2018年達(dá)到所有智能手機(jī)的78%
代線a-Si（非晶硅）產(chǎn)能生產(chǎn)中低階智能手機(jī)顯示屏，由于未來低階4G LTE智能手機(jī)對于顯示屏的分辨率要求以HD（1280x720）為主，也就表示以五代線生產(chǎn)能夠取得面板規(guī)模生產(chǎn)的經(jīng)濟(jì)效益，也有利于成本下降。同時面板廠也會更快速的增加On-Cell與In-Cell的開發(fā)進(jìn)度，雖然近年來面板廠也積極投入外掛式觸控面板的生產(chǎn)，但是仍不敵專業(yè)觸控面板廠大規(guī)模生產(chǎn)所帶來的降價，因此On-Cell與In-Cell的開發(fā)會幫助面板廠具有更多的競爭優(yōu)勢，包括價格與產(chǎn)品整
消費(fèi)電子 2014年9期2014-09-23
- 鐵路客站光伏并網(wǎng)發(fā)電項(xiàng)目太陽能電池選型比對
所示。1.2 非晶硅薄膜太陽電池非晶硅薄膜太陽電池的生產(chǎn)成本較低，便于大規(guī)模生產(chǎn)，所以受到了人們的普遍重視，從而得到迅速的發(fā)展。非晶硅太陽能材料雖然是一種很好的電池材料，但它的光學(xué)帶隙為1.7 eV，轉(zhuǎn)化效率一般較低，在5%～9%左右。隨著技術(shù)的不斷改進(jìn)，原先非晶硅電池存在的光致衰降的S—W效應(yīng)(即太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率會隨著光照時間的延續(xù)而衰減)問題得到了明顯的改善，光致衰降的比率從最初的20%～30%下降到10%～15%左右。非晶硅薄膜太陽電池具有較低
山西建筑 2014年2期2014-08-21
- 鋁分層誘導(dǎo)晶化非晶硅的研究
晶硅薄膜具有比非晶硅薄膜更高的載流子遷移率和更優(yōu)良的光電性能,因而被廣泛應(yīng)用于薄膜晶體管、有源矩陣液晶顯示器和薄膜太陽能電池等領(lǐng)域[1-2]．鋁誘導(dǎo)晶體(AIC)可以在玻璃等廉價襯底上低溫制備大晶粒、高結(jié)晶質(zhì)量的多晶硅薄膜,以此為基礎(chǔ)制作太陽能電池等器件,既具有晶硅器件效率高、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),又能大大降低生產(chǎn)成本,因而引起廣泛的研究．Oliver等[3]在玻璃襯底上用AIC制備多晶硅膜并進(jìn)行研究,提出了AIC制備多晶硅薄膜的機(jī)理模型:低于硅鋁共熔溫度的退火
廈門大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2014年5期2014-08-07
- 金屬光柵用于增強(qiáng)非晶硅薄膜太陽能電池光吸收率研究
題。而其中提高非晶硅對太陽光的吸收效率與縮減光電池設(shè)備的成本成為了人們研究的熱點(diǎn)。提高非晶硅光電轉(zhuǎn)換效率的主要機(jī)理是通過延長光子在非晶硅中的傳播路徑，以此增加光吸收效率。研究發(fā)現(xiàn)，介電光柵、光子晶體［1－6］等微米或納米尺寸的介電結(jié)構(gòu)可以用于提高非晶硅的光電轉(zhuǎn)換效率。此外，適當(dāng)?shù)卦黾?span id="j5i0abt0b" class="hl">非晶硅的電磁場，可以有效地提高非晶硅的光吸收效率［7－11］。電介質(zhì)結(jié)構(gòu)由于其共振寬度非常狹窄，不能有效地增加非晶硅的電磁場，因此對非晶硅的光吸收效率作用不明顯。而金屬納米結(jié)構(gòu)
應(yīng)用光學(xué) 2014年3期2014-06-01
- 熱壓通風(fēng)在鋁蜂窩板光伏構(gòu)件中的應(yīng)用研究
光立面幕墻，由非晶硅電池夾膠玻璃、隔熱材料、鋁型材、鋁蜂窩板等構(gòu)成，其中，非晶硅電池是以TCO導(dǎo)電玻璃為基底的p-i-n單結(jié)非晶硅薄膜電池。普通鋁蜂窩板光伏構(gòu)件在應(yīng)用于有保溫性能要求的非采光立面幕墻時，非晶硅電池夾膠玻璃在工作時會產(chǎn)生熱量，一方面要阻止鋁蜂窩板光伏構(gòu)件產(chǎn)生的熱量過多傳到室內(nèi)，導(dǎo)致室內(nèi)溫度過高；另一方面要避免熱量囤積于空腔內(nèi)部，導(dǎo)致非晶硅電池夾膠玻璃表面溫度過高，從而降低非晶硅電池夾膠玻璃的發(fā)電效率?，F(xiàn)對圖1中普通鋁蜂窩板光伏構(gòu)件進(jìn)行改進(jìn)，以
太陽能 2014年11期2014-01-01
- 兩種平板探測器成像系統(tǒng)在泌尿系造影中的對比研究
硒和間接轉(zhuǎn)換型非晶硅兩種，從功能上有動態(tài)刷新和靜態(tài)刷新兩種探測器，本文就非晶硅和非晶硒兩種探測器在泌尿系攝影中的性能進(jìn)行比較。材料與方法1.病例資料從近期我院行靜脈腎盂和逆行造影病例中選取200例分別作不同數(shù)字化設(shè)備檢查，非晶硅DR、非晶硒成像系統(tǒng)各100例，兩組均行靜脈腎盂造影60例，逆行腎盂造影25例，逆行膀胱造影15例，其中非晶硅DR 組男64例，女36例，中位年齡46歲；非晶硒成像組男61 例，女39 例，中位年齡44 歲，兩組病例在性別、年齡上差
放射學(xué)實(shí)踐 2013年5期2013-11-03
- 第12屆中國光伏大會暨國際光伏展覽會優(yōu)秀論文選登（十）PECVD法非晶硅薄膜對太陽能級n型直拉單晶硅片鈍化效果的研究
引言異質(zhì)結(jié)氫化非晶硅/晶硅太陽電池的關(guān)鍵技術(shù)之一是在氫化非晶硅/晶硅異質(zhì)結(jié)界面內(nèi)插入一層高質(zhì)量的本征氫化非晶硅薄膜(i-a-Si:H)，以減少硅片表面復(fù)合速率和界面態(tài)密度，提高太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。摻雜非晶硅薄膜的隙態(tài)密度高達(dá)1018cm?3，與晶體硅片形成界面的懸掛鍵和缺陷態(tài)密度高，具有較高的復(fù)合電流，可增加暗隧穿泄漏電流。本征a-Si:H層的隙態(tài)密度僅為1015～1016cm?3，能極大地抑制隧穿電流[1]；相對摻雜非晶硅薄膜，高質(zhì)量的本征非晶硅薄膜與晶
太陽能 2013年1期2013-09-13
- 應(yīng)用于低成本非晶硅薄膜太陽能電池組件生產(chǎn)的大批量并行生產(chǎn)工藝
本、高效率生產(chǎn)非晶硅薄膜組件的特定生產(chǎn)工藝，即緊湊集成單室、多片的大規(guī)模并行處理工藝，在真空室里利用PECVD實(shí)現(xiàn)a-Si的沉積。作為集成生產(chǎn)系統(tǒng)的一部分，這種工藝已經(jīng)在CGSOLAR的威海非晶硅薄膜電池組件生產(chǎn)線上使用。這套生產(chǎn)設(shè)施生產(chǎn)的組件：單節(jié)/雙節(jié)，面積0.79m2，在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下穩(wěn)定轉(zhuǎn)換效率達(dá)到7.5%。本文通過生產(chǎn)成本的分析以及表現(xiàn)出的良好生產(chǎn)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)和組件性能說明了非晶硅薄膜電池組件集成生產(chǎn)系統(tǒng)的性能。1 生產(chǎn)工藝1.1 工藝選擇相比晶體硅
江蘇陶瓷 2013年1期2013-08-29
- 非晶硅與晶硅太陽電池發(fā)電比較分析
晶硅、多晶硅和非晶硅三種。其中，非晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率相對較低，但因具有制造成本低、能源消耗回收期短[2]、年發(fā)電量高等優(yōu)點(diǎn)，其應(yīng)用倍受青睞。用戶購買太陽電池時，額定輸出功率成為考查電池的指標(biāo)，但該指標(biāo)是指在標(biāo)準(zhǔn)測試條件下的額定輸出功率，即在標(biāo)準(zhǔn)光強(qiáng)下的測試數(shù)據(jù)，AM1.0(1000W/m2)。實(shí)際上，在戶外使用太陽電池時，光照并非都能達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)條件，隨著天氣的變化，太陽電池的輸出功率也隨即變化。只以額定功率判斷電池好壞，并不能如實(shí)地反映其性能。在室外
太陽能 2013年7期2013-05-12
- 超高濃度鈦摻雜硅薄膜的制備及光電特性研究
濃度摻鈦的氫化非晶硅薄膜，實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)的均勻分布和摻雜層厚度的控制，并初步研究薄膜的光電特性。該研究工作對要求高濃度均勻摻雜的新概念中間帶太陽電池、稀磁半導(dǎo)體[5,6]等具有重要意義。二 實(shí)驗(yàn)摻鈦非晶硅薄膜采用熱絲化學(xué)氣相沉積和直流磁控濺射相結(jié)合的技術(shù)制備。熱絲化學(xué)氣相沉積的氣源方向與直流磁控濺射靶材表面法線位于相互垂直的兩個方向。襯底表面法線與熱絲氣源方向的夾角為8?，與直流磁控濺射靶材表面法線夾角為82?，以盡量減少濺射損傷。非晶硅薄膜通過熱絲化學(xué)氣相沉積
太陽能 2013年1期2013-03-10
- 天津市光伏發(fā)電小區(qū)、公建將陸續(xù)并網(wǎng)
最大的建筑屋頂非晶硅并網(wǎng)發(fā)電站，也是天津市首家公建實(shí)現(xiàn)并網(wǎng)的光伏發(fā)電站。站內(nèi)鋪設(shè)了總面積36000平方米的近4萬塊非晶硅光伏組件。在進(jìn)入商業(yè)試運(yùn)行后，該站發(fā)電量為30多萬千瓦時。小區(qū)：位于西青區(qū)張家窩鎮(zhèn)的家賢里小區(qū)。采用太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)在樓頂安裝8780余平方米太陽能電池板，年發(fā)電量可達(dá)159萬千瓦時，如果經(jīng)轉(zhuǎn)換后并入國家電網(wǎng)，相當(dāng)于每年可節(jié)約原煤724噸，減排二氧化碳1300余噸。個人：電力部門正式接受了濱海新區(qū)的一名居民申請并實(shí)地進(jìn)行了勘察，業(yè)主已經(jīng)
資源節(jié)約與環(huán)保 2013年3期2013-01-28
- 拆機(jī)電池與非晶硅太陽能電池板的組合應(yīng)用
，將拆機(jī)電池與非晶硅太陽能電池板結(jié)合，并使用菲涅爾透鏡，制作成高效便攜式充電器，滿足人們在無市電的情況下，對手機(jī)、MP3等常用小電器充電的需求。2 整體方案設(shè)計(jì)與電池介紹2.1 整體方案簡述整體方案設(shè)計(jì)分為3個模塊，即電池管理模塊、DC－DC升壓模塊和太陽能充電管理模塊。2.2 18650拆機(jī)電池介紹筆記本電腦中常用的18650可充電電池具有以下一些特性。單節(jié)標(biāo)稱電壓一般為：3.7V；最小放電終止電壓一般為：2.75V；最大充電終止電壓：4.20V；容量：
綠色科技 2012年9期2012-11-16
- 薄膜光伏組件發(fā)電特性實(shí)證性研究
太陽電池相比，非晶硅薄膜太陽電池具有生產(chǎn)成本低、制造溫度低(200℃以下)、原材料消耗少[1]等優(yōu)點(diǎn)，同時，由于其材料與電池可以同步完成，因此便于大規(guī)模生產(chǎn)[2]。此外，由于非晶硅薄膜電池良好的延展性，應(yīng)用范圍更加廣泛，適合于大型荒漠電站以及與建筑結(jié)合的光伏發(fā)電系統(tǒng)[3]。當(dāng)然，與晶體硅組件相比，非晶硅薄膜電池組件的穩(wěn)定轉(zhuǎn)換效率低，為7%～9%[4]，因此，相同容量的晶體硅發(fā)電系統(tǒng)和非晶硅薄膜發(fā)電系統(tǒng)相比，薄膜發(fā)電系統(tǒng)所需要的太陽輻照面積更大，因此需要占用
太陽能 2012年13期2012-05-12
- 大功率太陽能建筑一體化光伏并網(wǎng)電站發(fā)電數(shù)據(jù)分析研究
要采用單晶硅和非晶硅光伏組件。工業(yè)園內(nèi)還安裝了部分多晶硅光伏組件，總計(jì)約為10kWp，但并未并網(wǎng)發(fā)電。本文分析了電站自2010年11月項(xiàng)目建成投產(chǎn)至2011年10月單晶硅及多晶硅光伏組件在一年時間內(nèi)的發(fā)電情況。圖1 武漢日新工業(yè)園各主要樓宇圖二 并網(wǎng)光伏電站系統(tǒng)本系統(tǒng)中太陽電池板均由武漢日新科技股份有限公司生產(chǎn)。單晶硅光伏組件總面積2389.87m2，組件功率總計(jì)336.96kWp；非晶硅光伏組件總面積7454.78m2，組件功率總計(jì)453.99kWp。單
太陽能 2012年13期2012-05-12
- 硅基薄膜太陽電池(四)
的拉曼峰。對于非晶硅的拉曼譜中，多種振動模式都會被激活。波數(shù)從高到低，480cm?1的峰位是對應(yīng)橫光學(xué)模(TO)的峰位，其峰位的寬窄以及移動反映非晶硅膜內(nèi)的無序程度。若譜峰加寬并向低波數(shù)位移，則表示無序度在增加。410cm?1的峰位對應(yīng)縱光學(xué)模(LO)，而300～310cm?1的峰位則對應(yīng)縱聲學(xué)模(LA)，LO和LA模式描述膜中的缺陷態(tài)情況；峰位在150～170cm?1附近的對應(yīng)橫聲學(xué)模(TA)，它描述薄膜中有序度的情況，其強(qiáng)度越低有序度越高，尤其是與橫光
太陽能 2012年9期2012-05-12
- 355 nm YAG皮秒脈沖激光晶化非晶硅薄膜的研究*
晶層的制備，以非晶硅為前驅(qū)物的低溫晶化技術(shù)如選區(qū)激光晶化和金屬誘導(dǎo)晶化是非常有潛力的低成本晶化技術(shù)，同時也是研發(fā)和生產(chǎn)多晶硅薄膜電池的最佳選擇。金屬誘導(dǎo)晶化具有價格低廉、易實(shí)現(xiàn)大面積均勻制備多晶硅的優(yōu)點(diǎn)，但由殘余金屬和其它原因造成的晶體缺陷較多，所以晶粒尺寸通常小于激光晶化法制備的[5-6]。激光晶化具有獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，主要表現(xiàn)在：激光晶化屬于硅熔體的再結(jié)晶，所獲得的多晶硅薄膜的結(jié)晶質(zhì)量較好[7-8]；晶化時間短，對襯底的熱沖擊小，可以使用玻璃或塑料等廉價襯底
- 硅基薄膜太陽電池(五)
陽的強(qiáng)度去光照非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池，進(jìn)行加速老化的實(shí)驗(yàn)(圖21b)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，非晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率隨光照時間的增長而明顯下降，強(qiáng)光照100h后，效率下降近一半。而微晶硅電池的穩(wěn)定性則較好，這應(yīng)該與微晶硅的結(jié)構(gòu)有序及其內(nèi)H含量較少有關(guān)。② H與S-W效應(yīng)的關(guān)系光照產(chǎn)生新懸掛鍵的機(jī)制，已有好幾種模型被提出予以解釋，但至今尚沒有一個統(tǒng)一的模型能夠涵蓋所發(fā)表過的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。關(guān)于新生懸掛鍵的形成，一個最易于理解的模型，即是Si-Si弱鍵斷裂模型[24]。弱鍵斷裂
太陽能 2012年11期2012-03-10
- 我國非晶硅平板探測器全產(chǎn)業(yè)鏈建成投產(chǎn)
我國首首條非晶硅平板探測器全產(chǎn)業(yè)鏈已由坐落于的張江醫(yī)療器械園的上海奕瑞光電子科技有限公司建成并正式投產(chǎn)。2012年9月12日舉行了閃爍體項(xiàng)目投產(chǎn)剪彩儀式和新產(chǎn)品發(fā)布會?？萍疾可绨l(fā)司醫(yī)藥處處長張兆豐，中國醫(yī)療器械行業(yè)協(xié)會副理事長、中國醫(yī)療器械產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長姜峰，上海張江（集團(tuán)）有限公司副總經(jīng)理葉千軍，中華醫(yī)學(xué)會上海影像技術(shù)學(xué)會顧問曹厚德教授，上海市科學(xué)技術(shù)委員會副主任徐祖信等領(lǐng)導(dǎo)分別致辭。對奕瑞公司跟蹤國際新技術(shù)，大膽創(chuàng)新，勇攀高峰，建成數(shù)字影像的關(guān)
中國醫(yī)療器械雜志 2012年5期2012-01-26
- 非晶硅太陽電池邊絕緣設(shè)備研究
自從1976年非晶硅太陽電池誕生以來,到現(xiàn)在已經(jīng)有30多年的歷史，非晶硅太陽電池是薄膜類太陽電池中最成熟，并已大規(guī)模生產(chǎn)的電池品種，單條生產(chǎn)能力從1MW提高到25MW～30MW，低成本的非晶硅在市場上占據(jù)著一定的優(yōu)勢。隨著太陽電池的質(zhì)量不斷提高，人們對電池的要求越來越規(guī)范，非晶硅電池的工藝技術(shù)和封裝技術(shù)不斷在進(jìn)步。二、非晶硅電池的邊絕緣工藝技術(shù)一般傳統(tǒng)方式是采用噴砂或者砂輪磨的方式來實(shí)現(xiàn)，將電池周邊活性薄膜清除的目的，使電池薄膜與玻璃邊緣之間有約10mm～
資源節(jié)約與環(huán)保 2011年5期2011-08-22
- 薄膜太陽能電池在荒漠電站的應(yīng)用前景分析
可獲取性較低，非晶硅薄膜電池原材料易得、光電轉(zhuǎn)換效率相對較低，但弱光響應(yīng)相對較好，生產(chǎn)成本和生產(chǎn)能耗均遠(yuǎn)低于晶硅電池，最近一兩年發(fā)展勢頭強(qiáng)勁。太陽能電池分類見表1。表1 太陽能電池分類2 非晶硅/微晶硅薄膜電池非晶硅薄膜太陽能電池是一種以非晶硅化合物為基本組成的薄膜太陽能電池，光電轉(zhuǎn)換效率較低而且隨光照時間的延續(xù)衰減較快；隨著科技發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步，疊層太陽能電池技術(shù)解決了非晶硅薄膜電池的光電轉(zhuǎn)換效率低和光致衰退效應(yīng)快的問題。非晶硅/微晶硅雙結(jié)疊層太陽能電池就
電力勘測設(shè)計(jì) 2011年4期2011-05-31
- 薄膜太陽能電池的研究現(xiàn)狀 與 分析
陽能電池1%的非晶硅薄膜太陽能電池，從而非晶硅成為突破原料瓶頸的出路，太陽能電池薄膜化是降低成本的主要發(fā)展方向。1 薄膜太陽能電池在國外的發(fā)展1969年Chitick等人闡述了硅烷輝光放電方法制備的a-Si:H薄膜的半導(dǎo)體性質(zhì)。隨后，Spear和LeComber于1975年報道了a-Si:H薄膜的摻雜特性，獲得了n型和p型的薄膜材料，1976年美國RCA公司的Carlson和Wronski宣告了a-Si:H薄膜太陽電池的誕生。此后，薄膜太陽能電池成為太陽能
資源節(jié)約與環(huán)保 2011年4期2011-02-16
- 非晶硅薄膜太陽能電池穩(wěn)定性技術(shù)研究
晶硅、多晶硅、非晶硅薄膜以及化合物太陽能電池均已被研制開發(fā)，眾多研究機(jī)構(gòu)的高轉(zhuǎn)換效率太陽能電池的相關(guān)報道經(jīng)常出現(xiàn).在各種太陽能電池中，綜合考慮轉(zhuǎn)換效率成本、長期經(jīng)濟(jì)效益以及技術(shù)因素等，非晶硅薄膜太陽能電池優(yōu)勢凸顯，其材料豐富、電池成本低、有利于大規(guī)模生產(chǎn)，目前已有眾多非晶硅薄膜太陽能電池生產(chǎn)線在我國投入使用[2]，如無錫尚德、江西賽維、新奧，以及近期在北京、洛陽、重慶和杭州等地投入的大型非晶薄膜太陽能電池生產(chǎn)線.目前，國內(nèi)硅薄膜電池的研究工作雖然并不落后，
湖北民族大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版) 2011年3期2011-01-18
- 非晶硅薄膜電池在MWP級光伏電站的應(yīng)用
010020)非晶硅薄膜電池在MWP級光伏電站的應(yīng)用張燕娜(內(nèi)蒙古電力勘測設(shè)計(jì)院,呼和浩特 010020)結(jié)合中節(jié)能阿拉善盟孿井灘 10MW p光伏并網(wǎng)發(fā)電項(xiàng)目工程,光伏組件分別采用多晶硅與非晶硅薄膜電池各5MW p,通過設(shè)計(jì)計(jì)算,對比多晶硅,綜合考慮組件價格,陣列占地面積,年發(fā)電量等經(jīng)濟(jì)指標(biāo)得出,非晶硅薄膜電池在MW P級光伏電站的應(yīng)用發(fā)展前景可觀。非晶硅;薄膜電池 ;光伏電池;發(fā)電量1975年 Spear和Lecom ber用輝光放電法制備出性能優(yōu)良的
重慶與世界 2010年11期2010-12-25
- 冉冉升起的薄膜太陽能光伏產(chǎn)業(yè)
召開了沈陽漢鋒非晶硅薄膜太陽能光伏板產(chǎn)業(yè)化示范項(xiàng)目推介會。國務(wù)院研究室、科技部、環(huán)保部、國家發(fā)改委等部門的有關(guān)司局，國家能源專家咨詢委員會、國家發(fā)改委宏觀院、能源研究所、遼寧省發(fā)改委、北京市發(fā)改委、全國人大法工委經(jīng)濟(jì)室、中國資源綜合利用協(xié)會、資源節(jié)約與代用專委會、北京百瑞律師事務(wù)所等有關(guān)單位專家領(lǐng)導(dǎo)和企業(yè)代表參加了會議。會議聽取了沈陽漢鋒新能源技術(shù)有限公司董事長李杰、總工程師賴勇建關(guān)于非晶硅薄膜太陽能光伏板專有工藝技術(shù)、成套設(shè)備引進(jìn)、消化、吸收、創(chuàng)新、國產(chǎn)
中國經(jīng)貿(mào)導(dǎo)刊 2009年8期2009-06-16
- 硅薄膜晶體管液晶顯示器的發(fā)展
T)中的一種，非晶硅用于制作薄膜晶體管液晶顯示器技術(shù)的成熟，使非晶體薄膜晶體管液晶顯示器在薄膜晶體管液晶顯示器的市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位，而非晶硅薄膜晶體管由于其低遷移率、電導(dǎo)率等性能，嚴(yán)重制約了薄膜晶體管液晶顯示器的發(fā)展，尋找合適的替代品，追求高遷移率和高電導(dǎo)率一直是研究人員關(guān)注的焦點(diǎn)，在此基礎(chǔ)上，多晶硅、微晶硅相繼發(fā)展，雖然在一定程度上暫時解決了遷移率、電導(dǎo)率低的問題，但因多晶硅、微晶硅的價格昂貴、材料短缺，因而未能動搖非晶硅的主導(dǎo)地位，隨后的納米硅薄膜晶
物理 2009年3期2009-05-21