Intel同美光將在2019年停止NAND flash技術(shù)合作

1月9日，Intel宣布和美光的NAND flash合作將在2018年完成第三代3D NAND flash的研發(fā)后終止。目前，英特爾和美光正在進(jìn)行的第二代64層3D NAND flash的增產(chǎn)工作將不會受此影響。由于Intel和美光都是NAND flash領(lǐng)域前五大企業(yè)，兩家企業(yè)相關(guān)技術(shù)合作的終止可能對未來相關(guān)市場格局造成重大影響。

目前，NAND flash是被廣泛使用的非易失性存儲器產(chǎn)品，產(chǎn)品被廣泛使用在智能手機、個人電腦、平板電腦、數(shù)據(jù)中心等市場中，2017年全球NAND flash產(chǎn)品銷售額高達(dá)550億美元?，F(xiàn)今，NAND flash已經(jīng)發(fā)展至1X nm工藝制程，但是由于先進(jìn)工藝制程造成了NAND氧化層越來越薄、可靠性越來越差的問題。為提高存儲器的容量、性能、可靠性，各大NAND flash已經(jīng)開始通過堆疊形式研發(fā)和生產(chǎn)3D NAND flash產(chǎn)品。Intel和美光共同開發(fā)的最新第三代3D NAND flash預(yù)計將達(dá)96層設(shè)計。

結(jié)合早在2012年，Intel就已經(jīng)將其所持的雙方合資企業(yè) IMFT 的全部股份賣給了美光，以及后來Intel未參與美光16nm平面NAND的研發(fā)。很可能是Intel在經(jīng)營理念上與美光不同，Intel傾向于將芯片應(yīng)用于自己生產(chǎn)的SSD，而美光則更傾向于作為供應(yīng)商參與競爭，之后導(dǎo)致了兩家企業(yè)在選擇新一代技術(shù)路線上的分歧，并最終導(dǎo)致了Intel與美光的“分手”。

存儲器領(lǐng)域，Intel和美光除在3D NAND flash技術(shù)的合作，還在3D XPoint技術(shù)進(jìn)行著前沿技術(shù)的研究。3D XPoint是自1989年NAND flash技術(shù)面世以來首款基于全新技術(shù)研發(fā)的非易失性存儲器技術(shù)。該技術(shù)集現(xiàn)有存儲器技術(shù)在性能、功耗、密度、非易失性、可靠性、成本等方面的優(yōu)勢于一身，未來面世后將成為一種優(yōu)異的存儲器產(chǎn)品?；诖?，Intel和美光在3D XPoint技術(shù)上合作的成功將極大提升兩家企業(yè)在存儲器領(lǐng)域的行業(yè)競爭力。所以3D XPoint技術(shù)路線將成為兩家企業(yè)未來繼續(xù)合作的重點。

為了加強在中國NAND flash市場的地位，Intel早先計劃提升其在大連的12英寸晶圓廠的產(chǎn)能。有媒體透露，Intel將考慮和中國相關(guān)存儲器企業(yè)合作，通過技術(shù)授權(quán)的方式以便在與美光的合作結(jié)束后能夠快速地在中國生產(chǎn)3D NAND芯片。若消息屬實，將有利于中國相關(guān)存儲器企業(yè)的研發(fā)進(jìn)度。

（賽迪智庫）