低導(dǎo)通電阻溝槽柵極LIGBT的模擬研究
2012-04-29 00:51:10李婷王穎陳宇賢高松松程超
哈爾濱理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2012年1期
李婷 王穎 陳宇賢 高松松 程超
0引言
橫向絕緣柵雙極晶體管(LlGBT)是由B-IT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件，兼有M0sFET的高輸人阻抗和GTR的低導(dǎo)通電阻兩方面優(yōu)點(diǎn)，從根本上解決了LDMOS所具有的器件耐壓與導(dǎo)通電阻之間的矛盾，改善了器件的功率控制能力，使其廣泛應(yīng)用于中頻和中等電流領(lǐng)域。
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