歐小冬

(中國大唐云南分公司觀音巖水電站，四川 攀枝花 617000)

1 概 述

大唐觀音巖水電站，是金沙江中游“一庫八級(jí)”梯級(jí)水電站中的最末一級(jí)，總裝機(jī)容量為5 ×600MW，設(shè)計(jì)年發(fā)電量在120 ～140 億kW·h 之間，目前，電站5 臺(tái)機(jī)組正進(jìn)行大壩和廠房基礎(chǔ)建設(shè)，發(fā)電機(jī)和勵(lì)磁設(shè)備正處于初步設(shè)計(jì)階段。

觀音巖電站1 ～3 號(hào)和4 號(hào)、5 號(hào)發(fā)電機(jī)分別由兩個(gè)廠家設(shè)計(jì)制造，5 套勵(lì)磁系統(tǒng)設(shè)備全部由另一廠家設(shè)計(jì)制造，由于不同發(fā)電機(jī)廠家提供的機(jī)組參數(shù)不相同，將直接影響勵(lì)磁設(shè)備參數(shù)的選擇和投產(chǎn)后勵(lì)磁設(shè)備的運(yùn)行工況。下面針對(duì)勵(lì)磁設(shè)備主要參數(shù)計(jì)算和選擇情況加以介紹，以為勵(lì)磁設(shè)備選型提供依據(jù)，并對(duì)勵(lì)磁設(shè)備選擇中存在的問題進(jìn)行分析。鑒于觀音巖電站發(fā)電機(jī)和勵(lì)磁設(shè)備目前還處于設(shè)計(jì)階段，本文就其勵(lì)磁設(shè)備選擇中存在的問題與廠家進(jìn)行商榷，希望與勵(lì)磁設(shè)備和發(fā)電機(jī)廠家及時(shí)溝通聯(lián)絡(luò)，解決設(shè)計(jì)中存在的不足，以保證電站投產(chǎn)后設(shè)備的可靠運(yùn)行。

2 勵(lì)磁變壓器參數(shù)計(jì)算與選擇

2.1 1 ～3 號(hào)機(jī)組勵(lì)磁變壓器計(jì)算與選擇

(1)二次側(cè)額定電流I2n。按1.1 倍額定勵(lì)磁電流計(jì)算考慮:I2n= 0.817IEN=2747A。其中，IEN=3362A，為1.1 倍額定勵(lì)磁電流值(即勵(lì)磁系統(tǒng)額定連續(xù)輸出電流值，由發(fā)電機(jī)廠家提供)。

故勵(lì)磁變二次側(cè)額定電流應(yīng)大于2747A。

(2)二次側(cè)額定電壓U20。按80%額定電壓下，頂值電壓為2 倍額定勵(lì)磁電壓考慮。根據(jù)簡化公式算得

U20= 2UfNmax/(0.8 ×1.35cosαmin)= 865V

式中:UfNmax=460V (發(fā)電機(jī)廠家提供)，是最大容量下的勵(lì)磁額定電壓值;αmin是勵(lì)磁系統(tǒng)強(qiáng)勵(lì)時(shí)可控硅控制角，一般計(jì)算中取10°。

同時(shí)，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)系數(shù)算得U20=940V。

故選擇勵(lì)磁變二次側(cè)額定電壓應(yīng)不小于940V，方能保證80%額定電壓下的頂值電壓920V 的要求。

(3)額定視在功率ST(3 相):

ST= 1.732U20I2nKa= 4732kVA

式中:U20取865V;Ka是計(jì)算勵(lì)磁變?nèi)萘康挠喽认禂?shù)，包括考慮勵(lì)磁變諧波影響等，一般取1.15。

2.2 4 ～5 號(hào)機(jī)組勵(lì)磁變壓器計(jì)算與選擇

同理，按上述計(jì)算方法可以算出:I2n= 2830A，U20= 1030V(根據(jù)簡化公式)，U20=1120V (根據(jù)經(jīng)驗(yàn)系數(shù))，ST=5806kVA。在計(jì)算中，發(fā)電機(jī)廠家提供數(shù)據(jù)為IEN=3465A、UfNmax=548V。

3 可控硅整流橋計(jì)算與選擇

3.1 1 ～3 號(hào)可控硅整流橋計(jì)算與選擇

(1)閾值電壓VTO取0.96V。

(2)反向重復(fù)峰值電壓UW=1.414 × 2.75U20=1.414 ×2.75 ×940V=3655V (選取4200V)。

(3)斜率電阻RT取0.00028Ω。

(4)恢復(fù)電荷取5500μAs。

(5)最高結(jié)溫TJ允許125℃ (取125℃)。

(6)據(jù)ABB 提供的數(shù)據(jù)估算，在機(jī)組最大輸出和強(qiáng)勵(lì)工況下，系統(tǒng)至少要有3 臺(tái)可控硅整流橋并聯(lián)運(yùn)行;不包括強(qiáng)勵(lì)在內(nèi)的最大額定輸出工況下，系統(tǒng)至少要有2 臺(tái)可控硅整流橋并聯(lián)運(yùn)行;按照“當(dāng)有2臺(tái)整流橋退出運(yùn)行時(shí)，勵(lì)磁系統(tǒng)需滿足不包括強(qiáng)勵(lì)在內(nèi)所有工況”的要求，系統(tǒng)則需采用4 臺(tái)可控硅整流橋并聯(lián)運(yùn)行。

(7)均流系數(shù)kcs按要求應(yīng)不小于0.85 (取0.9)。

(8)最高使用環(huán)境溫度TAMB:按要求取40℃。

(9)強(qiáng)勵(lì)時(shí)間tp按要求應(yīng)不小于20s (取20s)。

按上述參數(shù)選取可控硅型號(hào)為ABB 可控硅5STP18H4200。

(10)兩臺(tái)可控硅整流橋并聯(lián)運(yùn)行于最大連續(xù)運(yùn)行工況時(shí)的可控硅實(shí)際結(jié)溫核算:

1)單臺(tái)可控硅損耗計(jì)算:通態(tài)電流ITEN、開通損耗PONEN、關(guān)斷損耗POFFEN、通態(tài)損耗PFEN及總損耗PTEN。

ITEN= IEN/ (npminkcs)= 3362/ (2 ×0.9)= 1868A

式中:npmin為控硅整流橋運(yùn)行于最大連續(xù)運(yùn)行工況下并聯(lián)支路數(shù)。

查得:PONEN＜20W，POFFEN＜150W，則

PFEN= (ITENVTO+ ITEN2RT)/3 = 923.5W

PTEN= PFEN+ PONEN+ POFFEN= 1093.5W

2)穩(wěn)態(tài)熱阻Zthmax計(jì)算:

Zthmax= (TJ－PTEN× Rth－TAMB)/PTEN= 48.242K/kW

式中:Rth為可控硅表面熱阻，取48.16 K/kW。

3)可控硅實(shí)際結(jié)溫Tjen計(jì)算:

Tjen= TAMB+ (PTENZthmax)/1000 ＜93℃

故兩臺(tái)可控硅整流橋運(yùn)行，完全能滿足連續(xù)輸出1.1 倍額定勵(lì)磁電流的要求。

(11)三個(gè)可控硅整流橋并聯(lián)在最大連續(xù)運(yùn)行工況下發(fā)生強(qiáng)勵(lì)時(shí)可控硅實(shí)際結(jié)溫核算。

通態(tài)電流ITENP= IP/(npminkcs) =6114/(3 ×0.9)=2264A。其中，IP為強(qiáng)勵(lì)電流。

查得:開通損耗Ponp＜25W，關(guān)斷損耗PoffP＜160W，則通態(tài)損耗PFP、總損耗PTENP為

PFP= (ITENPVTO+ ITENP2RT)/3 = 1203.2W

PTENP= PFP+ Ponp+ PoffP= 1388.2W

算得:穩(wěn)態(tài)熱阻ZthP=389.5K/kW。

實(shí)際可控硅結(jié)溫Tjenp為

Tjenp= Tjen+ (PTENP－PTEN)× Zthmax/1000 ＜118℃

故三臺(tái)可控硅整流橋柜運(yùn)行完全滿足系統(tǒng)頂值電流2 倍額定電流20s 的要求。

因此選取ABB 可控硅型號(hào)5STP18H4200 合理，其可控硅電壓為4200V，通態(tài)平均電流2075A，通態(tài)最大電流有效值3260A。

3.2 4 號(hào)、5 號(hào)可控硅整流橋計(jì)算與選擇

同理，按照上述計(jì)算方法算得:可控硅反向重復(fù)峰值電壓UW為4356V，兩臺(tái)可控硅整流橋并聯(lián)運(yùn)行于最大連續(xù)運(yùn)行工況下和三臺(tái)可控硅整流橋并聯(lián)運(yùn)行于最大連續(xù)運(yùn)行工況下并發(fā)生強(qiáng)勵(lì)時(shí)可控硅實(shí)際結(jié)溫分別為95 !C 和120 !C。根據(jù)計(jì)算，可控硅整流橋選取型號(hào)為ABB 的5STP25L5200，其可控硅電壓為5200V，通態(tài)平均電流2760A，通態(tài)最大電流有效值4360A。

4 滅磁電阻和轉(zhuǎn)子過壓保護(hù)選型與校驗(yàn)

4.1 SiC 并聯(lián)組數(shù)和串聯(lián)組數(shù)選擇

受最惡劣工況下最高滅磁電壓的限制，必須選擇并聯(lián)冗余。要滿足最小冗余度的要求，比較接近的方案是6 并或5 并，為得到相對(duì)快的滅磁時(shí)間，取并聯(lián)組數(shù)NRP=6，對(duì)應(yīng)冗余度20%。同時(shí)，串連組數(shù)不宜過高，故取串連組數(shù)NRS=2。

4.2 整組SiC 電阻通流能力IRmax計(jì)算

按照退出1 組并聯(lián)SiC 支路運(yùn)行考慮，5 組并聯(lián)時(shí)的最大通流能力為

IRmax= (NRP－1)IRSmax= 30kA

式中:IRSmax為單組SiC 通流能力，其值為6kA。

4.3 整組SiC 工作能容ER計(jì)算

因串、并聯(lián)組數(shù)分別為2 和6，故工作能容為

ER= NRSNRPERS= 12MJ

式中，ERS為單組SiC 容量，其值為1MJ。

4.4 整組特性

對(duì)于同一型號(hào)SiC 電阻進(jìn)行串、并聯(lián)而形成的整組SiC 非線性電阻，其特性可由下式表達(dá):

式中，UR為滅磁電壓;ARS為單組SiC 電阻電壓系數(shù)(ARS=29Ω);β 為單組SiC 非線性系數(shù)(β =0.4);IR為滅磁電流。

根據(jù)4.2 冗余原則，故障時(shí)將退出一個(gè)并聯(lián)支路。在此情況下，滅磁電壓和容量均有所增加，故此后的計(jì)算均以串、并聯(lián)組數(shù)分別為2、5 為基礎(chǔ)，整組特性為

4.5 發(fā)電機(jī)強(qiáng)勵(lì)期間發(fā)生機(jī)端三相短路動(dòng)作滅磁計(jì)算

(1)滅磁初始電流IffSC(仿真結(jié)果)。根據(jù)國際上經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)IffSC為9000A，經(jīng)仿真為IffSC=9800A。

(2)滅磁電壓URSC。在IffSC=9800A 情況下計(jì)算滅磁開關(guān)最小弧壓，IffSC全部流入非線性電阻產(chǎn)生的電壓URSC為

該值小于70%滅磁電阻耐壓試驗(yàn)電壓(5000V ×70%)，也小于可控硅4200V 阻斷電壓。

(3)滅磁能量計(jì)算。強(qiáng)勵(lì)期間發(fā)生機(jī)端三相短路滅磁時(shí)滅磁電阻吸收能量E3phSC，經(jīng)仿真計(jì)算為7607.5kJ。

4.6 發(fā)電機(jī)空載過壓保護(hù)動(dòng)作滅磁瞬間計(jì)算

(1)滅磁電壓URPL。在轉(zhuǎn)子電流IPL=9690A 情況下計(jì)算滅磁開關(guān)的最小弧壓，IPL全部流入非線性電阻產(chǎn)生的電壓URPL為

該值小于70%滅磁電阻耐壓試驗(yàn)電壓，也小于可控硅阻斷電壓。

(2)滅磁能量E3phSC。發(fā)電機(jī)空載過壓保護(hù)動(dòng)作滅磁時(shí)滅磁電阻吸收能量E3phSC經(jīng)仿真計(jì)算為8975kJ。

4.7 滅磁過程仿真計(jì)算

(1)計(jì)算依據(jù)。用于計(jì)算機(jī)仿真的發(fā)電機(jī)模型符合IEC 34—10 《用于描述同步電機(jī)的約定》和IEEE Std.1110.1991 《同步電機(jī)建模實(shí)踐和穩(wěn)定性研究指南》。

(2)機(jī)端三相短路計(jì)算機(jī)仿真輸出見圖1、圖2。

圖1 滅磁電流與滅磁時(shí)間關(guān)系

圖2 滅磁電壓與滅磁時(shí)間關(guān)系

仿真計(jì)算結(jié)果:機(jī)端三相短路時(shí)滅磁能量7607.5kJ，從起始峰值10000A 到起始值的10%約需2.5s，最高滅磁電壓1200V。

(3)發(fā)電機(jī)空載過壓保護(hù)動(dòng)作條件下的計(jì)算機(jī)滅磁仿真輸出見圖3、圖4。

初始電流為9690A，飽和因素已考慮在內(nèi)。

仿真結(jié)果:發(fā)電機(jī)空載過電壓保護(hù)滅磁能量8975kJ，從起始值9690A 到起始值的10%約需5.2s，最高滅磁電壓約1130V。

4.8 轉(zhuǎn)子過壓保護(hù)定值選擇

(1)最高定值選定。為70%的轉(zhuǎn)子對(duì)地試驗(yàn)電壓幅值 (4950V)和可控硅正向和反向阻斷電壓(4200V)的最小值。選定過電壓最高值為4200V。

(2)最低定值選定。為換相尖峰過電壓值(＜2U20，1980V)和滅磁電阻最高允許滅磁電壓(1882V)的最大值。選定過電壓最低值為1980V。

(3)初選動(dòng)作定值。選擇BOD 觸發(fā)元件的動(dòng)作電壓2800V，滿足上述限制的要求。作用于正反向過壓保護(hù)。故最終確定過電壓保護(hù)動(dòng)作值為2800V。

4.9 滅磁電阻選擇

經(jīng)過計(jì)算，最終確定:SiC 滅磁電阻采用12 組，每組1MJ，6 路并聯(lián)，2 路串聯(lián)。其型號(hào)為600A/US16/P1Spes.6298。生產(chǎn)廠家為英國M＆I。

5 直流磁場(chǎng)斷路器和跨接器選型

5.1 直流磁場(chǎng)斷路器選擇

(1)額定電流IDC:

IDC＞1.2IDCmax= 1.2 ×3150A = 3780A

式中:IDCmax為4 號(hào)、5 號(hào)勵(lì)磁系統(tǒng)最大連續(xù)輸出電流值。

選擇IDC=4500A。

(2)額定電壓UDC:

UDC＞1.2Ufn= 1.2 ×548V = 657V

式中:Ufn為4 號(hào)、5 號(hào)勵(lì)磁系統(tǒng)額定勵(lì)磁電壓。

選擇UDC=2000V。

(3)工頻耐壓UBRTEST。UBRTEST＞UTEST= 5000V，選擇UBRTEST=15kV。

式中:UTEST為轉(zhuǎn)子繞組對(duì)地工頻耐壓值。

(4)短時(shí)過流能力IOL。IOL＞IP=6300A，選擇IOL=13.5kA。

(5)開斷電流IDCBR。IDCBR＞IDCSC=37KA，選擇IDCBR=75kA。式中:IDCSC為可控硅短路電流。根據(jù)上述計(jì)算，選擇滅磁開關(guān)為HPB45M-82S。

5.2 磁場(chǎng)斷路器弧壓驗(yàn)算

不同滅磁工況時(shí)，采用阻斷脈沖的方式，對(duì)弧壓的要求是高于2000V，所選磁場(chǎng)斷路器弧壓4000V 滿足要求。

5.3 發(fā)電機(jī)強(qiáng)勵(lì)期間發(fā)生機(jī)端三相短路滅磁時(shí)磁場(chǎng)斷路器弧壓驗(yàn)算

此時(shí)電源電壓為0，需要的磁場(chǎng)斷路器最小弧壓為

Uarcmin= 0 + URSC= 0 +1200 = 1200V

斷路器的弧壓為4000V ＞1200V，能夠可靠滅磁，滿足要求。

5.4 發(fā)電機(jī)空載過壓保護(hù)動(dòng)作滅磁時(shí)磁場(chǎng)斷路器弧壓驗(yàn)算

此時(shí)的電源電壓為

UEL= 1.35U20×1.305cos10°－(3xtot/3.14 +2rtot)IPLU202/Sn－∑ΔU = 1700

Uarcmin= URPL+ UEL= 1197 +1700 = 2897V

斷路器的弧壓為4000V ＞2897V，發(fā)電機(jī)空載誤強(qiáng)勵(lì)時(shí)能夠可靠滅磁。

5.5 滅磁觸頭和跨接器驗(yàn)算

發(fā)電機(jī)機(jī)端三相短路滅磁時(shí)起始電流最大值為10000A。0 ～0.2s 對(duì)應(yīng)的安秒特性為10.8MA2s，與斷路器配合的 (單管)跨接器可控硅3BHS126939 的0 ～0.2s 安秒特性為15.3MA2s，遠(yuǎn)高于實(shí)際短路時(shí)的安秒特性，滿足要求。

結(jié)論:滅磁開關(guān)HPB45M-82S 滿足和超過所有招標(biāo)書技術(shù)要求，跨接器主回路采用3BHS126939。

6 起勵(lì)回路計(jì)算與選擇

(1)最小起勵(lì)電流Iffmin。在最低系統(tǒng)電壓下保證達(dá)到建立10% Ugn(Ugn為發(fā)電機(jī)機(jī)端額定電壓)所需的起勵(lì)電流為Iffmin≤10%IER0=185A

式中:IER0為發(fā)電機(jī)空載轉(zhuǎn)子電流，其值為1850A。

(2)10%Ugn對(duì)應(yīng)的勵(lì)磁變壓器二次側(cè)電壓約為

10%U20= 112V ＞10V

(3)最低整流電壓Udmin(采用單相整流以降低起勵(lì)電阻損耗)為

Udmin= 0.9KULOUFF2－2UD= 21V

式中:KULO為最低電源電壓系數(shù)，取值0.85;UFF2為起勵(lì)變二次則電壓，取值A(chǔ)C30V;UD為二極管壓降，取值1V。

(4)起勵(lì)電纜電阻Rcth。考慮共使用12mm2銅導(dǎo)線10m，在65 !C 時(shí)Rcth=1.6 ×10-2× (1 +0.0043 ×65) ×10/12 = 0.017 "

線路壓降為

0.0173 ×185≈3V

根據(jù)計(jì)算選擇:交流起勵(lì)變壓器為220V/20V，容量為3.6kVA。

(5)直流起勵(lì):

最小起勵(lì)電源電壓為220 ×80% =176V。

起勵(lì)電阻的電壓降為Urmin=165V。

起勵(lì)電阻值為Rff=Urmin/Iffmin#0.9 "。

對(duì)應(yīng)的起勵(lì)電阻功率為Pmax=Iffmin2Rff=30kW，取Pmax的10%為起勵(lì)電阻的額定功率，即3kW。

根據(jù)計(jì)算選擇:起勵(lì)接觸器的額定值為220V、315A，直流起勵(lì)電源容量為40kVA，起勵(lì)電阻為0.9 "、3kW。

7 存在問題分析及建議

(1)4 號(hào)、5 號(hào)勵(lì)磁變二次側(cè)額定電壓選擇偏高，已進(jìn)入高危參數(shù)范圍。實(shí)踐證明，勵(lì)磁變二次側(cè)額定電壓超過1000V，就標(biāo)志著進(jìn)入了高危參數(shù)范圍;4號(hào)、5 號(hào)勵(lì)磁變二次側(cè)額定電壓選擇為1120V ＞1000V，已進(jìn)入高危參數(shù)范圍，將會(huì)給勵(lì)磁系統(tǒng)設(shè)備及發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子的正常運(yùn)行帶來很多負(fù)面影響。

(2)4 號(hào)、5 號(hào)勵(lì)磁變二次側(cè)額定電壓選擇過高，會(huì)造成勵(lì)磁系統(tǒng)運(yùn)行工況不好。勵(lì)磁變二次側(cè)額定電壓過高，不僅在經(jīng)濟(jì)上增加了投資;在設(shè)計(jì)制造上會(huì)增大相關(guān)勵(lì)磁設(shè)備選型的難度，尤其是直流滅磁開關(guān)的選擇難度;在安全上降低了勵(lì)磁系統(tǒng)回路所有運(yùn)行設(shè)備的壽命，特別是發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子等主要設(shè)備的壽命;而且會(huì)使可控硅在空載勵(lì)磁電壓和額定勵(lì)磁電壓只有幾百伏(一般不超過500V)的勵(lì)磁系統(tǒng)中運(yùn)行時(shí)，其控制角將處于深度控制角度(85°左右)狀態(tài)。由此造成兩個(gè)主要問題:第一是降低了運(yùn)行功率因數(shù)，增加了勵(lì)磁回路的損耗;第二是增大了勵(lì)磁整流器交直流側(cè)過電壓，降低了運(yùn)行設(shè)備的可靠性。在這些過電壓的不斷沖擊下，勵(lì)磁變二次電壓回路、轉(zhuǎn)子回路設(shè)備包括轉(zhuǎn)子，其運(yùn)行壽命必將縮短。在控制角約為85°這種深度控制下，可控硅換相點(diǎn)就在勵(lì)磁變二次電壓的峰值附近，進(jìn)一步加重了可控硅柜換相過電壓的尖峰值，使勵(lì)磁變二次側(cè)過電壓倍數(shù)大于工程領(lǐng)域要求的最佳倍數(shù)1.5，在高過電壓作用下，會(huì)直接導(dǎo)致勵(lì)磁設(shè)備絕緣擊穿。另外，勵(lì)磁變二次側(cè)額定電壓過高，還會(huì)加大發(fā)電機(jī)軸電壓，不利于機(jī)組安全運(yùn)行。

(3)4 號(hào)、5 號(hào)勵(lì)磁變二次側(cè)額定電壓選擇偏高原因分析。根據(jù)前面勵(lì)磁變額定二次電壓計(jì)算和選擇情況可以看出，計(jì)算中勵(lì)磁頂值電壓倍數(shù)是按照GB/T 7409.3—2007 《同步電機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)大、中型同步發(fā)電機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)技術(shù)要求》規(guī)定的“按照2.0 倍和80%電壓考慮”條件選擇的，也是合理的?？刂平嵌冗x擇10°也沒問題。最后鎖定勵(lì)磁變二次側(cè)額定電壓偏高是發(fā)電機(jī)廠家提供的額定勵(lì)磁電壓值UfNmax=548V 偏高所致。

(4)處理建議。要使4 號(hào)、5 號(hào)勵(lì)磁變二次側(cè)額定電壓在1000V 以下，發(fā)電機(jī)廠家必須通過優(yōu)化設(shè)計(jì)降低發(fā)電機(jī)額定勵(lì)磁電壓(最好在490V 以下)，同時(shí)將重新設(shè)計(jì)后的相關(guān)發(fā)電機(jī)參數(shù)及時(shí)通知?jiǎng)?lì)磁廠家，以便勵(lì)磁廠家選擇合適的勵(lì)磁設(shè)備，避免因設(shè)計(jì)問題而影響設(shè)備正常投運(yùn)。

［1］ 章俊，胡先洪，陳小明.勵(lì)磁陽極過壓保護(hù)裝置及其在三峽電廠的應(yīng)用［J］.水電站機(jī)電技術(shù)，2007(6).

［2］ 朱方，劉增煌.三峽電站發(fā)電機(jī)強(qiáng)勵(lì)倍數(shù)及附加勵(lì)磁控制的研究［J］.電網(wǎng)技術(shù)，1992(8).

［3］ 李基成.大型水輪發(fā)電機(jī)組勵(lì)磁系統(tǒng)選擇的新思維［C］.∥中國水力發(fā)電工程學(xué)會(huì)電力系統(tǒng)自動(dòng)化專業(yè)委員會(huì)電力系統(tǒng)穩(wěn)定及發(fā)電機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)學(xué)科組第三屆年會(huì)2004 學(xué)術(shù)論文集.2004.