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      基于電流反饋的MSCMG軸向磁軸承低功耗控制

      2012-07-20 07:14:46陳建仔周向陽魏彤任元
      軸承 2012年7期
      關(guān)鍵詞:氣隙低功耗閉環(huán)

      陳建仔,周向陽,魏彤,任元

      (1.慣性技術(shù)國防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京 100191;2.新型慣性儀表與導(dǎo)航系統(tǒng)技術(shù)國防重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室,北京 100191)

      控制力矩陀螺(CMG)是大型衛(wèi)星、空間站等長期運(yùn)行的大型航天器實(shí)現(xiàn)姿態(tài)控制的關(guān)鍵執(zhí)行機(jī)構(gòu)。航天器姿態(tài)控制系統(tǒng)對CMG的基本要求是壽命長、體積小、質(zhì)量輕、功耗低。根據(jù)陀螺轉(zhuǎn)子的支承方式, CMG可以分為機(jī)械軸承支承和磁軸承支承[1]。早期CMG高速轉(zhuǎn)子采用機(jī)械軸承支承,但是磨損和振動(dòng)嚴(yán)重影響了CMG的精度和壽命。與機(jī)械軸承相比,磁軸承具有無接觸、無需潤滑、高轉(zhuǎn)速、低功耗、長壽命、高精度及對振動(dòng)可實(shí)現(xiàn)主動(dòng)控制等優(yōu)點(diǎn)[2],因而,磁懸浮控制力矩陀螺(MSCMG)是大型航天器實(shí)現(xiàn)高精度、長壽命和快速姿態(tài)機(jī)動(dòng)的有效途徑。

      功耗是MSCMG的一項(xiàng)重要指標(biāo),也是影響MSCMG空間應(yīng)用的主要因素,低功耗是航天器不斷追求的目標(biāo)。磁軸承功耗包括鐵耗和銅耗,磁軸承線圈由于通電而產(chǎn)生的銅耗是其功耗的主要部分。傳統(tǒng)全主動(dòng)磁軸承線圈中的電流包括偏置電流和控制電流。MSCMG采用永磁偏置混合磁軸承,利用永磁體替代偏置電流以產(chǎn)生偏置磁場,大大降低了靜浮的功耗[3-4]。主動(dòng)磁懸浮軸承的控制方式是通過檢測磁懸浮軸承的間隙變化,控制線圈電流,提供相應(yīng)的電磁力平衡負(fù)載,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定懸浮。因此,軸承負(fù)載越大,需要的電磁力就越大,從而電磁鐵線圈的控制電流就越大,功耗也就越大。因此,要進(jìn)一步降低永磁偏置混合磁軸承的功耗,就需要減小其穩(wěn)態(tài)懸浮電流。

      文獻(xiàn)[5]在基于磁軸承-轉(zhuǎn)子系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)模型的基礎(chǔ)上,提出了一種根據(jù)輸出力矩變化調(diào)節(jié)徑向軸承轉(zhuǎn)子懸浮位置的角速率-轉(zhuǎn)子位移前饋控制方法,降低MSCMG輸出力矩時(shí)徑向磁軸承的支承功耗。而這種參考框架角速度的低功耗方法只對徑向通道進(jìn)行控制,不適合用于軸向磁軸承的低功耗控制。

      文獻(xiàn)[6-7]給出了單自由度磁懸浮支承的零功率控制,采用的方法是電流積分小閉環(huán)反饋控制,使支承機(jī)構(gòu)處于穩(wěn)態(tài)時(shí)幾乎不消耗能量,但是這種控制方法只適用于PD控制,而不適用于其他控制器,因此不便于控制器的選取和優(yōu)化設(shè)計(jì)。

      為了進(jìn)一步降低MSCMG軸向永磁偏置混合磁軸承的功耗并克服傳統(tǒng)低功耗控制方法的不足,在建立系統(tǒng)數(shù)學(xué)模型的基礎(chǔ)上針對傳統(tǒng)定氣隙控制時(shí)線圈電流隨負(fù)載增加而加大的問題,在分析傳統(tǒng)低功耗控制方法的機(jī)理基礎(chǔ)上,提出一種基于電流積分正反饋的軸向混合磁軸承-轉(zhuǎn)子系統(tǒng)變氣隙低功耗控制方法,該方法不僅可以實(shí)現(xiàn)低功耗控制,而且方便了控制器的設(shè)計(jì)。最后對所提出的控制方法進(jìn)行了仿真及試驗(yàn)驗(yàn)證。

      1 MSCMG軸向磁軸承系統(tǒng)建模

      在軸向磁軸承控制中,一般采用差動(dòng)驅(qū)動(dòng)模式驅(qū)動(dòng)電磁鐵,如圖1所示,同時(shí)獲得一對方向相反的磁作用力[8]。在這種差動(dòng)激磁方式下,一個(gè)磁鐵以偏置電流I0與控制電流Ix之和激磁,而另一個(gè)磁鐵則以Ix-I0激磁,采用永磁偏置的磁軸承的偏置電流I0為轉(zhuǎn)子在平衡位置時(shí)的永磁體等效線圈電流。于是在這一對磁極間產(chǎn)生的合力f為

      圖1 軸向磁軸承的差動(dòng)工作方式

      (1)

      式中:f+和f-分別為兩個(gè)磁鐵的作用力;x0為氣隙大小;x為偏移磁中心的距離;K=μ0s0n2/4;μ0為真空中的磁導(dǎo)率;s0為氣隙面積;n為單個(gè)電磁鐵的線圈匝數(shù)。

      在平衡點(diǎn)附近,對(1)式線性化,可表示為

      f=khx+kiix,

      (2)

      (3)

      式中:X(s),I(s)分別為磁軸承位移x和電流i的拉氏變換;m為轉(zhuǎn)子質(zhì)量。由(3)式可知,系統(tǒng)存在一個(gè)位于正實(shí)部半?yún)^(qū)的極點(diǎn),自身開環(huán)不穩(wěn)定,因此為使轉(zhuǎn)子能穩(wěn)定懸浮必須進(jìn)行主動(dòng)控制[9]。

      閉環(huán)磁懸浮轉(zhuǎn)子系統(tǒng)由位移傳感器、控制器、功放、電磁鐵和轉(zhuǎn)子構(gòu)成[10]。軸向通道廣義被控對象系統(tǒng)框圖如圖2所示。

      圖2 軸向磁軸承轉(zhuǎn)子系統(tǒng)框圖

      功放電路通??捎靡浑A低通濾波器線性模型來近似,其作用是將控制器輸出的控制量i*轉(zhuǎn)換為控制電流i,kw是功放放大倍數(shù),截止頻率為1/τa。所以,功放傳遞函數(shù)可表示為

      (4)

      位移傳感器由于帶寬很高,遠(yuǎn)超過需要主動(dòng)控制的頻率(10倍以上),故可直接用比例環(huán)節(jié)描述

      us=ksxs,

      (5)

      式中:us為傳感器輸出電壓;ks為傳感器靈敏度;xs為轉(zhuǎn)子輸出的位置坐標(biāo)。

      控制器一般使用PID控制或PD控制,PID控制傳遞函數(shù)gc(s)=Kp+Tis-1+Tds, 其中Kp,Ti,Td為控制器PID各項(xiàng)系數(shù)。由于在PID控制中,純微分環(huán)節(jié)對噪聲敏感,容易引起控制過程振蕩,導(dǎo)致調(diào)節(jié)品質(zhì)下降,所以采用不完全微分,截止頻率為1/Tf,即gc(s)=Kp+Tis-1+Tds(1+Tfs)-1。

      加入主動(dòng)控制后的閉環(huán)磁懸浮轉(zhuǎn)子系統(tǒng)閉環(huán)傳遞函數(shù)為

      (6)

      2 電流積分正反饋-轉(zhuǎn)子變氣隙控制

      在采用定氣隙控制時(shí),參考位置不變,假設(shè)此時(shí)參考位置u0=0,閉環(huán)轉(zhuǎn)子系統(tǒng)當(dāng)受到干擾力fd作用時(shí),由于加入PID控制,磁懸浮轉(zhuǎn)子能穩(wěn)定懸浮在參考位置。當(dāng)x=0時(shí),根據(jù)(3)式,此時(shí)功放電流增加為

      (7)

      傳統(tǒng)的低功耗控制使用的是電流積分小閉環(huán)反饋控制,系統(tǒng)框圖如圖3所示。采用這種低功耗控制方法時(shí),控制器只能選用PD控制[6-7],即gc(s)=Kp+Tds,而當(dāng)系統(tǒng)為了減小穩(wěn)態(tài)誤差選用PID控制時(shí)這種方法將失去作用。

      圖3 傳統(tǒng)的磁軸承低功耗控制系統(tǒng)框圖

      而基于電流積分正反饋-轉(zhuǎn)子變氣隙控制不僅可以選用PD控制器,還可以選用PID或其他控制器。加入低功耗控制器gl(s)后的系統(tǒng)框圖如圖4所示。電流正反饋傳遞函數(shù)gl(s)=klis-1為積分控制器,kli為電流積分系數(shù)。通過電流積分正反饋,將反饋量輸出到參考位置,改變轉(zhuǎn)子懸浮參考位置使永磁體提供主要承載力,從而減小磁軸承線圈電流。

      圖4 磁軸承轉(zhuǎn)子變氣隙控制系統(tǒng)框圖

      以承載力fd為輸入,控制電流i為輸出的傳遞函數(shù)為

      (8)

      設(shè)fd為恒定負(fù)載P,進(jìn)行拉氏變換fd(s)=Ps-1,則輸出的控制電流i的拉氏變換為

      (9)

      當(dāng)采用PID或PD控制器時(shí),承載力fd≤kxxmax,其中xmax為軸向軸承氣隙,由于gl(s)=klis-1(kli≠0)的作用,可以計(jì)算得到

      (10)

      根據(jù)拉氏變換的終值定理,由(10)式可以得到

      (11)

      因此采用這種控制方法可以使懸浮電流為零,從而達(dá)到降低功耗的目的。

      圖5為加入gl(s)與不加入gl(s),以負(fù)載fd為輸入,控制電流i為輸出的bode圖。從圖中可以看出,加入gl(s)后,控制電流i對低頻干擾fd的響應(yīng)有很大衰減。如bode圖中0.1 Hz處,在加入gl(s)后,幅值由-56.6 dB衰減到-83.5 dB,可以推出fd為靜態(tài)承載力時(shí),加入電流積分正反饋gl(s)能有效減小線圈電流。

      圖5 fd為輸入,控制電流i為輸出的bode圖

      使用電流積分正反饋-轉(zhuǎn)子變氣隙控制方法降低功耗的物理解釋是:磁軸承承載力由永磁體和控制電流同時(shí)提供,因而通過檢測電流變化,調(diào)節(jié)磁懸浮轉(zhuǎn)子的懸浮位置,使永磁體提供主要的承載力,即可減小控制電流,進(jìn)而降低磁軸承的功耗。

      3 仿真分析

      3.1 仿真條件

      針對上節(jié)的分析,建立系統(tǒng)的仿真模型,下面基于Simulink分別對上述變氣隙低功耗控制方法展開仿真分析。結(jié)合實(shí)際系統(tǒng)的設(shè)計(jì)參數(shù),模型仿真參數(shù)見表1。

      表1 模型仿真參數(shù)

      3.2 加入gl(s)后的系統(tǒng)穩(wěn)定性分析

      從理論上講,加入積分控制可以消除系統(tǒng)靜差,gl(s)的積分增益參數(shù)kli是使電流穩(wěn)態(tài)趨于零的速度度量,因此調(diào)整kli是降低功耗的主要手段。根據(jù)閉環(huán)系統(tǒng)的極點(diǎn)分布判定基于電流積分正反饋的變氣隙磁軸承低功耗控制是否穩(wěn)定,由圖4可知,加入gl(s)后軸向磁軸承系統(tǒng)閉環(huán)傳遞函數(shù)為

      (12)

      圖6為系統(tǒng)閉環(huán)零極點(diǎn)分布,kli從0到240,步長為10繪制。從中可以看出,kli使系統(tǒng)增加了一個(gè)位于原點(diǎn)的零點(diǎn),可以計(jì)算出當(dāng)kli<216.8時(shí)系統(tǒng)閉環(huán)極點(diǎn)均位于左半平面,系統(tǒng)穩(wěn)定。

      圖6 系統(tǒng)閉環(huán)零極點(diǎn)分布圖

      結(jié)合上面的仿真參數(shù),分別對不同電流積分系數(shù)kli的情況進(jìn)行對比仿真,得到如圖7所示的電流及轉(zhuǎn)子懸浮位置變化波形。從圖7可知,電流積分系數(shù)kli變大,系統(tǒng)電流及轉(zhuǎn)子懸浮位置調(diào)節(jié)時(shí)間減小,電流超調(diào)量將增大,在kli=150出現(xiàn)電流波動(dòng)。因此在系統(tǒng)響應(yīng)速度滿足應(yīng)用條件的情況下,電流積分系數(shù)kli不宜過大。

      圖7 不同電流積分系數(shù)對控制電流及轉(zhuǎn)子懸浮位置的影響

      3.3 軸向磁軸承的位移、電流仿真

      由上節(jié)分析得出,電流積分系數(shù)kli不宜過大,下面以選取kli=80為例,對軸向磁軸承的位移、電流進(jìn)行仿真。軸向磁軸承通道電流積分正反饋-轉(zhuǎn)子變氣隙控制的位移、電流仿真結(jié)果如圖8所示。

      圖8 變氣隙控制的轉(zhuǎn)子懸浮位置與線圈電流仿真

      未采用電流積分正反饋?zhàn)儦庀犊刂?kli=0)時(shí),在t=1 s,加入階躍干擾力fd=50 N,傳感器測得的轉(zhuǎn)子位移在零值附近變化,最后穩(wěn)定在零值。而軸向磁軸承的控制電流增加,最后穩(wěn)定在0.073 A,此時(shí)承載力主要由控制電流產(chǎn)生。而當(dāng)采用電流積分正反饋的變氣隙控制后(kli=80),對于階躍干擾力fd,傳感器測得的轉(zhuǎn)子位移迅速發(fā)生變化,轉(zhuǎn)子偏離了平衡點(diǎn)的位置,最后轉(zhuǎn)子穩(wěn)定到52.6 μm處。而控制電流首先有個(gè)增大的過程,由于電流積分正反饋的作用,電流迅速減小,趨于穩(wěn)態(tài)至零,此時(shí)承載力全部由位移負(fù)剛度提供。

      4 試驗(yàn)驗(yàn)證

      為了驗(yàn)證電流積分正反饋的變氣隙控制方法降低磁軸承功耗的有效性,利用圖9所示的磁懸浮轉(zhuǎn)子的單框架控制力矩陀螺試驗(yàn)系統(tǒng)平臺進(jìn)行試驗(yàn)。

      圖9 磁懸浮控制力矩陀螺樣機(jī)

      試驗(yàn)中,通過陀螺框架的轉(zhuǎn)動(dòng),使轉(zhuǎn)子軸向偏離水平方向,從而將轉(zhuǎn)子本身重力在軸向的投影分量作為干擾力作用在軸承上,干擾力為50 N。

      試驗(yàn)結(jié)果如圖10所示,圖10a中不加入電流反饋gl(s),轉(zhuǎn)子保持在穩(wěn)定懸浮位置0 μm處,加入干擾后,線圈控制電流增加至0.063 A。試驗(yàn)中采用28 V控制電壓,則此時(shí)軸向磁軸承靜浮銅耗增加為1.764 W。圖10b為加入電流反饋gl(s)后的試驗(yàn)效果,從圖中可以看出,當(dāng)受到干擾力時(shí),轉(zhuǎn)子懸浮位置自動(dòng)發(fā)生變化,穩(wěn)態(tài)時(shí)轉(zhuǎn)子懸浮在59 μm附近,而控制電流由0.005 A在小的振動(dòng)后又迅速恢復(fù)到0.005 A,穩(wěn)定后可以看出受到50 N干擾力時(shí),線圈電流沒有額外的增加,軸向磁軸承靜浮銅耗為0.14 W。試驗(yàn)中控制電流沒有達(dá)到零,這是由于測量的電流采樣電路的零點(diǎn)偏移誤差造成的??梢?,與傳統(tǒng)的定氣隙控制相比,在負(fù)載為50 N時(shí),基于電流積分正反饋的變氣隙控制能有效降低90%以上的銅耗。顯然,在其他負(fù)載條件下,該控制方法同樣有效。

      圖10 轉(zhuǎn)子懸浮位置和線圈控制電流的試驗(yàn)效果

      5 結(jié)束語

      針對MSCMG軸向磁軸承的低功耗控制,提出了采用電流積分正反饋的轉(zhuǎn)子變氣隙控制方法,對算法進(jìn)行了推導(dǎo),并對主要參數(shù)進(jìn)行了討論和設(shè)計(jì)。仿真和試驗(yàn)結(jié)果表明,當(dāng)負(fù)載存在時(shí),該方法能大大降低永磁偏置磁軸承的銅耗。該方法不僅具有良好的穩(wěn)定性,而且方便了控制器的設(shè)計(jì),克服了傳統(tǒng)低功耗控制方法的不足,并提高了可靠性,因此具有廣泛的應(yīng)用前景。

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