孟祉含 謝克難 廖 立 李延俊
(四川大學(xué)化學(xué)工程學(xué)院,成都,610065)
具有高導(dǎo)電性的銀和銅廣泛應(yīng)用于電子行業(yè)[1]、催化劑[2]、傳感器[3]和生物光學(xué)設(shè)備領(lǐng)域[4-7]。但是在地殼中銀含量的稀少和銅易氧化的性質(zhì)極大地限制了它們的應(yīng)用。因此,目前在電子工業(yè)領(lǐng)域中人們認(rèn)為銅-銀復(fù)合粉末代替單金屬銅或銀是解決上述問題最理想的選擇[8]。有許多方法制備核殼復(fù)合粒子,比如電鍍法[9]、化學(xué)鍍法[10]、真空法[11,12]、濺射法等等。這些技術(shù)中的很多由于低效率或者需要貴重設(shè)備的原因只適合實(shí)驗(yàn)室規(guī)模的生產(chǎn)。化學(xué)鍍法由于其操作簡(jiǎn)單以及高效率的優(yōu)點(diǎn)成為合成銅-銀復(fù)合粉末最有潛力的方法。本文采用兩步制備銀銅包覆粉末,首先采用葡萄糖與還原法制備出超細(xì)銅粉,洗滌之后再用制備好的銅粉來制備銀銅包覆粉末。采用這樣的連續(xù)制備方式,銅粉表面不會(huì)被氧化,在制備包覆粉末時(shí)不用對(duì)銅粉進(jìn)行處理。而且該方法設(shè)備簡(jiǎn)單,易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。
硫酸銅(CuSO4),硝酸銀(AgNO3),聚乙烯吡咯烷酮(PVP),烷基酚聚氧乙烯醚(OP-10),失水山梨醇單油酸酯聚氧乙烯醚(Tween80),葡萄糖(C6H12O6·H2O),水和肼(N2H4·H2O),氫氧化鈉(NaOH),無水乙醇(C2H5OH),氨水(NH3·H2O),去離子水(H2O)。
2.2.1 超細(xì)銅粉的制備
稱取1.6gCuSO4用過量NH3·H2O處理得到銅氨溶液。稱取1.98g C6H12O6·H2O溶于去離子水中。將分散劑(3gPVP)溶于去離子水后倒入500mL三口燒瓶中,用6mol/L的NaOH調(diào)節(jié)溶液pH值至13。水浴升溫至60℃后,同時(shí)向三口燒瓶中滴加預(yù)先配置好的銅氨溶液和葡萄糖溶液,滴加速率均為50滴/min。反應(yīng)30分鐘后,再緩慢滴加還原劑(0.4mL N2H4·H2O)。70℃加熱反應(yīng)一小時(shí)。待反應(yīng)結(jié)束后,自然冷卻,用無水乙醇洗滌,真空烘干。
2.2.2 銀銅包覆粉末的制備
稱取0.85g AgNO3,用過量 NH3·H2O處理得到銀氨溶液。稱取0.8g超細(xì)Cu粉末,懸浮于100mL去離子水。將懸浮液倒入500mL三口燒瓶中,用6mol/L的NaOH調(diào)節(jié)pH值至13,40℃加熱攪拌。向燒瓶中滴加預(yù)先配置好的銀氨溶液,并同時(shí)滴加還原劑(0.2mL N2H4·H2O)。滴加速率均為50滴/min。70℃加熱反應(yīng)一小時(shí)。待反應(yīng)結(jié)束后,自然冷卻,用無水乙醇洗滌,真空烘干。
無包覆層的超細(xì)粉末離子表面能巨大,原子簇會(huì)自發(fā)沉積到晶核表面以降低體系的表面能,這一過程與奧斯特瓦爾德熟化類似,低表面能的大顆粒以消化小顆粒為代價(jià)進(jìn)一步生長。但也可使發(fā)生較大粒子之間的團(tuán)聚[13]。因此,合成超細(xì)粉末粒子總是需要加分散劑,分散劑能行成空間位阻和靜電排斥以防止粒子團(tuán)聚,從而達(dá)到合成超細(xì)粉末的目的。分散劑加入的量與前驅(qū)體的摩爾比例為1∶100到2∶100之間。過多的加入分散劑造成難以洗滌的麻煩,給后續(xù)合成包覆粉帶來困難。加入過少不能起到分散的效果,使得超細(xì)粉末分散效果不好。但是值得注意的是,在合成包覆粉時(shí)不需要加入分散劑,因?yàn)檫@樣會(huì)阻止顆粒沉積在超細(xì)粉末粒子上,難以形成包覆層。
本文分別采用了PVP、OP-10和Tween80三種不同的分散劑來制備超細(xì)銅粉。如圖1所示,采用三種不同的分散劑合成的超細(xì)銅粉分別是圖1a、1b、1c。其中可以看出由PVP作為分散劑制備的超細(xì)銅粉粒徑均一,形貌較好,沒有出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象,球形度也較好。而由OP-10作為分散劑制備的超細(xì)銅粉,其顆粒存在團(tuán)聚的現(xiàn)象。由Tween80作為分散劑制備的超細(xì)銅粉形貌較差,顆粒球形度不好,顆粒大小不均勻。因此采用PVP作為分散劑制備超細(xì)銅粉,其形貌較好,粒徑均一,球形度好??赡苁怯捎赑VP分子量大,溫度升高時(shí)也很穩(wěn)定,空間位阻較大即大分子吸附在銅顆粒表面,銅粒子之間的碰撞,團(tuán)聚的機(jī)會(huì)大大減少,所以顆粒分散效果好。
圖1 不同分散劑制備的超細(xì)銅粉的掃描電鏡圖像
反應(yīng)溫度對(duì)形貌沒有太大影響,但對(duì)顆粒的大小稍微有影響。反應(yīng)溫度高使反應(yīng)速率加快,從而晶體的成核速率大于晶體成長速率。雖然溫度升高顆粒的熱運(yùn)動(dòng)也因此加劇,增加了團(tuán)聚的幾率,但是由于有分散劑的存在,會(huì)一定程度上防止顆粒的團(tuán)聚,使粒徑小一些[14]。
由圖2可以看出,反應(yīng)溫度對(duì)粒徑的影響,在30-70℃之間的影響不大,但是在70℃之后粒徑急速上升。由圖3可以看出,反應(yīng)溫度對(duì)反應(yīng)時(shí)間的影響,在溫度為70℃時(shí)反應(yīng)時(shí)間最短。綜上所述,選擇反應(yīng)溫度為70℃,這樣既能使粒徑最小,也使反應(yīng)時(shí)間最短。
圖2 反應(yīng)溫度對(duì)粒徑的影響
圖3 反應(yīng)溫度對(duì)反應(yīng)時(shí)間的影響
Ag+初始濃度越大,包覆層越致密,而且晶粒成核速度越快。但是如果Ag+初始濃度過大,使得晶粒來不及成核速度大于成長速度,也會(huì)加重團(tuán)聚現(xiàn)象。因此,Ag+初始濃度不宜過大。由圖4所示,Ag+初始濃度在0.2mol/L時(shí),包覆粉末粒徑最小。圖5是不同Ag+初始濃度的掃描電鏡圖像,5a、5b、5c分別是 Ag+初始濃度為0.1mol/L、0.2mol/L、0.3mol/L??梢钥闯?Ag+初始濃度為0.2mol/L時(shí),包覆層均勻致密,包覆粉粒徑也細(xì)致,球形度較好。而Ag+初始濃度為0.1mol/L時(shí),明顯包覆效果不好,有些銅粒子裸露在外,沒有銀粒子沉積在表面。Ag+初始濃度為0.3mol/L時(shí),包覆粉的粒徑較大且不均勻,球形度不好。綜上所述,在制備銀銅包覆粉時(shí),選擇Ag+初始濃度為0.2mol/L。
圖4 Ag+初始濃度對(duì)銀銅包覆粉粒徑的影響
圖5 不同Ag+初始濃度制備的包覆粉的掃描電鏡圖像
(1)用PVP分散劑制備的銅粉形貌好,粒徑均一。
(2)反應(yīng)體系溫度以70℃為最佳。
(3)Ag+初始濃度分別為0.2mol/L為最佳。
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