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      硒碳糊電極微分電位溶出法測定銅和鉍

      2012-12-01 05:57:48譚君林胡存杰李建平
      中國無機分析化學(xué) 2012年4期
      關(guān)鍵詞:李建平峰高法測定

      譚君林 胡存杰 李建平

      (桂林理工大學(xué) 化學(xué)與生物工程學(xué)院,廣西 桂林 541004)

      1 前言

      電位溶出法因儀器簡單,靈敏度高,用于測定微量銅和鉍已有報道[1-3],但一般電位溶出法都是使用汞電極(懸汞或汞膜電極),因為汞的毒性大,使得研究者們積極尋找可替代的電極,如金電極[4-6]、鉍電極[7-8]、汞合金電 極[9-10]和銻 電極[11]等。然 而,銅和鉍的溶出電位較正,其溶出峰電位因與汞或其它電極材料的氧化電位靠近而經(jīng)常受到干擾。采用化學(xué)修飾電極等測定銅或鉍也有報道[12-13],但修飾電極制作過程復(fù)雜,且修飾層經(jīng)常需要更新,對實驗結(jié)果的精度有一定的影響。

      最近,Negaosa等[14]在石墨電極表面沉積一層硒膜,用陽極溶出伏安法測定了銅的含量,但硒膜的電沉積過程較煩瑣,每次測定后需要重新鍍膜。本課題組[15]制作了混合硒粉的固體石蠟碳糊電極,利用陽極溶出伏安法測定了鉍,獲得了比較好的分析結(jié)果。本試驗在此基礎(chǔ)上提出利用微分電位溶出法同時測定銅和鉍,結(jié)果表明銅和鉍在摻雜硒碳糊電極上可獲得較靈敏的溶出信號,相互間干擾小,可用于實際樣品中銅和鉍的同時測定。用此方法制作電極簡便,電極易更新,有一定實用價值。

      2 實驗部分

      2.1 儀器與試劑

      CHI660C電化學(xué)工作站(上海辰華,三電極系統(tǒng)):自制摻雜硒碳糊電極為工作電極,Ag/AgCl為參比電極,鉑電極為輔助電極。

      DL-180A超聲波清洗器(上海之信),EC204電子天平(梅特勒-托利多),85-2C磁力攪拌器(河南予華)。

      碳粉(純度99.85%以上,上海膠體化工),硒粉(純度99.95%以上,上海美興)。

      Bi3+標(biāo)準(zhǔn)溶液:用三氧化二鉍(Bi2O3,優(yōu)級純)配制1.0×10-3mol/L鉍的標(biāo)準(zhǔn)儲備液。工作液由儲備液用0.1mol/L的HCl稀釋得到。

      Cu2+標(biāo)準(zhǔn)溶液:用硫酸銅(CuSO4·5H2O,優(yōu)級純)配制1.0×10-3mol/L銅的儲備液。工作液由儲備液用蒸餾水稀釋得到。

      所用其余試劑均為分析純,實驗用水為二次蒸餾水。

      2.2 儀器工作條件

      微分電位溶出法的儀器工作參數(shù)為:在+0.01V洗電極時間10s,電沉積電位-0.3V,電沉積時間90s,靜止時間30s,初始電位-0.3V,終止電位+0.6V,溶出電流2×10-6A。

      2.3 摻雜硒固體石蠟碳糊電極的制備

      參照文獻[15-16],取銅棒(L=3.1cm,外徑Φ=2.60mm)和玻璃管(L=2.1cm,內(nèi)徑Φ=3.0mm),將銅棒和玻璃管的兩端打磨光滑,清水沖洗。把硒粉與碳粉按照1∶2.5的質(zhì)量比混合,然后將混勻的硒碳粉和石蠟以3∶1的質(zhì)量比加熱熔融,充分攪拌,從而制得摻雜硒的固體石蠟碳糊。將銅棒插入玻璃管中,玻璃管中的銅棒一端距玻璃管口約0.5 mm,形成一凹槽,趁熱把石蠟碳糊填充進此凹槽,壓平,自然固化,把玻璃管外壁清理干凈,并在光滑的紙張上拋光,使電極表面光亮平滑。

      用硝酸(1∶1)、無水乙醇和水清洗拋光好的硒碳糊電極,然后將該電極置于H2SO4(1mol/L)溶液中采用循環(huán)伏安法活化,設(shè)置掃描范圍為1.2~-1.2V。把活化后的電極,再用循環(huán)伏安法于0.02mol/L鐵氰化鉀溶液中進行掃描,設(shè)置掃描電壓為0.6~-0.2V。按照上述步驟處理電極,直到獲得峰形對稱、美觀、可逆的氧化還原峰。

      2.4 實驗方法

      在10mL的比色管中加入一定量的Cu2+和Bi3+標(biāo)準(zhǔn)溶液,加入1mL KCl(0.1mol/L)溶液,用 HCl(0.05mol/L)稀釋至刻度,搖勻,轉(zhuǎn)入15mL小燒杯。按儀器工作條件對銅和鉍進行測定。

      微分電位溶出峰如圖1。鉍和銅分別在+0.02V和+0.30V處產(chǎn)生了靈敏的微分溶出峰,峰電位間距相差0.28V,基線穩(wěn)定。

      圖1 Bi 3+、Cu2+在電極上的微分電位溶出曲線圖Figure 1. Differential potential stripping curves of Bi 3+and Cu2+ on the Se/CPE electrode.

      3 結(jié)果與討論

      3.1 硒碳糊電極混合比例的優(yōu)化

      [15],制備摻雜硒固體碳糊電極。首先硒碳粉總量與石蠟的質(zhì)量比確定為3∶1,再采用碳硒比例分別為3∶1,2∶1,2.5∶1,1∶1,1∶2,1∶3的硒碳糊電極,對同一個銅鉍離子溶液進行測定,結(jié)果得出,當(dāng)碳粉和硒粉的質(zhì)量比為2.5∶1時,電位溶出峰峰高達到最大值(見圖2)。故確定碳硒比為2.5∶1制作工作電極。

      圖2 不同碳硒比例對電極性能的影響Figure 2. Effects of the carbon to selenium ratios on electrode performance.

      3.2 反應(yīng)介質(zhì)和濃度的選擇

      在相同濃度鹽酸、硫酸和醋酸等溶液和pH=5的醋酸-醋酸鈉緩沖溶液中對Cu2+、Bi3+離子進行了測定。結(jié)果表明Cu2+、Bi3+離子在鹽酸介質(zhì)中能夠出現(xiàn)靈敏的電位溶出峰,且峰形好。考察了鹽酸用量對銅鉍的電位溶出峰的影響,在濃度分別為0.002,0.005,0.01,0.02,0.05,0.06,0.08,0.1mol/L鹽 酸 中 測 定 銅 和 鉍,發(fā) 現(xiàn) 在 鹽 酸(0.05mol/L)溶液中得到的峰值較高(圖3),選擇鹽酸(0.05mol/L)溶液作為底液。

      圖3 鹽酸濃度的影響Figure 3. Effects of hydrochloric acid concentrations on electrode performance.

      3.3 預(yù)電解電位、終止電位和預(yù)電解時間

      在鹽酸(0.05mol/L)中,對于1.0×10-8mol/L的Cu2+、Bi3+離子,將預(yù)電解電位從-0.8V 設(shè)定到0.0V,隨后進行微分電位溶出法掃描,從得到的溶出峰位置,峰高和峰形進行討論。發(fā)現(xiàn)出峰位置和峰高在誤差允許的范圍之內(nèi)均無較大影響(如圖4),考慮到樣品中雜質(zhì)的影響,所以選擇-0.3V作為預(yù)電解電位。

      圖4 電解電位的影響Figure 4. Effects of electrolytic potentials on electrode performance.

      在鹽酸(0.05mol/L)中,對于1.0×10-8mol/L的Cu2+、Bi3+離子,將沉積電位設(shè)定到-0.3V,將終止電位從0.4V設(shè)定到1.0V,然后進行微分電位溶出法掃描,從得到的溶出峰位置,峰高和峰形進行討論。發(fā)現(xiàn)終止電位為0.6V的峰電流較大且峰形較好(如圖5),考慮到樣品中雜質(zhì)的影響,選擇0.6V作為終止電位。

      圖5 終止電位的影響Figure 5. Effects of final potentials on electrode performance.

      對于1.0×10-8mol/L Cu2+和Bi3+溶液,隨預(yù)電解時間(0~90s)的增加,電位溶出峰高隨之增大。兼顧測定的靈敏度,并考慮到實驗中預(yù)電解時間過長時影響到樣品測定的效率,故選擇預(yù)電解時間為90s。

      3.4 電位溶出電流

      電位溶出法中,如果不施加溶出電流,溶出時間非常長,甚至電極電位難以達到銅的溶出電位。而施加溶出電流后,溶出速度明顯加快,但靈敏度降低。同時考慮溶出時間和測定的靈敏度,因此實驗選擇溶出電流為2×10-6A。

      3.5 校準(zhǔn)曲線和檢出限

      在上述實驗條件下,使用微分電位溶出法,銅、鉍離子濃度在5.0×10-9~1.55×10-7mol/L范圍內(nèi)與微分電位溶出峰高dt/dE呈線性關(guān)系,結(jié)果如圖6。銅的線性回歸方程為dt/dE=1.2952C-0.1747,線性相關(guān)系數(shù)r=0.9912,鉍的線性回歸方程為dt/dE=2.4352C-2.8360,線性相關(guān)系數(shù)r=0.9904。測定樣品空白溶液20次,以3倍標(biāo)準(zhǔn)偏差比斜率計算本法銅和鉍的檢出限分別為4.0×10-9mol/L和2.5×10-9mol/L。

      圖6 銅、鉍的微分電位溶出曲線及校正曲線Figure 6. Differential potential stripping curves of Cu2+(Bi 3+ )and the calibration curves(insets).

      在同等條件下,用硒碳糊固體電極對1.0×10-8mol/L Cu2+和Bi3+進行11次平行測定,兩者的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差為分別為4.5%和4.9%,說明電極具有較好的重現(xiàn)性。將該電極對1.0×10-8mol/L Cu2+和Bi3+連續(xù)掃描30次以上,溶出峰峰高響應(yīng)基本不變,測試30次后峰高有所下降,這時只需將電極表面打磨光滑即可再次測定。將電極于室溫下保存10d,隔天重復(fù)測定,記錄其峰電流,其導(dǎo)電性能和峰電流響應(yīng)發(fā)生變化不明顯。

      3.6 干擾實驗

      實驗表明,當(dāng)Cu2+和Bi3+的濃度為1.0×10-8mol/L,允許誤差為≤±10.0%時,下列離子對Cu2+和Bi3+測定不干擾:1000倍的Cr3+,Mn2+,Zn2+,Mg2+,Al3+,Cd2+,Ba2+,NO3-,SO42-,PO43-;100倍的Ca2+,Co2+。

      4 樣品分析

      以GSD-2為樣品,利用微分電位溶出分析法檢測其中銅和鉍的含量。GSD-2為地球化學(xué)水系沉積物標(biāo)準(zhǔn)參考樣品[17]。

      樣品預(yù)處理步驟:準(zhǔn)確稱取0.2500g樣品于25mL比色管中,用少許水濕潤后加入4mL王水(1+1)于沸水浴中分解1.5h(中途要適當(dāng)搖動)。取下冷卻,用 HCl(0.6mol/L)稀釋至刻度,混勻。靜止澄清后,取樣,按照實驗方法,采用工作曲線法測定銅、鉍離子的含量,結(jié)果見表1。

      表1 樣品的分析結(jié)果Table 1 Analytical results of the samples /(μg·g-1)

      5 結(jié)論

      實驗利用摻雜硒碳糊電極作為工作電極,用微分電位溶出法同時測定了銅和鉍離子的濃度。在5.0×10-9~1.55×10-7mol/L范圍內(nèi),銅和鉍離子的濃度與微分電位溶出峰高(dt/dE)呈良好的線性關(guān)系,對實際樣品的測定,結(jié)果滿意。

      參考文獻

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