張　為　姚素英　張生才　趙毅強(qiáng)　張維新

摘要：采用有限元分析工具ANSYS完成了一種矩形彈性膜絕緣體上硅(S01)高溫壓力傳感器的優(yōu)化設(shè)計(jì)，制作出樣品，并與相同結(jié)構(gòu)、工藝的多晶硅壓力傳感器進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試．結(jié)果表明：1：2的膜片寬長比可以使SOI壓力傳感器的靈敏度達(dá)到220mV／MPa，遠(yuǎn)大于多晶硅壓力傳感器的靈敏度(約50 mV／MPa)．此外，該傳感器能夠工作在200℃的高溫環(huán)境中，有良好的長期穩(wěn)定性，30d內(nèi)的零點(diǎn)時(shí)間漂移為0．12％．關(guān)鍵詞：壓力傳感器；絕緣體上硅；高溫；有限元分析中圖分類號(hào)：TN379文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：0253—987X(2004)02—0178—03