宮純青 郭俊敏 殷景華 劉曉為
(1.天津現(xiàn)代職業(yè)技術(shù)學(xué)院,天津 300350;2.中國(guó)電子科技集團(tuán)公司 第46研究所,天津 300220;3.哈爾濱理工大學(xué) 應(yīng)用科學(xué)學(xué)院,黑龍江 哈爾濱 150080;4.哈爾濱工業(yè)大學(xué)MEMS中心,黑龍江 哈爾濱 150001)
MEMS器件與傳感器經(jīng)過(guò)近十年的發(fā)展已相當(dāng)成熟,目前已有部分產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn),因此裸芯片的價(jià)格可望得到大幅度下降。開發(fā)低成本的封裝方法,滿足MEMS產(chǎn)品封裝的制造成本將成為制約MEMS產(chǎn)品市場(chǎng)進(jìn)一步擴(kuò)大的關(guān)鍵因素。
目前投入使用的戰(zhàn)場(chǎng)傳感器有振動(dòng)傳感器(通過(guò)儀器的拾震裝置來(lái)捕捉人員或車輛活動(dòng)引起的震動(dòng)信號(hào))、聲傳感器(利用能夠靈敏地接受戰(zhàn)場(chǎng)聲響探測(cè)裝置,分辨?zhèn)刹靺^(qū)域內(nèi)敵方目標(biāo)的性質(zhì),監(jiān)視其活動(dòng)情況)。
減振模型如圖1所示。
圖1 橡膠減振模型
模型整體尺寸設(shè)為 8×8×1.5mm,空腔底面邊長(zhǎng) (3.4×3.4mm)不變,增加空腔的高度,模擬結(jié)果如表1所示。由表1可知,隨空腔高度的增加(質(zhì)量的減?。逃蓄l率在減小。
表1 模型空腔高度和固有頻率的關(guān)系
模型底邊尺寸設(shè)為 8×8,空腔體積不變(3×3×0.58mm),增加空腔上部橡膠的厚度,結(jié)果如表2所示。結(jié)果表明,隨模型總體積(質(zhì)量)的增加,固有頻率在減小。
表2 模型空腔上部厚度與固有頻率的關(guān)系
結(jié)果表明:由于振動(dòng)傳感器頻率測(cè)量范圍是0-1kHz的信號(hào);聲傳感器測(cè)量的主要是人的語(yǔ)音信號(hào)(850Hz左右)。綜合考慮微振動(dòng)-聲多功能傳感器的測(cè)量范圍和模型的減振效果及傳感器本身尺寸的限制,選擇高為1.5mm,空心高為0.8mm、底面邊長(zhǎng)約為3.4mm的模型(固有頻率約為3000Hz),可以滿足減振封裝設(shè)計(jì)的要求。
靜態(tài)分析確定橡膠模型上力的分布和模型對(duì)力的承受能力及減振情況。 整體為 8×8×1.5,空腔為 3.4×3.4×0.8 的模型(單位:mm)。
在距底面0.1mm的節(jié)點(diǎn)上加力。表3列出所選節(jié)點(diǎn)的節(jié)點(diǎn)號(hào)與FZ方向的應(yīng)力及載荷力。
表3 選中節(jié)點(diǎn)的應(yīng)力和載荷力與施加力及等效壓強(qiáng)比較
分析表中的數(shù)據(jù):加在模型底面的應(yīng)力(或力),傳到上表面后減小,表明整體為 8×8×1.5mm、空腔為 3.4×3.4×0.8mm 的模型具有減振作用;上表面應(yīng)力分布發(fā)生變化,芯片邊緣應(yīng)力增大。
瞬態(tài)的分析過(guò)程,束縛芯片上表面,在橡膠下底面施加4.11e-9cos(628t)N(沿 Z 方向)的變力。 拾取 Y=0 軸上、0≤X≤0.004范圍內(nèi)的一個(gè)節(jié)點(diǎn),記錄所選節(jié)點(diǎn)的節(jié)點(diǎn)號(hào)和坐標(biāo)。在底面施加4.11e-9cos(6280t)N(沿Z方向)的力。橡膠底面和表面在同一直線的節(jié)點(diǎn)及相應(yīng)的載荷力,如表4所示。
表4 節(jié)點(diǎn)與載荷力
用C表示衰減度,Smax和Smin分別表示底面和頂面載荷力,則由C=(Smax-Smin)×100%/Smax可得到施加載荷頻率與C之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系,如表5所示。結(jié)果表明,頻率越高,橡膠的減振效果越好,這個(gè)結(jié)果和防振橡膠的特征是一致的。
表5 施加載荷頻率與衰減率的關(guān)系
對(duì)模型分別施加100HZ和1000HZ兩種頻率的力進(jìn)行瞬態(tài)分析,即給橡膠墊底部加載一余弦變化力,在一個(gè)振動(dòng)周期內(nèi),傳遞到橡膠墊與芯片接觸面的力分別減振了98.708%和99.212%,說(shuō)明本文所設(shè)計(jì)的模型對(duì)頻率大的力減振效果好。
以上這些結(jié)論為微震動(dòng)-聲傳感器的封裝關(guān)鍵技術(shù)設(shè)計(jì)方案的制定提供了設(shè)計(jì)依據(jù)。
[1]李玉珍.“未來(lái)電子系統(tǒng)可靠性面臨的困難”.《電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn)》.1999年第3期總第99期
[2]張威 張大成 王陽(yáng)元.“MEMS概況及發(fā)展趨勢(shì)”.《微納電子技術(shù)》.2002年第1期
[3]高尚通.“跨世紀(jì)的微電子封裝”,《半導(dǎo)體情報(bào)》,2000:37(6):1-7
[4]龔曙光.《ANSYS基礎(chǔ)應(yīng)用及范例解析》,北京:機(jī)械工業(yè)出版2003.1