陳興旺梁帥奇胡宗亞
(1、河南省汝州市電業(yè)公司,河南 汝州 467500 2、深圳邁瑞醫(yī)療電子股份有限公司 3、國(guó)網(wǎng)電科院繼電保護(hù)研究所,江蘇 南京 210003)
為了耐受更高的電壓,高壓直流輸電的換流閥都是由晶閘管級(jí)串聯(lián)組成的;例如貴廣直流輸電工程中,采用西門子的光控閥,每個(gè)換流閥體包含了78個(gè)晶閘管級(jí);葛南直流工程中采用的是原BBC的電控閥,每個(gè)換流閥體則包含了120個(gè)晶閘管級(jí)。SVC(Static Var Compensator)中TCR(Thyristor Controlled Reactor)或 TSC(Thyristor Switched Capacitor)閥體,也根據(jù)補(bǔ)償?shù)碾妷旱燃?jí)和選用晶閘管的耐壓等級(jí),由不同數(shù)量的晶閘管級(jí)串聯(lián)組成。如下所示為三廣直流工程換流閥中晶閘管級(jí)電氣連接的示意圖 (不同的閥體可能稍有區(qū)別)。每個(gè)晶閘管級(jí)一般都包括以下幾個(gè)部分:直流均壓電路 (圖示的R6和R7)、交流均壓電路 (圖示的R1/R3/C1/C2)、晶閘管控制單元TCU(Thyristor Controlled Unit)和晶閘管Th(Thyristor)。其中VCU(Valve Controlled Unit)為閥控單元,它負(fù)責(zé)向TCU發(fā)送光觸發(fā)信號(hào)FP(Fire Pulse),接收TCU的光回報(bào)信號(hào)IP(Indication Pulse)。
一個(gè)晶閘管級(jí)中晶閘管控制單元是核心,它具有以下幾項(xiàng)基本功能:接收觸發(fā)命令觸發(fā)晶閘管,晶閘管過(guò)壓保護(hù),反向恢復(fù)期間的dv/dt保護(hù),監(jiān)視晶閘管狀態(tài)(正常、損壞或過(guò)壓保護(hù))并回送相應(yīng)的光脈沖信號(hào)IP。下面就以我們?cè)赟VC和直流融冰等項(xiàng)目中大量使用的TCU為例,分析它的工作原理。
1、取能。TCU的取能部分會(huì)通過(guò)上圖的Snubber Circuit和C3、R5得到約22V和11V兩種電源。通過(guò)調(diào)節(jié)阻容回路的參數(shù),可確保C3、R5中流過(guò)電流的相位提前晶閘管兩端的電壓90度,電路的取能在晶閘管兩端的電壓還處在負(fù)半周的上升階段時(shí)就已經(jīng)開始;因此,當(dāng)晶閘管兩端電壓為正時(shí)TCU就儲(chǔ)備了足夠的能量,確保內(nèi)部電路正常工作。
2、回報(bào)光脈沖IP信號(hào)。共有兩種情況可產(chǎn)生IP,第一種情況是當(dāng)晶閘管兩端電壓達(dá)到約24V時(shí),TCU向VCU發(fā)送IP脈沖,表明晶閘管級(jí)已滿足觸發(fā)條件,告訴VCU,可以發(fā)觸發(fā)脈沖FP了;相應(yīng)的,VCU只有在接收到IP脈沖后,才允許向TCU發(fā)送FP觸發(fā)信號(hào);另一種情況是當(dāng)TCU監(jiān)測(cè)到晶閘管兩端的電壓達(dá)到了預(yù)先設(shè)定的過(guò)壓保護(hù)門檻值時(shí) (如6800V),便自動(dòng)發(fā)出觸發(fā)脈沖觸發(fā)晶閘管,使晶閘管免于擊穿而損壞,同時(shí)在此刻也向VCU發(fā)出IP光脈沖,表明晶閘管處于保護(hù)性觸發(fā)的異常狀態(tài);VCU內(nèi)部的可編程邏輯期間FPGA通過(guò)這兩種IP信號(hào)發(fā)生時(shí)刻的不同來(lái)區(qū)別某IP信號(hào)是電壓建立IP還是過(guò)壓保護(hù)觸發(fā)IP。另外,當(dāng)某一個(gè)晶閘管損壞時(shí),則TCU無(wú)法發(fā)出IP信號(hào),VCU會(huì)據(jù)此判斷該晶閘管已經(jīng)損壞;VCU程序會(huì)設(shè)置一個(gè)報(bào)警級(jí)別:如損壞2個(gè)時(shí)報(bào)警,大于2個(gè)時(shí)跳閘。
3、正常觸發(fā)。一般情況下,當(dāng)閥體解鎖后,TCU會(huì)在每個(gè)周波都收到來(lái)自VCU的光觸發(fā)信號(hào),通過(guò)光電轉(zhuǎn)換、信號(hào)放大等產(chǎn)生晶閘管觸發(fā)所需要的電脈沖信號(hào),觸發(fā)晶閘管。需要說(shuō)明的時(shí),當(dāng)晶閘管被觸發(fā)時(shí)如果由于某種原因沒有導(dǎo)通,則這個(gè)觸發(fā)信號(hào)會(huì)持續(xù)加在晶閘管的門極直到它導(dǎo)通或其兩端電壓變負(fù)為止,TCU的這一特性也有效地保護(hù)了晶閘管。
4、保護(hù)性觸發(fā)。閥體在正常的運(yùn)行過(guò)程中,會(huì)經(jīng)常發(fā)生的陡坡沖擊、局部不均壓或開通分散性等,這些都會(huì)引起個(gè)別晶閘管的正向過(guò)電壓;另外,在電信號(hào)通路或光信號(hào)通路由于損壞或性能下降的情況下,TCU無(wú)法產(chǎn)生觸發(fā)脈沖,而此時(shí)當(dāng)閥體中其它晶閘管級(jí)導(dǎo)通時(shí),便也會(huì)在該晶閘管兩端瞬間產(chǎn)生一個(gè)高電壓;這時(shí),如果不能在該電壓達(dá)到擊穿門檻電壓前迅速觸發(fā)晶閘管,該晶閘管就會(huì)被擊穿而損壞。TCU中的保護(hù)性觸發(fā)電路正是實(shí)現(xiàn)了這樣的功能。
如下圖2所示為TCU過(guò)壓保護(hù)電路示意圖。它的基本原理是:隨著晶閘管兩端電壓的升高,電阻R8上的電壓越大;另外,在TCU內(nèi)部通過(guò)模擬電路搭建一個(gè)基準(zhǔn)電壓,當(dāng)R8上的電壓大于該基準(zhǔn)電壓時(shí),就產(chǎn)生觸發(fā)脈沖觸發(fā)晶閘管,同時(shí)回報(bào)過(guò)壓保護(hù)IP脈沖。通過(guò)調(diào)節(jié)R8的阻值,可以調(diào)節(jié)TCU的過(guò)壓保護(hù)門檻值,以適應(yīng)不同耐壓等級(jí)的晶閘管。
5、反向恢復(fù)保護(hù)。晶閘管在由導(dǎo)通到關(guān)斷的發(fā)向恢復(fù)期間,由于阻斷特性尚未完全恢復(fù),此時(shí)如果在其兩端出現(xiàn)過(guò)高的dv/dt擾動(dòng),就會(huì)損壞晶閘管。TCU的反向恢復(fù)保護(hù)功能就是在反向恢復(fù)期間探測(cè)dv/dt的變化率,當(dāng)dv/dt擾動(dòng)超過(guò)門檻值時(shí)便產(chǎn)生觸發(fā)脈沖觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通,從而保護(hù)晶閘管。如圖3所示為TCU反向恢復(fù)保護(hù)電路示意圖,它基本原理是:閥體解鎖后,當(dāng)TCU監(jiān)測(cè)到晶閘管兩端的電壓由導(dǎo)通到熄弧,即其兩端的電壓由零變?yōu)樨?fù)時(shí),便啟動(dòng)時(shí)間窗口發(fā)生回路,這個(gè)時(shí)間窗口的寬度可根據(jù)晶閘管本身的特性要求進(jìn)行調(diào)整,一般為1ms以內(nèi)。如果dv/dt監(jiān)測(cè)回路在這個(gè)時(shí)間窗口內(nèi)監(jiān)測(cè)到晶閘管兩端的電壓變化率大于門檻值 (這個(gè)門檻值也可根據(jù)晶閘管的特性進(jìn)行調(diào)整),就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)觸發(fā)脈沖觸發(fā)晶閘管。
6、總結(jié)與展望。上述以我們實(shí)際研制的TCU為例,分析了它的基本工作機(jī)理。該TCU裝置已經(jīng)大量應(yīng)用于SVC項(xiàng)目、直流融冰項(xiàng)目和高壓直流輸電換流閥運(yùn)行試驗(yàn)合成回路中。多年來(lái)的運(yùn)行情況表明,該TCU裝置性能可靠穩(wěn)定。
需要指出的是,TCU屬于高電位裝置,工作環(huán)境惡劣。因此,研制過(guò)程中,在滿足功能的前提下,抗干擾實(shí)驗(yàn)的驗(yàn)證是十分重要的,它直接決定了整個(gè)高壓閥體能否正常工作。我們除了對(duì)該裝置單獨(dú)進(jìn)行嚴(yán)格的EMC實(shí)驗(yàn)外;還實(shí)際搭建了高壓閥體,按照相應(yīng)的規(guī)范對(duì)整個(gè)閥體也進(jìn)行嚴(yán)格的型式試驗(yàn);這個(gè)過(guò)程發(fā)現(xiàn)并解決了大量的問(wèn)題。這也是裝置大量使用且運(yùn)行穩(wěn)定的保證。
當(dāng)前,隨著更大容量的可關(guān)斷型功率器件如IGBT的不斷開發(fā),輕型高壓直流輸電和SVG(Static Var Generator)也在快速發(fā)展,其中SVG有逐漸取代SVC的趨勢(shì)。它們的高壓閥體是由可關(guān)斷器件串聯(lián)而成的,造價(jià)更為昂貴;對(duì)應(yīng)于每個(gè)可關(guān)斷型器件也有一個(gè)控制單元,被稱為門級(jí)驅(qū)動(dòng)單元GDU(Gate Driven Unit)。在我們正在研制的GDU裝置中,它要監(jiān)視更多的狀態(tài)量,須以一定格式的光脈沖報(bào)文向上反饋更多的狀態(tài)信息;通過(guò)搭建模擬電路已經(jīng)很難實(shí)現(xiàn)這些復(fù)雜的邏輯。為此,我們采用了FPGA (Field Programmable Gate Array)來(lái)完成相應(yīng)的保護(hù)和監(jiān)視功能。FPGA的采用將成為未來(lái)功率器件控制單元的一個(gè)趨勢(shì);但同時(shí),F(xiàn)PGA運(yùn)行在強(qiáng)電環(huán)境中也對(duì)裝置本身的抗干擾性提出了更高的要求。
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