• 
    

    
    

      99热精品在线国产_美女午夜性视频免费_国产精品国产高清国产av_av欧美777_自拍偷自拍亚洲精品老妇_亚洲熟女精品中文字幕_www日本黄色视频网_国产精品野战在线观看

      ?

      新型雙極性高壓快脈沖源的基本理論和實驗

      2011-03-24 05:34:18張海燕
      核技術(shù) 2011年7期
      關(guān)鍵詞:寄生電容分布電容導(dǎo)通

      趙 濤 張海燕 邵 杰 蔡 平

      1(中國科技大學(xué)國家同步輻射實驗室 合肥230029)

      2(中國科學(xué)院強磁場科學(xué)中心 合肥 230031)

      大功率雙極性脈沖源在廢氣處理、食品殺菌、材料改性、PDP等很多領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用[1–8]。目前,此類脈沖源的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,脈沖邊沿不夠陡峭,效率較低[9–11]?;诠虘B(tài)器件的脈沖發(fā)生器因其效率高、控制靈活、體積較小等優(yōu)點而廣受關(guān)注[1,12–14],文獻[9]提出兩個多級結(jié)構(gòu)結(jié)合起來以實現(xiàn)正或負的輸出脈沖,邊沿時間很快,但結(jié)構(gòu)復(fù)雜,且其的固態(tài)器件是硬開關(guān),效率低。文獻[1]對此作了改進,在一個拓撲中實現(xiàn)雙極性輸出,但結(jié)構(gòu)依然復(fù)雜,且很難實現(xiàn)多個開關(guān)的同步?;诠虘B(tài)器件的脈沖發(fā)生器壽命長,工作穩(wěn)定,通過對輸入方波微分或通過短路傳輸線可產(chǎn)生雙極性脈沖源,但須增加輸入方波電路,使電路復(fù)雜化[15]。在文獻[16, 17]中,為產(chǎn)生高壓輸出脈沖,還引入高壓直流電壓,也增加了電路的復(fù)雜性。文獻[10]給出了一種性能良好的大功率雙極性脈沖源,但功率器件工作于硬開關(guān)狀態(tài)。

      在很多應(yīng)用中需要陡峭的脈沖沿,陡峭的脈沖沿可抑制二次電子發(fā)射,從而減小能耗;在細胞試驗中,陡峭的脈沖沿能降低細胞死亡率。周期性矩形高壓脈沖用于KPT晶體反轉(zhuǎn),要求脈沖上升沿陡峭,以利于電疇的快速形成,提高極化反轉(zhuǎn)質(zhì)量[18]。

      本文利用固態(tài)器件分布電容小的特性以及快恢復(fù)二極管的高速特性研制雙極性源,分析和仿真結(jié)果表明該脈沖源有如下特點:升壓比高、電壓應(yīng)力小、結(jié)構(gòu)較簡單、效率高、輸出脈沖邊沿陡峭、頻率較高、正負對稱,寄生電容和輸入電感的諧振可使開關(guān)器件軟開通。

      1 基本結(jié)構(gòu)與電路分析

      該雙極性源由兩個boost變換器交錯并聯(lián)而成,圖 1是其基本結(jié)構(gòu)。設(shè)濾波電容 C1、C2的電壓為UC。當(dāng) M1導(dǎo)通、M2斷開、D2續(xù)流時,負載 A端高出B端電位UC;反過來,負載端B高出A端電位UC;M1和M2均導(dǎo)通,則負載上無壓降。通過控制兩開關(guān)的切換,就能在負載上得到脈沖輸出。

      圖1 雙極性源的基本結(jié)構(gòu)Fig.1 Basic topology of the bipolar HV source.

      為獲得高壓,占空比須很高。實際上,為獲得軟開關(guān),電感電流必須反向,使M1和M2的寄生電容放電。如忽略寄生電容,這相當(dāng)于脈沖源工作在電感電流不連續(xù)模式。有一種簡單的辦法計算輸出電壓,即考慮等效電阻。我們知道,對 boost變換器,續(xù)流二極管(D1或D2)的導(dǎo)通占空比為

      D是主開關(guān)M1和M2的占空比,τL= L/(RT)。一個周期內(nèi)的平均電導(dǎo)是[0×(T?D2T)+D2T/R]/T=D2/R,所以脈沖源等效到直流源的負載電阻為

      因此,根據(jù) boost變換器的增益公式,脈沖源的輸出電壓幅值是

      2 軟開關(guān)

      實際的脈沖源如圖2所示。由于功率管(MOS、IGBT等)都具有一定的寄生電容,可利用寄生電容實現(xiàn)脈沖源的軟開關(guān)功能,具體分析如下。

      圖2 實際脈沖源Fig.2 The practical converter.

      (1) t0?t1:t0時刻,M關(guān)斷,M2導(dǎo)通,此時二極管D1續(xù)流。濾波電容C1和寄生電容Cr1充電至UC。t1時刻充電結(jié)束,iL1(t1)=0,所以 Ucr1(t1)=UC,dUcr1(t1)/dt=0。

      (2) t1?t2:由于耦合電感的作用,iL1反向,M1的寄生電容Cr1放電,M1、D1截至,M2導(dǎo)通。則有:

      t2時寄生電容放電結(jié)束。必須指出,電路的分布電容有很大影響,這里未作考慮。

      (3) t2?t3:寄生電容放電結(jié)束后,在電感電流的作用下,反向二極管保持導(dǎo)通因此電感電流將線性變化。選擇在寄生電容放電結(jié)束后驅(qū)動 MOS管導(dǎo)通,就能實現(xiàn)軟導(dǎo)通。

      3 結(jié)果和討論

      圖3為該雙極性源的仿真結(jié)果。仿真條件是:開關(guān)頻率20kHz,占空比D=0.98,電感 L= 50mH,負載500W。試驗條件是:輸入電壓10V,負載電阻500W,開關(guān)頻率20kHz,輸出電壓530V。實驗中,用互感器替代電感,利用互感能量加速下降沿的下降速度(圖2)。

      圖3 雙極性源仿真結(jié)果 a,驅(qū)動電壓UGS1,UGS2;b, 管壓降UDS1,UDS2;c, 電感電流iL1, iL2;d, 輸出電壓URFig.3 Simulation results of the bipolar HV source.a, drive voltage UGS1 and UGS2;b, voltages on M1 and M2;c, currents of the inductors;d, output voltage.

      圖4(a)是實測的電阻兩端的輸出電壓脈沖,圖4(b)是展開后的輸出脈沖波形,前沿約50ns,脈沖高度約±530V,頂寬400ns,后沿約200ns。由圖5可知,主功率器件(M1和M2)實現(xiàn)了軟開通。

      由于濾波電容是電解電容,容量很大,所以輸出脈沖的頂部較平坦。電解電容的使用也降低了整機的成本和體積。開關(guān)器件的軟開關(guān)不僅有助于降低能耗,更重要的是保護了其本身。這對延長脈沖源的壽命很有意義。

      圖4 輸出(a)電壓, (b)脈沖Fig.4 The output voltage (a) and the expanded pulse (b).

      圖5 軟導(dǎo)通(通道1:管壓降UDS1,通道2:UGS1)Fig.5 The soft turn-on (Ch 1: voltage on M1 UDS1 , Ch 2: drive voltage UGS1).

      為了使脈沖頂部更平坦,整個系統(tǒng)的分布參數(shù)要小。實驗表明,分布電容的影響十分明顯。為減小這一影響,耦合電抗器應(yīng)遠離放置。此外,輸出脈沖的后沿下降速度較慢,這主要是由電路本身的特點決定的。提高驅(qū)動脈沖的速度和功率,能在一定程度上提高邊沿速度。根據(jù)w的表達式,為使寄生電容盡快放電,互感器的電感量要小,而耦合系數(shù)要大。

      1 Canacsinh H, Redondo L M, Silva J F.New solid-state Marx topology for bipolar repetitive high-voltage pulses[C], Power Electronics Specialists Conference, 2008.PESC 2008.IEEE, June 2008, 791–795

      2 Tseng S Y, Wu T F, Chen S S, et al.A combined wide and narrow pulse generator for food processing microbes[C], the 36thIEEE Annual Power Electronics Specialists Conference, June 2005, 375–381

      3 Vardigans S V G, de Cogan D.A bipolar pulse tester for semiconductor devices [J], J Phys E: Sci Instrum, 1986,19: 1016–1019

      4 Beveridge J R, MacGregor S J, Anderson J.G, et al.The influence of pulse duration on the inactivation of bacteria using monopolar and bipolar profile pulsed electric fields[J].Plasma Science, IEEE Transactions on 2005, 33(4)Part 1:1287–1293

      5 Popov E G, Pashkevich A A.The field emission electron source in bipolar power supply [C].The 19thInternational Vacuum Nanoelectronics Conference and the 50thInternational Field Emission Symposium, IVNC/IFES 2006.Technical Digest.July 2006, 77–77

      6 Tae Heung-Sik, Jang Soo-Kwan, Cho Ki-Duck, et al.High-speed driving method using bipolar scan waveform in AC plasma display panel, Electron Devices [J], IEEE Transactions on 2006, 53(2):196–204

      7 Sack M, Stangle R.A bipolar marx generator for a mobile electroporation device.Pulsed Power Plasma Science [C],PPPS 2007.Conference Record - Abstracts.IEEE June 2007, 789–789

      8 Wu T F, Tseng S Y, Wu M W, et al.Narrow pulsed voltage generator for liquid food sterilization [C].Applied Power Electronics Conference and Exposition, The 21stAnnual IEEE, March 2006, 1354–1360

      9 Gaudreau M P J, Jeffrey Casey, Hawkey T, et al.Solid-state pulsed power systems [C], the 23rdInternational Power Modulator Symposium, Rancho Mirage, CA, June 1998, 160–163

      10 Masugata K, Kitamura I, Takahashi T, et al.Development of intense pulsed heavy ion beam accelerator using bipolar pulse for implantation to semiconductor [J],Pulsed Power Plasma Science, 2001.PPPS-2001.Digest of Technical Papers 2001, 1(17–22): 384–387

      11 Chen Liang-Rui, Chu Neng-Yi, Yang Min-Hui, et al.Design of bipolar pulse generator for biomedical applications [C].Industrial Electronics and Applications,the 1stIEEE Conference, May 2006, 1–6

      12 Redondo L M, Fernando Silva J, Tavares P, et al.All Silicon Marx-bank topology for high-voltage,high-frequency rectangular pulses [C], in 36th IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference,1170–1174, June 2005.

      13 Kim J H, Ryu M H, Min B D, et al.High voltage pulse power supply using Marx generator & solid-state switches[C], the 31stIEEE IECON Annual Conference, 2005.

      14 Kim Jong-Hyun, Min Byung-Duk, Shenderey S V, et al.High voltage pulsed power supply using IGBT stacks dielectrics and electrical insulation [J], IEEE Transactions On, 2007, 14(4):921–926

      15 Kuthi A, Gabrielsson P, Behrend M.R, et al.Nanosecond pulse generator using fast recovery diodes for cell electromanipulation [J], Plasma Science, IEEE Transactions on 2005, 33(4) Part 1:1192–1197

      16 Brown J A, A low-cost, high-performance pulse generator for ultrasound imaging [J], IEEE Trans.Ultrasound,Ferroelectronics, and Frequency Control, 2002,49(6):848–851

      17 Behrend M, Kuthi A, Gu X, et al.Pulse generators for pulsed electric field exposure of biological cells and tissues[J], IEEE Trans.Dielectrics and electrical insulation, 2003, 10(5): 820–825

      18 陳亞南, 于建, 倪文俊, 等.用于KTP晶體極化反轉(zhuǎn)的高壓脈沖電源的研究.科學(xué)技術(shù)與工程[J], 2007, 7(6):968–971 CHEN Yanan, YU Jian, NI Wenjun, et al.For the KTP crystal polarization reversal of the high-voltage pulse power supply.Science Technology and Engineering, [J],2007, 7(6): 968–971

      猜你喜歡
      寄生電容分布電容導(dǎo)通
      基于Petri網(wǎng)的無刷直流電機混合導(dǎo)通DSP控制方法
      一起分布電容引起控制回路開關(guān)量異常的原因分析及處理
      電工材料(2021年5期)2021-10-26 07:42:54
      一次試驗引線分布電容對CVT誤差特性的影響
      EMI濾波器的寄生效應(yīng)分析
      機電信息(2020年21期)2020-10-21 03:57:24
      一類防雷場所接地引下線導(dǎo)通測試及分析
      甘肅科技(2020年20期)2020-04-13 00:30:22
      寄生電容對電容式加速度傳感器輸出電壓的影響
      電路中寄生電容的估算方法
      寄生電容對疊層片式陶瓷電感器的影響及提取消除方法研究
      電子制作(2018年8期)2018-06-26 06:43:06
      180°導(dǎo)通方式無刷直流電機換相轉(zhuǎn)矩脈動研究
      電測與儀表(2016年1期)2016-04-12 00:35:12
      高頻變壓器不同繞組結(jié)構(gòu)對分布電容的影響
      鄂伦春自治旗| 陈巴尔虎旗| 常熟市| 嘉荫县| 清涧县| 上栗县| 宜兰市| 夹江县| 宁晋县| 邵东县| 卢龙县| 阳东县| 措美县| 本溪市| 元朗区| 迁西县| 五常市| 东明县| 云南省| 小金县| 岗巴县| 大同县| 新郑市| 河源市| 隆安县| 海原县| 历史| 盐池县| 南和县| 镇宁| 大竹县| 孟州市| 西安市| 保康县| 利辛县| 临武县| 伊吾县| 通河县| 虎林市| 吉水县| 西林县|