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      小間隙磁場(chǎng)測(cè)量的外推方法

      2011-08-07 07:52:34馬益平朱尤省鄭茂盛
      電子測(cè)試 2011年11期
      關(guān)鍵詞:磁強(qiáng)計(jì)磁場(chǎng)強(qiáng)度磁通

      馬益平,朱尤省,鄭茂盛

      (西北大學(xué) 物理學(xué)系, 西安 710069 )

      0 引言

      磁場(chǎng)強(qiáng)度的測(cè)量方法有很多,測(cè)量?jī)x器也各式各樣,常用的有特斯拉計(jì),磁通計(jì)等[1]。這些測(cè)量?jī)x器有一個(gè)共同的特點(diǎn)就是儀器的探頭有一定的尺寸,一般為毫米量級(jí)。因此要測(cè)量比探頭還小的間隙內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度,這些儀器就做不到;比如發(fā)電機(jī)的轉(zhuǎn)子與定子之間的間隙就可以做到0.5mm,0.3mm甚至更小,而特斯拉計(jì)的探頭為毫米量級(jí),其磁場(chǎng)強(qiáng)度的測(cè)量就無(wú)法實(shí)施。

      目前的磁場(chǎng)測(cè)量方法主要有7種[2-3]。

      ① 力矩磁強(qiáng)計(jì):簡(jiǎn)稱(chēng)磁強(qiáng)計(jì)。利用磁場(chǎng)的力效應(yīng)測(cè)量磁場(chǎng)強(qiáng)度或材料的磁化強(qiáng)度。

      ② 磁通計(jì)和沖擊檢流計(jì):用于沖擊法中測(cè)量磁通及磁通密度。測(cè)量時(shí),須人為地使檢測(cè)線(xiàn)圈中的磁通發(fā)生變化。

      ③ 旋轉(zhuǎn)線(xiàn)圈磁強(qiáng)計(jì):在被測(cè)的恒定磁場(chǎng)中,放置一個(gè)小檢測(cè)線(xiàn)圈,并令其作勻速旋轉(zhuǎn)。通過(guò)測(cè)量線(xiàn)圈的電動(dòng)勢(shì),可計(jì)算出磁通密度或磁場(chǎng)強(qiáng)度。測(cè)量范圍為0.1毫特到10特。誤差為0.1%~1%。也可將檢測(cè)線(xiàn)圈突然翻轉(zhuǎn)或快速移到無(wú)場(chǎng)區(qū),按沖擊法原理測(cè)量磁通密度。

      ④ 磁通門(mén)磁強(qiáng)計(jì):由高磁導(dǎo)率軟磁材料制成的鐵心同時(shí)受交變及恒定兩種磁場(chǎng)作用,由于磁化曲線(xiàn)的非線(xiàn)性,以及鐵心工作在曲線(xiàn)的非對(duì)稱(chēng)區(qū),使得纏繞在鐵心上的檢測(cè)線(xiàn)圈感生的電壓中含有偶次諧波分量,特別是二次諧波。此諧波電壓與恒定磁場(chǎng)強(qiáng)度成比例。通過(guò)測(cè)量檢測(cè)線(xiàn)圈的諧波電壓,計(jì)算出磁場(chǎng)強(qiáng)度。

      ⑤ 霍耳效應(yīng)磁強(qiáng)計(jì):半導(dǎo)體矩形薄片放置在與薄片平面垂直的磁場(chǎng)(磁通密度為B)中,若在薄片的相對(duì)兩端面間通以直流電流I,則在另兩端面的相應(yīng)點(diǎn)間產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)E(即霍耳效應(yīng))。當(dāng)I 為常數(shù)時(shí),E與B 有比例關(guān)系,比例系數(shù)與薄片的寬度b,長(zhǎng)度l和厚度d 以及所用材料有關(guān)。材料的這種特性又稱(chēng)為磁敏特性。利用霍耳效應(yīng)制成的磁強(qiáng)計(jì),可測(cè)量1微特到10特范圍內(nèi)的磁通密度值。誤差為0.1%~5%。霍耳片能做得薄而小,可伸入狹窄間隙中進(jìn)行測(cè)量,也可用以測(cè)量非均勻磁場(chǎng)。有磁敏特性的器件,除霍耳片外還有鉍螺線(xiàn)、磁敏二極管等。

      ⑥ 核磁共振磁強(qiáng)計(jì):原子核的磁矩在磁通密度B 的作用下,將圍繞磁場(chǎng)方向旋進(jìn),其旋進(jìn)頻率?0=γB(γ為旋磁比,對(duì)于一定的物質(zhì),它是一個(gè)常數(shù)),若在垂直于B的方向施加一小交變磁場(chǎng),當(dāng)其頻率與?0相等時(shí),將產(chǎn)生共振吸收現(xiàn)象,即核磁共振。由共振頻率可準(zhǔn)確地計(jì)算出磁通密度或磁場(chǎng)強(qiáng)度。這種磁強(qiáng)計(jì)的測(cè)量范圍為 0.1毫特到10特。準(zhǔn)確度很高,誤差低于10-4~10-5,常用以提供標(biāo)準(zhǔn)磁場(chǎng)及作為校驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)。

      ⑦ 磁位計(jì):用于測(cè)量空間a、b兩點(diǎn)間的磁位差,如系均勻磁場(chǎng),可折算出該處的磁場(chǎng)強(qiáng)度。磁位計(jì)也可用來(lái)測(cè)量材料內(nèi)部的磁場(chǎng)強(qiáng)度。由于磁性材料界面處的磁場(chǎng)強(qiáng)度切線(xiàn)分量相等,因此在沿材料表面空間處用磁位計(jì)測(cè)得的磁場(chǎng)強(qiáng)度,就是材料該處內(nèi)部的磁場(chǎng)強(qiáng)度切線(xiàn)分量。磁位計(jì)的結(jié)構(gòu)是將細(xì)絕緣導(dǎo)線(xiàn)均勻繞在非磁性軟帶或硬片上,前者稱(chēng)軟磁位計(jì);后者稱(chēng)硬磁位計(jì)。測(cè)量?jī)x表采用沖擊檢流計(jì)或磁通計(jì)。對(duì)于恒定磁場(chǎng),測(cè)量過(guò)程中須使磁位計(jì)所鏈合的磁通發(fā)生變化。如所測(cè)為均勻磁場(chǎng),則由磁位差折算出磁場(chǎng)強(qiáng)度。磁位計(jì)可在標(biāo)準(zhǔn)均勻磁場(chǎng)中進(jìn)行標(biāo)定,按磁場(chǎng)強(qiáng)度值刻度。

      本文提出了小間隙磁場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)量的外推方法。文中涉及到磁場(chǎng)的環(huán)路定理,據(jù)此建立了小間隙的磁場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)量的外推方法。

      1 磁場(chǎng)強(qiáng)度的測(cè)量

      1.1 小間隙磁場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)量的基本原理

      安培環(huán)路定理指出:磁感應(yīng)強(qiáng)度沿任意閉合環(huán)路L的線(xiàn)積分,等于穿過(guò)這個(gè)環(huán)路所有電流的代數(shù)和的倍。用磁場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)表示如下[4],

      其中電流的正負(fù)規(guī)定如下:當(dāng)穿過(guò)回路L的電流方向與回路L的環(huán)繞方向服從右手法則是I取正,反之取負(fù)。如果電流不穿過(guò)回路,那么它對(duì)式(1)右端沒(méi)有貢獻(xiàn)。磁介質(zhì)中的安培環(huán)路定理在實(shí)驗(yàn)?zāi)P椭型瑯舆m用,下面對(duì)實(shí)驗(yàn)?zāi)P蛠?lái)具體分析。

      考慮模型中的一對(duì)磁極,可以用一個(gè)簡(jiǎn)單的模型來(lái)等效,如圖1所示。

      圖1中,1、2分別代表實(shí)驗(yàn)?zāi)P椭械拇艠O1、2,3代表定子;設(shè)磁場(chǎng)線(xiàn)通過(guò)磁極的長(zhǎng)度為磁場(chǎng)強(qiáng)度為通過(guò)定子的長(zhǎng)度為 l 2 ,磁場(chǎng)強(qiáng)度為間隙的長(zhǎng)度為3磁場(chǎng)強(qiáng)度為由安培環(huán)路定理可以得到:

      由介質(zhì)中B和H的關(guān)系可得:

      由磁感應(yīng)強(qiáng)度B法向連續(xù)可得:

      式(4)就可以表示為:

      磁場(chǎng)強(qiáng)度B0就可以表示為:

      令:

      則B0可以表示為:

      對(duì)式(9)求倒數(shù)得:

      圖1 小間隙磁場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)量原理示意圖

      1.2 小間隙內(nèi)磁場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)量的外推法

      發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子與定子之間的磁場(chǎng)強(qiáng)度隨它們之間的間隙不同而變化,間隙越小磁場(chǎng)強(qiáng)度越大;雖然不能直接測(cè)出0.3mm間隙內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度,但可以通過(guò)測(cè)得比0.3mm更大的間隙內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度,在不斷變化的距離情況下測(cè)到對(duì)應(yīng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度,也就是可以測(cè)得磁場(chǎng)強(qiáng)度與間隙大小的關(guān)系,由這個(gè)關(guān)系我們就可以外推出0.3mm內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度。

      1.3 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)

      1.3.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)要求

      (a)采用了光學(xué)導(dǎo)軌,保證了數(shù)據(jù)的有效性。保證定子與轉(zhuǎn)子不會(huì)擺動(dòng),從而保證了其間隙的大小不變,減小了測(cè)量誤差;

      (b)為了精確測(cè)定轉(zhuǎn)子與定子之間的間隙,安裝了百分表,并且固定在光學(xué)導(dǎo)軌上與定子一起移動(dòng)。

      1.3.2 實(shí)驗(yàn)器材

      轉(zhuǎn)子,半圓定子,直流電源,特斯拉計(jì),光學(xué)導(dǎo)軌,百分表,磁性表座,吹風(fēng)機(jī)。

      2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析

      2.1 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分析

      按照第1節(jié)中的測(cè)量方法測(cè)得不同勵(lì)磁電流的磁場(chǎng)強(qiáng)度H與間隙的關(guān)系,某發(fā)電機(jī)中位置“1”的測(cè)量結(jié)果如圖2所示。

      從圖2可以看到,對(duì)于同一勵(lì)磁電流,隨著間隙增大,磁場(chǎng)強(qiáng)度迅速減小。同一間隙,磁場(chǎng)強(qiáng)度隨著勵(lì)磁電流的增大而增大。

      圖2 位置1 磁場(chǎng)強(qiáng)度-間隙

      圖3 位置1 1/磁場(chǎng)強(qiáng)度-間隙

      從圖3可以看到公式(11)基本成立。

      2.2 磁場(chǎng)強(qiáng)度估算

      圖4 位置1

      當(dāng)電流I=0.5A時(shí)擬合得到的公式為:

      當(dāng)電流I=1.0A時(shí)擬合得到的公式為:

      當(dāng)電流I=1.75A時(shí)擬合得到的公式為:

      依此方法可以求得其它有關(guān)點(diǎn)的磁場(chǎng)強(qiáng)度,列入表1中。

      表1 小間隙中磁場(chǎng)強(qiáng)度的外推結(jié)果

      3 結(jié)論

      本文提出了小間隙內(nèi)磁場(chǎng)強(qiáng)度的測(cè)量方法。并利用這種方法測(cè)量了發(fā)電機(jī)的轉(zhuǎn)子與定子之間的磁場(chǎng)強(qiáng)度。小間隙磁場(chǎng)強(qiáng)度的測(cè)量方法是一種全新的測(cè)量方法,這在磁場(chǎng)強(qiáng)度的測(cè)量特別是小間隙磁場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)量領(lǐng)域有著重要的意義[5-8]。在這種測(cè)量方法中霍爾片的厚度對(duì)實(shí)驗(yàn)精度有影響,本文中采用的霍爾片厚度為,如果測(cè)量中采用更薄的霍爾片來(lái)測(cè)量,那么測(cè)量精度得到進(jìn)一步的提高。

      [1]陳海英.精密磁強(qiáng)計(jì)的發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用[J].現(xiàn)代儀器,2000(1):5-7.

      [2]姜智鵬,趙偉,屈凱峰.磁場(chǎng)測(cè)量技術(shù)的發(fā)展及其應(yīng)用[J].電測(cè)與儀表,2008,45(4):1-5.

      [3]潘啟軍,馬偉明,趙治華,康軍.磁場(chǎng)測(cè)量方法的發(fā)展及應(yīng)用[J]. 電工技術(shù)學(xué)報(bào),2005,20(3):7-13.

      [4]梁燦彬,梁竹健.電磁學(xué)[M].北京:高等教育出版社,2004:222-224.

      [5]鄒繼斌 劉寶廷 崔淑梅 鄭萍,磁路與磁場(chǎng)[M].哈爾濱:哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社,1998.

      [6]俞集輝.電磁場(chǎng)原理[M].2版. 重慶:重慶大學(xué)出版社,2007.

      [7]倪光正.工程電磁場(chǎng)原理[M].北京:高等教育出版社,2002.

      [8]馬信山,張濟(jì)世,王平.電磁場(chǎng)基礎(chǔ)[M].北京:清華大學(xué)出版社,2000.

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