寸不斷縮小，對(duì)硅單晶質(zhì)量提出了越來越高的要求[1]。單晶的各項(xiàng)參數(shù)的優(yōu)劣，對(duì)后續(xù)芯片的性能有著很大的影響，尤其是單晶體缺陷的存在會(huì)造成器件漏電、擊穿等現(xiàn)象的發(fā)生[2-4]。因此，綜合考慮單晶的品質(zhì)，分析各單晶參數(shù)之間的關(guān)聯(lián)性變得越來越重要。然而，各種單晶參數(shù)僅被獨(dú)立地看待，并沒有對(duì)單晶各項(xiàng)參數(shù)的關(guān)聯(lián)性進(jìn)行系統(tǒng)分析。本文分別對(duì)N＜111＞輕摻P單晶和N＜111＞重?fù)紸s單晶的壽命、不均勻性、旋渦等參數(shù)進(jìn)行了差異分析，并對(duì)相關(guān)性產(chǎn)生的原因以及對(duì)單晶拉制和測(cè)試的

1-2]。磷化銦單晶，按電學(xué)性質(zhì)分為：摻S-N型、摻Zn-P型和摻Fe-半絕緣型。N型磷化銦單晶主要應(yīng)用于光纖通信領(lǐng)域中的高速光電器件，如激光二極管、發(fā)光二極管、光探測(cè)器等[3]；P型磷化銦主要應(yīng)用于空間高效抗輻射太陽能電池[4]；半絕緣型磷化銦單晶電阻率在 1×107～1×108Ω·cm，多用于微波、毫米波電子器件及光電集成電路等[5]。Mullin[6]于1965年用高壓液封直拉法(LEC法)首次生長(zhǎng)出磷化銦單晶，此后，LEC法也持續(xù)被應(yīng)用在磷化銦單晶

00)0 引 言單晶光纖，顧名思義是具有纖維結(jié)構(gòu)的功能晶體材料，其結(jié)合了體塊晶體的本征特性以及玻璃光纖的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能以及大的比表面積，被認(rèn)為是下一代光纖器件的潛在載體。自1914年da Costa Andrade首次報(bào)道熔體法制備金屬纖維以來，單晶光纖已經(jīng)有了超過一個(gè)世紀(jì)的發(fā)展歷程。近年來隨著激光加熱基座法(laser heated pedestal growth, LHPG)、微下拉法(μ-PD)、導(dǎo)模法(edge-defined

得非常復(fù)雜。由于單晶具有較簡(jiǎn)單的微觀組織且無晶界，能更準(zhǔn)確地表征晶體內(nèi)的位錯(cuò)分布和變化。因此本文選用單晶鋁作為研究對(duì)象，以便更直觀地揭示由磁場(chǎng)引起的位錯(cuò)變化與力學(xué)性能改善之間的關(guān)系。將單晶鋁在交變磁場(chǎng)中加熱，檢測(cè)加熱前后單晶鋁的拉伸性能和硬度；在靜磁場(chǎng)中測(cè)定單晶鋁的硬度并計(jì)算位錯(cuò)密度；探討磁場(chǎng)影響單晶鋁力學(xué)性能的機(jī)制。1 試驗(yàn)材料與方法采用改良的Bridgman方法［18］制備［001］取向的單晶鋁，其原料為純度99.99%（質(zhì)量分?jǐn)?shù)）的高純鋁。交變磁場(chǎng)加

步研制應(yīng)用鉬酸鹽單晶的低溫輻射量熱器?；阢f酸鹽閃爍單晶的前期實(shí)驗(yàn)研究，鉬酸鋰單晶(Li2MoO4, LMO)被選用作低溫輻射量熱器的關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)材料，而且要求其中含有高豐度Mo100同位素。另外，為滿足壓低單晶元件的放射性本底的性能要求，所研制LMO單晶應(yīng)盡可能去除多種金屬元素雜質(zhì)，特別是較強(qiáng)放射性的232Th和238U等錒系元素雜質(zhì)。為了提供建造低溫輻射量熱器所需LMO單晶，本團(tuán)隊(duì)首先應(yīng)用垂直區(qū)熔方法先行制備高純晶塊料，再通過提拉法成功生長(zhǎng)出無色透明大尺寸

1和0.7。鐵電單晶材料，擁有較好的壓電性能和較高的介電常數(shù)，d33＞1 500 pC·N-1，k33約為0.9，可以顯著提高醫(yī)學(xué)超聲成像系統(tǒng)的圖像質(zhì)量[1]，適合換能器的高性能化和超聲系統(tǒng)小型化的發(fā)展需求[2]。近年來，國內(nèi)外研究團(tuán)隊(duì)在鐵電單晶的理論研究、晶體生長(zhǎng)上取得了突破性成就，給超聲換能器帶來了新的發(fā)展機(jī)遇。在本文中，概述了近年來一些團(tuán)隊(duì)在鐵電單晶上的研究進(jìn)展，總結(jié)了國內(nèi)研究機(jī)構(gòu)和超聲企業(yè)在鐵電單晶換能器產(chǎn)業(yè)化上的現(xiàn)狀和前景。1 鐵電單晶的新突破鐵

多年來，弛豫鐵電單晶受到學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界的廣泛重視，這是由于弛豫鐵電單晶超高壓電性能大幅超過了傳統(tǒng)占主導(dǎo)地位的鋯鈦酸鉛Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)壓電陶瓷，并且Philips公司于2004年成功制備出了基于Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-PT或PMNT)單晶的、具有超高成像質(zhì)量的醫(yī)用超聲換能器產(chǎn)品，推動(dòng)了國際上利用弛豫鐵電單晶來發(fā)展新一代壓電器件的應(yīng)用熱潮；另一方面，不同于傳統(tǒng)學(xué)術(shù)界對(duì)鈣鈦礦型鐵電材料的相關(guān)認(rèn)識(shí)，弛豫鐵電單晶

，對(duì)高質(zhì)量ZnO單晶，特別是低缺陷和低載流子濃度的ZnO單晶的需求，是人們一直追求的目標(biāo)。目前，制備ZnO單晶的方法主要有水熱法、助熔劑法、加壓熔融法、化學(xué)氣相輸運(yùn)法(CVT)等[4-7]。這些方法要獲得高質(zhì)量的ZnO單晶依舊很困難。在這些方法中，水熱法是最為成熟的一種方法，但是，該方法生長(zhǎng)過程中容易引入較多的雜質(zhì)離子(K+、Li+)，同時(shí)使用設(shè)備較昂貴、污染性大[8]。氣相輸運(yùn)法生長(zhǎng)環(huán)境要求較高，但其設(shè)備成本比較低、雜質(zhì)含量低，有利于提高單晶的純度與質(zhì)量

形態(tài)的優(yōu)勢(shì)和體塊單晶的優(yōu)異物化性能結(jié)合起來的單晶光纖是解決固體激光器目前所遇到的功率限制的方案之一。此外,將閃爍體塊單晶制備成光纖形態(tài),通過簡(jiǎn)單的加工后可用于高空間分辨率的閃爍體陣列探測(cè)器,能夠大幅降低Ce:LYSO、Ce:LuAG晶體閃爍器件的生產(chǎn)與加工成本,在新一代高能射線和粒子探測(cè)器的發(fā)展和應(yīng)用中也具有潛在前景和市場(chǎng)。近年來多個(gè)團(tuán)隊(duì)圍繞單晶光纖開展了相關(guān)研究,法國里昂第一大學(xué)等采用微下拉法制備的Yb:YAG單晶光纖實(shí)現(xiàn)了超過250 W的連續(xù)激光輸出,

引言Ga2O3單晶是一種透明半導(dǎo)體氧化物,有五種同分異構(gòu)體α、β、γ、δ、ε,但在高溫下能夠通過熔體法制備的只有β相氧化鎵是穩(wěn)定的[1-3],β-Ga2O3是單斜晶系,空間群為C2/m,晶格參數(shù)為a=1.2214 nm,b=0.3037 nm,c=0.5798 nm,β=103.83°[4]。β-Ga2O3的透過覆蓋范圍為深紫外區(qū)到紅外區(qū)(260～7730 nm),其吸收截止邊在260 nm附近,位于日盲紫外區(qū)域,因而β-Ga2O3是一種天然制備日盲紫外

言鉛基弛豫型鐵電單晶具有優(yōu)異的壓電和機(jī)電性能，受到功能材料界極大關(guān)注，并在工業(yè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用[1-2]。與傳統(tǒng)的Pb(Zr,Ti)O3(PZT)系壓電陶瓷相比，單晶的壓電常量d33由600 pC/N提高到2 500 pC/N，機(jī)電耦合因數(shù)k33由70%提高到93%～95%，最大電致伸縮應(yīng)變由0.15%提高到1.7%[3-5]。Pb(Zn1/3Nb2/3)O3與PbTiO3混合而成的(1-x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PZN-PT

制大尺寸鉬鈮合金單晶棒材等徑生長(zhǎng)的方法，包括以下步驟：一、選取多晶坯料和單晶籽晶為原料；二、將多晶坯料和單晶籽晶安裝在位于電子束懸浮區(qū)域熔煉爐熔煉室內(nèi)的夾持頭上，然后調(diào)節(jié)多晶坯料與單晶籽晶之間的距離，之后進(jìn)行相對(duì)逆向旋轉(zhuǎn)，接著進(jìn)行熔接處理，將熔接后的多晶坯料和單晶籽晶相對(duì)電子槍運(yùn)動(dòng)，得到等徑生長(zhǎng)的大尺寸鉬鈮合金單晶棒材。利用本發(fā)明方法得到的大尺寸鉬鈮合金單晶棒材，其直徑為20～40 mm，長(zhǎng)度為100～800 mm，晶體取向與單晶籽晶一致，晶向偏離角不大于

N-PT) 鐵電單晶表現(xiàn)出良好的壓電、光學(xué)、介電性能(準(zhǔn)同型相界附近d33>2 500 pC/N，k33>90%)[12-13]。同時(shí)與二元系PMN-PT單晶相比，PIN-PMN-PT單晶具有更高的矯頑場(chǎng)和更寬的工作溫度范圍，如PIN-0.43PMN-0.33PT晶體，其居里溫度TC為208 ℃，三方四方鐵電相變溫度TRT為120 ℃[14]。兼顧優(yōu)異性能和穩(wěn)定性的PIN-PMN-PT晶體，在醫(yī)學(xué)超聲換能器、大位移壓電驅(qū)動(dòng)器等機(jī)電設(shè)備及聲表面波器件中極具應(yīng)

器的主要問題就是單晶的質(zhì)量和生長(zhǎng)速率[5-7]。Dang等[8]使用底部籽晶法制備得到了1.2 cm×1.2 cm×0.8 cm的MAPbI3(CH3NH3PbI3)單晶。相對(duì)于緩慢蒸發(fā)法,底部籽晶法的生長(zhǎng)質(zhì)量更高,并且控制更加精確。Dong等[9]使用頂部籽晶法同樣制備了大塊的MAPbI3單晶,其過程與底部籽晶法類似。反向升溫法也是目前研究人員使用較多的一種方法,是目前生長(zhǎng)單晶最快的一種方法。Liu等[10]使用反向升溫法制備了質(zhì)量更高的MAPbCl3單

鍵詞：紅外材料;單晶;光學(xué)材料引言：紅外材料技術(shù)與微電子技術(shù)的結(jié)合，極大地推動(dòng)了紅外成像與紅外制導(dǎo)技術(shù)的發(fā)展。紅外技術(shù)應(yīng)用與發(fā)展，又促進(jìn)了紅外材料技術(shù)的發(fā)展及進(jìn)步。對(duì)紅外材料的耐高溫、高強(qiáng)度、大尺寸、化學(xué)及物理穩(wěn)定性等提出了一系列更高要求。一、紅外線與紅外材料（一）紅外線紅外線同可見光一樣都是電磁波，它的波長(zhǎng)范圍很寬，從0.7μm到1000μm。根據(jù)波長(zhǎng)的不同，通常分為近紅外0.70μm-1.5μm，中紅外1.5μm-10μm，遠(yuǎn)紅外10μm-1mm三個(gè)波

及其他承熱部件。單晶高溫合金中去除了在高溫下屬于弱化組織的晶界，從而可以降低合金中晶界強(qiáng)化元素的含量。由于晶界強(qiáng)化元素一般在合金中形成低熔點(diǎn)相，這些元素的減少使得單晶合金的熔點(diǎn)升高，能夠在更高的溫度下進(jìn)行固溶處理，進(jìn)而可以引入更多含量的難熔強(qiáng)化元素，使得其強(qiáng)度比等軸晶和定向柱晶高溫合金有了大幅改善，因而得到了廣泛的應(yīng)用[1]。1 國內(nèi)外典型單晶高溫合金成分的特點(diǎn)上世紀(jì)80年代，國外成功研發(fā)出PWA1480單晶高溫合金，其承溫能力較典型定向合金PWA1422

池性能的影響，對(duì)單晶結(jié)構(gòu)的LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2（以下簡(jiǎn)稱三元）正極片使用不同溫度輥壓，100℃時(shí)厚度均勻性最佳。將100℃與25℃輥壓所得極片做成扣式電池，對(duì)比測(cè)試電化學(xué)性能。結(jié)果顯示100℃壓片時(shí)電池倍率、循環(huán)較好，原因是熱輥壓片使得極片柔性增強(qiáng)，三元單晶顆粒和CNTs長(zhǎng)鏈破壞較少，保持了較好的導(dǎo)電能力，同時(shí)高溫使得聚偏氟乙烯（pvdf）分子鏈交融更充分，顯著提高黏接強(qiáng)度。關(guān)鍵詞：鎳鈷錳酸鋰;單晶;熱輥壓片0引言在鋰離子電池制造過程中，

法首次制備出金屬單晶光纖，由此拉開了單晶光纖研制的序幕。直到20世紀(jì)80年代，美國Feigelson和Fejer教授首次采用激光加熱基座法拉制單晶光纖；1993年，日本Fukuda教授發(fā)明了微下拉單晶光纖生長(zhǎng)爐，單晶光纖的發(fā)展迎來了春天。單晶光纖是將晶體材料制備成直徑在幾十μm到1 mm之間的纖維狀單晶體，具有高長(zhǎng)徑比、大比表面積、散熱好、非線性增益系數(shù)小等優(yōu)勢(shì)，是當(dāng)前世界科技研究的前沿和熱點(diǎn)。單晶光纖激光器能有效解決石英光纖激光器低損傷閾值、低熱導(dǎo)率和嚴(yán)

存路線是關(guān)鍵，準(zhǔn)單晶也是一個(gè)研究方向。單晶硅是通過直拉法制得，制得的單晶硅片每片只有一個(gè)晶粒，具有低缺陷和高的轉(zhuǎn)換效率，但成本高、產(chǎn)量小。而多晶硅片往往含有大量的晶界及缺陷，轉(zhuǎn)換效率較低[1]。準(zhǔn)單晶[2]是基于多晶鑄錠的工藝，在長(zhǎng)晶時(shí)通過部分使用單晶籽晶，獲得外觀和電性能均類似單晶的多晶片。相較于多晶，準(zhǔn)單晶硅片晶界少，位錯(cuò)密度低；相較于單晶，準(zhǔn)單晶的光致衰減低約1/4～1/2。準(zhǔn)單晶最早是在2006年由BP solar公司研究成功，該公司生產(chǎn)的Mono

移的能壘很低。而單晶鈣鈦礦缺陷少也沒有晶界，意味著電子和空穴的擴(kuò)散長(zhǎng)度更長(zhǎng)、壽命更久[13-14]，且在光電方面具有潛在應(yīng)用前景。目前，在各類有機(jī)-無機(jī)雜化鹵化鈣鈦礦中，單晶CH3NH3PbI3是研究最廣泛的一類鈣鈦礦材料[15]。鈣鈦礦單晶CH3NH3PbI3為代表的鈣鈦礦單晶材料有望應(yīng)用在新一代高性能光電器件中。所以迫切需要探究一種簡(jiǎn)單易操作的高質(zhì)量鈣鈦礦單晶生長(zhǎng)方法。本文研究了對(duì)實(shí)驗(yàn)條件要求極低條件下單晶CH3NH3PbI3的制備，并通過SEM、XR

、定向鑄造合金、單晶鑄造合金的發(fā)展歷程。目前，國外H級(jí)重型燃?xì)廨啓C(jī)透平葉片已經(jīng)采用第2代單晶合金。本文在介紹國外F級(jí)及以上等級(jí)重型燃?xì)廨啓C(jī)透平葉片用材和國內(nèi)外單晶合金研發(fā)和應(yīng)用情況的基礎(chǔ)上，分析了單晶合金化學(xué)成分的特點(diǎn)和成分設(shè)計(jì)應(yīng)該考慮的因素，結(jié)合國內(nèi)外低Re單晶合金的研發(fā)和應(yīng)用情況，指出使用低Re單晶合金是重型燃?xì)廨啓C(jī)透平葉片用材的發(fā)展趨勢(shì)，并給出國內(nèi)重型燃?xì)廨啓C(jī)透平葉片用低Re合金的研發(fā)建議。1 重型燃?xì)廨啓C(jī)透平葉片用材情況表1是世界主要燃?xì)廨啓C(jī)制造商

成鋰電池正極材料單晶LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2，運(yùn)用X射線衍射儀和掃描電鏡對(duì)正極材料晶體結(jié)構(gòu)和微觀形貌進(jìn)行表征，對(duì)電性能進(jìn)行評(píng)估，探討離子摻雜對(duì)材料結(jié)構(gòu)以及電化學(xué)性能的影響。結(jié)果表明：Ti元素可以很好地融入晶格中，未改變晶體的結(jié)構(gòu);同時(shí)，摻雜適量的Ti元素，可有效提升材料的可逆容量和循環(huán)性能。關(guān)鍵詞：鋰離子電池;單晶;正極材料;摻雜;電化學(xué)性能中圖分類號(hào)：TQ134.11;TB383.1 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1003-5168（2018）2

西省4H-SiC單晶制備技術(shù)取得重大突破并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，至此突破了國外對(duì)我國SiC單晶襯底技術(shù)多年的限制，為我國高性能核心電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了有力保障。4H-SiC單晶是目前高性能核心電子元器件研制必需的襯底材料。多年來，中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所（山西）通過不斷努力創(chuàng)新，解決了4英寸SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、密閉性設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)，獲得自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備制造技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備國產(chǎn)化；通過新型石墨坩堝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、SiC單晶生長(zhǎng)

00220)Ge單晶在紅外光學(xué)材料中的應(yīng)用廣泛，而作為太陽能電池襯底材料的開發(fā)則成為當(dāng)前的熱門[1]。航天工業(yè)的特點(diǎn)決定了太陽能電池必須具有質(zhì)量輕、精度高的特性，作為襯底的Ge拋光片在滿足強(qiáng)度要求的前提下，必須盡量降低厚度，而且對(duì)拋光片的表面質(zhì)量、表面晶格完整性、平整度等提出更高的要求[2]。切片是把單晶鍺由鍺棒變成鍺片的一個(gè)重要工序，切片質(zhì)量的好壞直接影響著拋光等后續(xù)工序的工作量和產(chǎn)品質(zhì)量。多線切割技術(shù)以其材料損耗小、面形精度高等優(yōu)點(diǎn)，目前正成為半導(dǎo)體材

有機(jī)鹵化鉛鈣鈦礦單晶材料的生長(zhǎng)和應(yīng)用研究的進(jìn)展，為今后單晶材料的進(jìn)一步發(fā)展和器件的應(yīng)用提供思路。關(guān)鍵詞：太陽能電池；有機(jī)鹵化鉛鈣鈦礦；單晶；光電器件中圖分類號(hào)：TM282 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1671-2064（2018）03-0246-03有機(jī)鹵化鉛鈣鈦礦材料具有載流子遷移率高，擴(kuò)散長(zhǎng)度大，光吸收范圍寬，吸光率高，帶隙大小適合太陽光譜等特點(diǎn)，在高效光伏電池領(lǐng)域迅速受到人們的關(guān)注。在短短的幾年之中，以有機(jī)鹵化鉛鈣鈦礦材料制作的光伏電池的能量轉(zhuǎn)換效率從

隆基樂葉單晶PERC電池轉(zhuǎn)換效率提達(dá)到22.17%隆基樂葉光伏科技有限公司收到國家太陽能光伏產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢測(cè)中心的報(bào)告，報(bào)告顯示：隆基樂葉單晶PERC電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到22.17%，刷新公司紀(jì)錄并在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先水平。2016年年底隆基樂葉60片P型PERC單晶156×156mm電池組件，在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件(STC)下功率達(dá)到316.6W，是TUV系統(tǒng)當(dāng)時(shí)所測(cè)得該型號(hào)的最高功率。單晶PERC電池轉(zhuǎn)換效率提升至22.17%，將公司產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率帶上了新高度。隆基股份

三元正極材料做成單晶形貌，不僅能夠提高材料高電壓下容量的發(fā)揮，同時(shí)可以有效改善材料的高溫循環(huán)、脹氣、容量恢復(fù)等方面的問題。此外單晶三元正極材料還具有以下優(yōu)點(diǎn)：(1) 機(jī)械強(qiáng)度高，電極壓實(shí)過程中不容易破碎，壓實(shí)可達(dá)3.8g/cm3～4.0g/cm3，其較高的壓實(shí)可減小內(nèi)阻，減小極化損失，延長(zhǎng)電池循環(huán)壽命，提高電池能量；(2) 特殊的一次單晶粒子，比表面積低，有效降低了副反應(yīng)；(3) 單晶顆粒表面較為光滑，與導(dǎo)電劑可以較好的接觸，利于鋰離子的傳輸。因此，開發(fā)單

陷β-Ga2O3單晶材料生長(zhǎng)技術(shù)研究張穎武練小正張政程紅娟（中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所，天津300220）β-Ga2O3是一種光電性能優(yōu)異的寬帶隙氧化物半導(dǎo)體材料，基于此，介紹β-Ga2O3的特性及應(yīng)用潛力，闡述大尺寸β-Ga2O3單晶生長(zhǎng)面臨的難點(diǎn)，并結(jié)合國內(nèi)外β-Ga2O3單晶生長(zhǎng)技術(shù)進(jìn)展，分析低缺陷β-Ga2O3單晶材料生長(zhǎng)方法。β-Ga2O3；寬帶隙；單晶β-Ga2O3是一種寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，禁帶寬度約為4.8eV，密度約為5.95g

?高品級(jí)金剛石大單晶的合成及應(yīng)用劉永奇(鄭州華晶金剛石股份有限公司，河南 鄭州 450001)簡(jiǎn)要敘述了高品級(jí)金剛石大單晶的合成方法及生長(zhǎng)特性。分析了高品級(jí)金剛石大單晶的鏡面加工機(jī)理及在制作單晶金剛石刀具時(shí)所占的優(yōu)勢(shì)。并進(jìn)一步闡述了單晶金剛石刀具的加工特性及在精密和超精密切削領(lǐng)域中所占的地位。高溫高壓法(HPHT)；金剛石大單晶； 單晶金剛石刀具0　引言隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，人工合成的高品級(jí)金剛石大單晶，在性能上已經(jīng)接近或在某些這方面超越了天然金剛石單晶。由

，121001?單晶Ni3Al基高溫合金微銑削表面粗糙度試驗(yàn)研究高奇1,2鞏亞東1周云光11.東北大學(xué)，沈陽，1108192.遼寧工業(yè)大學(xué)，錦州，121001摘要：為研究單晶高溫合金的微銑削表面粗糙度，采用直徑為0.8 mm的雙刃硬質(zhì)合金微銑刀，對(duì)典型的單晶Ni3Al基高溫合金IC10進(jìn)行微尺度銑削的三因素五水平正交試驗(yàn)研究。通過極差分析找出主軸轉(zhuǎn)速、進(jìn)給速度、進(jìn)給深度對(duì)微銑削表面質(zhì)量影響的主次因素。通過優(yōu)化獲得理想的切削工藝參數(shù)組合，所獲表面粗糙度為80

言新型弛豫型鐵電單晶鈮鎂酸鉛－鈦酸鉛(1－x) Pb(Mg 1/3Nb 2/3) O 3－xPbTiO 3(PMN－PT )和鈮鋅酸鉛－鈦酸鉛(1－x) Pb(Zn 1/3Nb 2/3) O 3－xPbTiO 3(PZN－PT)單晶在最近十幾年中受到了廣泛的關(guān)注，成為研究熱點(diǎn)。這是由于和傳統(tǒng)的壓電材料相比較，鈮鎂酸鉛－鈦酸鉛和鈮鋅酸鉛－鈦酸鉛單晶表現(xiàn)出良好的壓電、介電、光學(xué)和聲學(xué)性能，這種新型晶體在各種機(jī)電設(shè)備中具有廣泛的應(yīng)用前景，如醫(yī)學(xué)超聲換能器，大位移

技術(shù)；演進(jìn)圖譜；單晶；激光熔覆；熱障涂層；鉑族金屬1前言Ni基高溫合金在整個(gè)高溫合金領(lǐng)域占有重要地位，被廣泛地用來制造航空發(fā)動(dòng)機(jī)耐熱部件、各種工業(yè)燃?xì)廨啓C(jī)熱端部件、核電耐熱部件等，其涉及到的技術(shù)內(nèi)容和數(shù)量是相當(dāng)龐大的。從產(chǎn)業(yè)的角度來講，專利技術(shù)是以應(yīng)用于生產(chǎn)為基礎(chǔ)的，針對(duì)某一產(chǎn)業(yè)或某領(lǐng)域的專利技術(shù)，通常會(huì)形成一個(gè)專利群，專利群中每件專利的價(jià)值和作用是有差異的，而核心專利在一個(gè)專利群中處于節(jié)點(diǎn)和紐帶的地位，是后續(xù)科技之核心，也是產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)之核心[1-2]。對(duì)于

求的狀態(tài)。同為硅單晶、太陽能級(jí)單晶以及半導(dǎo)體級(jí)單晶雖在諸多方面都存在著較大不同，但其生長(zhǎng)方法本質(zhì)相同。那么若能對(duì)太陽能級(jí)硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行改造，使其適應(yīng)半導(dǎo)體級(jí)單晶的生長(zhǎng)，使得閑置資源得到利用，不失為一種發(fā)展方向和思路。1 實(shí)驗(yàn)過程和方法本實(shí)驗(yàn)選用JRDL-900 型單晶爐，該單晶爐為軟軸提拉型直拉爐，其設(shè)計(jì)主要針對(duì)太陽能級(jí)硅單晶產(chǎn)品。該設(shè)備初始配置500～550 mm（20～22英寸） 熱系統(tǒng)，可投料100～120 kg，能夠拉制150～200 mm(6

用PVT法，通過單晶橫向延展技術(shù)，成功制備出了4英寸碳化硅單晶，結(jié)合計(jì)算機(jī)模擬計(jì)算，重點(diǎn)分析了籽晶石墨托幾何結(jié)構(gòu)對(duì)單晶尺寸延展的影響，結(jié)果表明圓臺(tái)結(jié)構(gòu)的籽晶石墨托更有利于單晶生長(zhǎng)初期的迅速橫向延展，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)大尺寸碳化硅單晶的生長(zhǎng)，該理論分析結(jié)果與試驗(yàn)結(jié)果完全吻合。[關(guān)鍵詞] 4英寸；碳化硅；橫向延展；計(jì)算機(jī)模擬中圖分類號(hào)：O782 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：2055-5200（2014）01-033-03Doi：10.11876/mimt201401001

單晶多晶之爭(zhēng)：是否最終將回歸單晶市場(chǎng)？誰將領(lǐng)導(dǎo)晶硅電池市場(chǎng)，單晶還是多晶？這是一個(gè)業(yè)內(nèi)經(jīng)常被問到的問題?；氐?007年的時(shí)候，單晶和多晶硅片產(chǎn)量是一半一半，而這個(gè)比例現(xiàn)在已經(jīng)變成了三七分成，因?yàn)槎嗑в捎诔杀緝?yōu)勢(shì)推動(dòng)搶占的大型電力項(xiàng)目市場(chǎng)以及幫助降低組件成本而受到大多數(shù)人青睞。即使這樣，有關(guān)于哪一種技術(shù)未來能夠提供更大的價(jià)值仍然是存在爭(zhēng)議的。單晶硅片能夠使電池效率比多晶硅片的電池效率基本上升2%，然而，標(biāo)準(zhǔn)的單晶硅片的賣價(jià)高于多晶硅片在30%左右。但是，由于

合成硼摻雜金剛石單晶的抗氧化性能研究①宮建紅1,李和勝2,劉盛男1,楊麗民1,陳巧玲1,高軍1,王麗1(1.山東大學(xué)(威海)機(jī)電與信息工程學(xué)院,山東威海264209; 2.富世華(河北)金剛石工具有限公司,河北石家莊052165)工業(yè)金剛石單晶的高溫抗氧化性是決定其應(yīng)用領(lǐng)域的重要技術(shù)指標(biāo)。以石墨為碳源,Fe-Ni-B -C合金為觸媒,在5.0GPa和1570K的高溫高壓條件下合成了硼摻雜金剛石單晶。通過測(cè)試該金剛石的熱蝕率、靜壓強(qiáng)度、沖擊韌性、起始氧化溫度

1m，目前可生長(zhǎng)單晶的最大直徑為55mm。由于具有高真空系統(tǒng)，因此采用該區(qū)熔爐可對(duì)多晶硅進(jìn)行區(qū)熔提純，并能研制P型高阻率單晶，但因是20世紀(jì)70年代的老設(shè)備，且產(chǎn)能有限，目前主要用于進(jìn)行科研課題的樣品研制。CFG/1400P區(qū)熔爐為從德國進(jìn)口的單晶爐，上、下軸行程為1.5m，爐膛直徑約為0.65m，可生長(zhǎng)單晶的直徑為45～104mm。由于完成科研、生產(chǎn)任務(wù)的需要，我們有機(jī)會(huì)在兩臺(tái)區(qū)熔爐上分別生長(zhǎng)了同種規(guī)格的兩種高阻單晶，其中P型高阻單晶研制采用了在CFG/