美光科技第三代低延時內(nèi)存

美光科技（Micron Technology,Inc）推出了第三代低延時DRAM（RLDRAM 3內(nèi)存)——一種高帶寬內(nèi)存技術(shù)，能更有效的傳輸網(wǎng)絡(luò)信息。視頻內(nèi)容、移動應(yīng)用和云計算的蓬勃發(fā)展，對網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施提出了更高效的要求，以便在線傳輸大量數(shù)據(jù)。與前幾代產(chǎn)品相比，美光新的RLDRAM 3內(nèi)存進(jìn)一步提高了存儲密度和速度，同時最大限度地減少了延遲，降低了功耗，在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中性能更好。

美光的DRAM營銷副總裁Robert Feurle說："隨著互聯(lián)網(wǎng)內(nèi)容消費(fèi)的不斷增長，人們?nèi)找嫘枰幸环N能支持網(wǎng)絡(luò)流量增長的技術(shù)，美光的RLDRAM 3內(nèi)存滿足了這種需求"。

對于現(xiàn)有的RLDRAM 2，美光將繼續(xù)提供最高水平的技術(shù)支持，并計劃長期生產(chǎn)該產(chǎn)品。此外，美光正將其RLDRAM 2產(chǎn)品組合轉(zhuǎn)入更先進(jìn)的50 nm工藝，提高系統(tǒng)性能，降低功耗。

美光新的RLDRAM 3內(nèi)存的主要特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)有：低延時：tRC不足10 ns，是業(yè)界最低的隨機(jī)存取延時；高密度：576 Mb～1Gb，靈活性高，可用于多種設(shè)計；高速率：達(dá)2133 Mb/s，數(shù)據(jù)存取速度更快；高能效：1.2 V IO和1.35 V內(nèi)核電壓，更省電。

美光維持著龐大的合作伙伴網(wǎng)絡(luò)，使其RLDRAM存儲解決方案能更方便地與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備集成。美光與其合作伙伴展開了廣泛合作，為客戶提供量身定制的解決方案，優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)性能。作為這個價值生態(tài)系統(tǒng)的一部分，美光目前合作的領(lǐng)先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx，RLDRAM 3內(nèi)存可集成到其產(chǎn)品系列中。

美光預(yù)計將在2011年上半年開始對其RLDRAM 3進(jìn)行抽樣，目前正與客戶合作，征求其對RLDRAM 3內(nèi)存設(shè)計的意見。此外，美光預(yù)計將在2010年第四季度開始對其50nm RLDRAM 2產(chǎn)品進(jìn)行抽樣。