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      InSb晶片材料性能表征與機(jī)理分析

      2013-08-17 10:47:40折偉林陳元瑞
      激光與紅外 2013年10期
      關(guān)鍵詞:晶片單晶晶格

      鞏 鋒,程 鵬,吳 卿,折偉林,陳元瑞

      (華北光電技術(shù)研究所,北京100015)

      1 引言

      直接帶隙半導(dǎo)體InSb材料,室溫禁帶寬度0.18 eV、極高的電子遷移率和小的電子有效質(zhì)量等獨(dú)特的半導(dǎo)體性質(zhì)決定了其可用于制造高性能3~5 μm中波紅外探測(cè)器。

      目前InSb材料的紅外探測(cè)器已由單元、多元發(fā)展至一維線列和二維凝視焦平面陣列[1-4]。當(dāng)前,基于InSb焦平面探測(cè)器的制備工藝已相當(dāng)成熟,國(guó)外公開報(bào)導(dǎo)的InSb探測(cè)器規(guī)模已達(dá)到6000×1線列和2048×2048面陣焦平面陣列,并已廣泛地應(yīng)用于紅外追蹤、制導(dǎo)、熱成像、監(jiān)視、偵察、預(yù)警和天文觀察等軍事與民用紅外系統(tǒng)中,并取得了很好的結(jié)果。

      2 晶體生長(zhǎng)及性能測(cè)試表征

      InSb單晶生長(zhǎng)采用Czochralski法,提拉桿下端裝夾(211)晶向籽晶,生長(zhǎng)過程中提拉桿同時(shí)做向上提拉運(yùn)動(dòng)和旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng),獲得了不同直徑高性能Te摻雜N型 InSb(211)單晶[5](如圖 1所示)。InSb(211)單晶經(jīng)定向、切割、研磨和拋光,獲得不同尺寸的InSb(111)晶片(如圖2所示)。

      采用腐蝕坑密度(EPD)來表征InSb晶體的位錯(cuò)密度;用X光形貌來表征晶片的宏觀晶體均勻性和質(zhì)量;用ATE-E型X射線雙晶衍射半峰寬表征晶片材料的晶格完整性;用范德堡法對(duì)材料的電學(xué)參數(shù)進(jìn)行霍爾測(cè)試。隨機(jī)抽取3個(gè)InSb晶片,片號(hào)分別為 JHJ1:A185-101、JHJ2:A181-78和 JHJ3:A182-54。每個(gè)晶片取連續(xù)14個(gè)5mm×5mm測(cè)試區(qū)域,樣品測(cè)試點(diǎn)分布如圖3所示。

      圖3 InSb晶片樣品測(cè)試點(diǎn)分布示意圖

      3 結(jié)果討論及機(jī)理分析

      3.1 結(jié)果討論

      1)位錯(cuò)密度

      由圖4可知,InSb晶片材料整體位錯(cuò)極少,3片材料均在靠近參考邊7mm范圍以內(nèi)位錯(cuò)相對(duì)稍多,但均遠(yuǎn)少于50/cm2(代表國(guó)際上最高水平的美國(guó)Galaxy、英國(guó) WT和加拿大Firebird報(bào)道的位錯(cuò)密度小于50/cm2),可見InSb晶片材料晶格質(zhì)量極高。

      2)X光形貌

      圖5 InSb晶片X光形貌圖

      從圖5 X光形貌圖發(fā)現(xiàn)所有晶片宏觀晶格質(zhì)量均勻性良好,襯度均勻,未見明顯突變區(qū)域。圖中上下半?yún)^(qū)顏色差異是由于晶片固定方式造成晶片變形所致,并非晶片本身晶格襯度真實(shí)的反映。

      3)X射線雙晶衍射半峰寬

      從圖6數(shù)據(jù)可以看出,整片材料半峰寬基本小于30arcsec,部分區(qū)域半峰寬接近個(gè)位數(shù),材料晶格完整性好,整體質(zhì)量較高,未見區(qū)域或規(guī)律性分布。

      4)電學(xué)參數(shù)

      圖7 InSb晶片電學(xué)參數(shù)分布

      從以上數(shù)據(jù)可以看出,整片材料電學(xué)參數(shù)分布較均勻,n型摻雜濃度在5.5~10×1014cm-3,遷移率在2.4~4.5×105cm2/V·s,只有一個(gè)點(diǎn)意外,其濃度為11.676×1014cm-3;但隨著靠近參考邊,摻雜濃度有緩慢增大趨勢(shì)。

      3.2 機(jī)理分析

      由測(cè)試結(jié)果可知,InSb晶片材料整體質(zhì)量較高;但在靠近參考邊區(qū)域,位錯(cuò)密度、X射線雙晶衍射半峰寬、摻雜濃度增大,晶體質(zhì)量稍低,這和(211)晶向InSb單晶生長(zhǎng)原理密切相關(guān)。

      由(211)晶向InSb單晶生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)原理,徑向不同方向的生長(zhǎng)速率不同,差異較大,三個(gè)方向生長(zhǎng)速率較快,另一個(gè)方向生長(zhǎng)速率較慢,因此導(dǎo)致近似“梯形狀”晶錠截面,如圖由圖8、圖9所示。在晶體生長(zhǎng)的開始階段,由于籽晶表面晶格的不完整性導(dǎo)致隨后晶體生長(zhǎng)的位錯(cuò)遺傳性和延續(xù)性,因此在籽晶附近晶片位錯(cuò)密度較高。隨著晶體的生長(zhǎng),在合適條件下生長(zhǎng)較快的方向,自然結(jié)晶導(dǎo)致位錯(cuò)的逐漸湮滅和閉合,位錯(cuò)密度降低;而生長(zhǎng)較慢的方向,雖然整體上位錯(cuò)也在降低,但由于生長(zhǎng)較慢在生長(zhǎng)結(jié)束時(shí)晶錠邊緣距籽晶位置仍然很近,InSb晶片的參考邊與211晶向晶錠生長(zhǎng)的籽晶位置相近或重合,因此該區(qū)域位錯(cuò)密度較高。

      雖然InSb晶片在靠近參考邊區(qū)域半峰值稍增大,由位錯(cuò)密度(ρ)和X射線雙晶衍射半峰寬(Wm)之間的理論關(guān)系:ρ=/4.35b2推導(dǎo),X射線雙晶衍射半峰寬相應(yīng)增大,但測(cè)試結(jié)果并未出現(xiàn)區(qū)域分布。X射線雙晶衍射半峰寬表征的是2μm×2μm區(qū)域內(nèi)的晶格完整性,而InSb單晶整體質(zhì)量較高,單位面積內(nèi)位錯(cuò)很少,而且不是均勻分布,這樣落在2μm×2μm區(qū)域內(nèi)的位錯(cuò)數(shù)極少,不會(huì)影響X射線雙晶衍射半峰寬,未呈現(xiàn)區(qū)域性規(guī)律分布。

      InSb單晶生長(zhǎng)的N型摻雜劑為Te,在InSb熔體中的平衡分凝系數(shù)為0.6。由平衡系數(shù):k0=cS/cL,cS<cL,Te雜質(zhì)容易留在熔體里,摻雜較困難。在晶體旋轉(zhuǎn)生長(zhǎng)過程中,生長(zhǎng)速率較慢的徑向在整個(gè)生長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)生長(zhǎng)體積較小,而在相同生長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)摻入的Te原子數(shù)接近,因此導(dǎo)致在生長(zhǎng)較慢的徑向摻雜濃度較高,即InSb晶片參考邊區(qū)域附件摻雜濃度較高。

      4 結(jié)論

      通過對(duì)2 in InSb(111)晶片材料位錯(cuò)密度、X光形貌、X射線雙晶衍射半峰寬和電學(xué)參數(shù)進(jìn)行了整片均勻性測(cè)試表征,結(jié)合InSb晶體生長(zhǎng)原理對(duì)晶片位錯(cuò)密度高、摻雜濃度的區(qū)域性分布進(jìn)行了深層機(jī)理分析,材料整體性能極佳。

      [1] Du Hongyan.PN junction in InSb by Be ion implantation[J].Laser& Infrared,2012,42(2):161 -164.(in Chinese)杜紅艷.InSb中Be離子注入成結(jié)研究[J].激光與紅外,2012,42(2):161 -164.

      [2] Wen Tao,et al.Study on reactive ion etching damage of InSb wafer[J].Laser & Infrared,2010,40(6):622 -624.(in Chinese)溫濤,等.反應(yīng)離子刻蝕InSb芯片引入的損傷研究[J].激光與紅外,2010,40(6):622 -624.

      [3] Jia Baojun,Zhang Xinyu,Wang Xinyu.Research on the quantum efficiency of InSb photoconductivity detector[J].Laser& Infrared,2009,39(7):746 -748.(in Chinese)賈寶軍,張新宇,王新宇.InSb光導(dǎo)探測(cè)器量子效率研究[J].激光與紅外,2009,39(7):746 -748.

      [4] Wei Shuling,Ying Mingjiong.Wet etching of InSb for focal plane arrays[J].Laser & Infrared,2008,38(9):899 -901.(in Chinese)韋書領(lǐng),應(yīng)明炯.InSb晶片濕法化學(xué)刻蝕研究[J].激光與紅外,2008,38(9):889 -901.

      [5] Wang Zhifang,Wang Yanhua.Diameter controlling of large diameter InSb crystal[J].Infrared,2011,32(1):27 -30.(in Chinese)王志芳,王燕華.大尺寸銻化銦晶體生長(zhǎng)等徑技術(shù)研究[J].紅外,2011,32(1):27 -30.

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