硅納米晶及納米結(jié)構(gòu)在微電子設(shè)計中的應(yīng)用

Koshida

Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures

2009

Hardback

ISBN9780387786889

Koshida著

在納米尺度,半導(dǎo)體器件將會呈現(xiàn)出不同于宏觀尺度的光學(xué)、電學(xué)性能,充分利用這些性能可以制備很多具有特殊用途的器件。本書分別介紹了硅納米晶及其納米結(jié)構(gòu)在光電器件、電子器件及功能器件等三方面的應(yīng)用。

本書共11章,1.介紹了富硅介質(zhì)在有源光電器件中的應(yīng)用。本章比較了富硅氧化物和富硅氮化物在晶體結(jié)構(gòu)、發(fā)光效應(yīng)和發(fā)光效率的區(qū)別,認(rèn)為發(fā)光效應(yīng)及效率主要來自硅納米晶,并指出硅納米晶結(jié)構(gòu)在有源光電器件中的重要作用;2.硅納米結(jié)構(gòu)的場致發(fā)光器件,介紹了多空納米硅、富硅氧化物或氮化物、硅超晶格等硅結(jié)構(gòu),分析了硅納米晶結(jié)構(gòu)場致發(fā)光器件中的作用,硅納米晶作為激發(fā)物而不是發(fā)光物質(zhì);3.介紹了si/sio2超晶格結(jié)構(gòu)的光學(xué)性能、制備過程和采用的技術(shù)以及它的發(fā)展前景;4.首先介紹了納米硅結(jié)構(gòu)在注入式激光器設(shè)計中的作用,然后進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)分析得到了大量的數(shù)據(jù),最后指出了納米硅在激光器制造中的應(yīng)用前景;5.介紹了硅單電子器件,這種器件可以對單電子進(jìn)行控制,具有優(yōu)越的性能,應(yīng)用前景很廣,目前比較典型的是應(yīng)用在存儲和邏輯器件上;6.spin-based 硅晶體管,分別介紹了幾種新型的硅晶體管及其性質(zhì);7.首先從納米尺度分析了電子在硅納米晶的傳輸特性,然后介紹了電子在硅納米晶陣列上的傳輸特性;8.首先介紹了硅納米晶永久性存儲器的發(fā)展歷史,分析了將自上而下和自下而上兩種設(shè)計方法進(jìn)行集合的應(yīng)用前景以及自組裝硅納米晶在Flash制造中的應(yīng)用;9.首先介紹了BSD的性能及其發(fā)光機(jī)理,然后分析了器件發(fā)光效率和納米結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系,最后著重介紹了玻璃基BSD;10.介紹了多孔硅光電器件的結(jié)構(gòu)和基本性能,以及在label-free生物傳感器中的應(yīng)用;11.介紹了一種基于多孔硅納米晶的超聲發(fā)射器。

作者nobuyoshi koshida 1943年出生于日本北海道,分別于1966、1968、1973獲得了東京大學(xué)工學(xué)學(xué)士、電子工程碩士和博士學(xué)位。1981年他進(jìn)入東京農(nóng)工大學(xué)電機(jī)系任教,1988年成為電子工程專業(yè)教授,2002年成為工學(xué)研究生院納米科學(xué)與技術(shù)教授。他分別于1992-1993年在馬薩諸塞學(xué)院,1993年在卡文迪實(shí)驗(yàn)室,1996年在法國傅立葉大學(xué)擔(dān)任客座教授。他發(fā)表的文章,出版的專著合計超過280余篇,目前他擔(dān)任ECS日本分會主席,是日本應(yīng)用物理協(xié)會理事、美國材料學(xué)會及美國物理協(xié)會成員。

本書是一本論文匯編,所收錄的論文是由相關(guān)領(lǐng)域的專家完成的,對于從事微電子設(shè)計、納米技術(shù)研究的人有重要的參考價值。

劉軍濤,博士生

(中國科學(xué)院電子學(xué)研究所)

Liu juntaoDoctoral Candidate

(Institute ofElectronics,,CAS)