基于NAND技術(shù)同態(tài)硬盤的測(cè)試方法
2014-01-03 02:09:40王炎軼
中國信息化·學(xué)術(shù)版 2013年4期
王炎軼
【摘要】基于NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤，硬盤進(jìn)入測(cè)試階段的初始狀態(tài)會(huì)對(duì)最終的測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生關(guān)鍵的影響。反應(yīng)一塊固態(tài)硬盤的優(yōu)劣，有四個(gè)重要的性能指標(biāo)，分別是：每秒讀寫操作次數(shù)、寫飽和度、吞吐量和反應(yīng)時(shí)間。在測(cè)試以上四個(gè)重要指標(biāo)時(shí)，必須先進(jìn)行預(yù)處理，使固態(tài)硬盤達(dá)到穩(wěn)定態(tài)收斂。只有當(dāng)硬盤處于穩(wěn)定態(tài)收斂時(shí)，測(cè)試數(shù)據(jù)才是有效的。
【關(guān)鍵詞】預(yù)處理：穩(wěn)定態(tài)收斂
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