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      大功率堆積型激光陣列光束的遠(yuǎn)場分布模型

      2014-01-23 02:39:50高全華王晉國孫鋒利
      激光與紅外 2014年1期
      關(guān)鍵詞:單峰遠(yuǎn)場雙峰

      高全華,王晉國,孫鋒利

      (長安大學(xué)理學(xué)院,陜西西安710064)

      1 引言

      大功率激光二極管陣列作為一類體積小、效率高、可靠性好的激光光源,在泵浦固體激光器、激光測距、激光引信、激光打印、材料加工、激光雷達(dá)以及激光制導(dǎo)等方面獲得了越來越廣泛的應(yīng)用。但由于其光束質(zhì)量不好,平行于結(jié)平面和垂直于結(jié)平面方向光場分布相差很大,有很大的發(fā)散角和像散,因此在實(shí)際應(yīng)用中,常常需要對(duì)光束進(jìn)行空間整形。在空間整形光學(xué)元件的設(shè)計(jì)中,準(zhǔn)確了解半導(dǎo)體激光器的光場分布,特別是遠(yuǎn)場分布十分重要。當(dāng)前,對(duì)單管DL遠(yuǎn)場分布的研究已經(jīng)比較成熟[1-5],但報(bào)道的對(duì)于 DLS遠(yuǎn)場分布的研究還很少[6-7]。

      本文從亥姆霍茲方程出發(fā),以單管DL的遠(yuǎn)場結(jié)構(gòu)模型為基礎(chǔ),建立了大功率激光二極管陣列的遠(yuǎn)場分布模型,并進(jìn)行了計(jì)算機(jī)模擬,這對(duì)于DLS遠(yuǎn)場傳輸特性的研究和遠(yuǎn)場整形光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)具有重要意義。

      2 理論模型

      在標(biāo)量場理論中,單色光波的場分布必須滿足時(shí)諧條件下的亥姆霍茲方程,在均勻介質(zhì)中利用慢變化近似得到:

      在可分離變量的條件下,基模高斯光束是該方程的最常見的一個(gè)特解,在此表達(dá)式的基礎(chǔ)上可對(duì)橫坐標(biāo)x分別作以下變換[8]:

      其中,x+和x-均為正實(shí)數(shù),于是得到亥姆霍茲方程在慢變化條件下的另一個(gè)特解,場分布為:

      式(2)是由兩個(gè)偏心橢圓高斯光束疊加而形成的,其中:

      用這種模型可以方便地描述大功率DL雙峰結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)場光強(qiáng)分布。故而,每個(gè)發(fā)光單元emitter的遠(yuǎn)場光強(qiáng)分布模型為:

      其中,k+和k-稱為光束質(zhì)量偏心參數(shù)。

      半導(dǎo)體激光陣列(DLS)通常是由多條bar堆積而成的,每條bar由多個(gè)發(fā)光單元(emitter)組成,如圖1所示。Bar間距為h,emitter間隔為l。x方向?yàn)槠叫薪Y(jié)平面方向,y方向?yàn)榇怪苯Y(jié)平面方向,z方向?yàn)楣馐鴤鞑シ较颉?/p>

      圖1 DLS結(jié)構(gòu)圖Fig.1 Block diagram of DLS

      通常DLS為多個(gè)emitter的非相干疊加,這樣在確定了單個(gè)emitter的光場分布模型之后,便可以得到半導(dǎo)體激光陣列DLS的光強(qiáng)分布模型:

      這里假設(shè)m,n均為偶數(shù),其中:

      yj=y-(j+0.5)×l,其他參數(shù)同上。

      3 計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果

      在原理相同的情況下,為了能夠簡單、清晰地說明問題,這里以2個(gè)bar,4個(gè)發(fā)光單元組成DLS簡化模型為例,給出計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果,如圖2所示。

      相關(guān)參數(shù):λ =0.808 μm,ωox=1.8 μm,ωoy=0.5 μm,k+=1,k-=1。

      圖2 簡化DLS遠(yuǎn)場光強(qiáng)分布圖Fig.2 Graph of intensity distributing of the simplified DLS at z=50 μm,z=160 μm,z=300 μm,z=1 mm,z=1.3 mm,z=1.4 mm,z=2 mm,z=3 mm,z=4 mm,z=4.5 mm,z=6 mm,z=12 mm

      從圖中可見,在z=50 μm處,DLS的光強(qiáng)分布由四個(gè)雙峰結(jié)構(gòu)構(gòu)成,即每個(gè)emitter是雙峰結(jié)構(gòu),光斑沒有重疊現(xiàn)象;z=300 μm處,光強(qiáng)分布由四個(gè)單峰構(gòu)成,光斑開始重疊,雙峰結(jié)構(gòu)消失;z=2 mm,光強(qiáng)分布由三個(gè)單峰構(gòu)成,并且中間光斑光強(qiáng)最大,兩邊光斑光強(qiáng)很小,此時(shí)光強(qiáng)主要集中于中間光斑;z=4 mm,光強(qiáng)分布呈現(xiàn)單光斑,光強(qiáng)分布比較均勻,此時(shí)有利于實(shí)際應(yīng)用,比如作為泵浦源等;z=4.5 mm,光強(qiáng)分布由兩個(gè)單峰構(gòu)成;繼續(xù)增加z值,光強(qiáng)分布不再變化,仍由兩個(gè)單峰構(gòu)成。

      4 優(yōu)點(diǎn)

      模型中引入了光束質(zhì)量偏心參數(shù)k+和k-,使模型不但可以描述對(duì)稱的雙峰結(jié)構(gòu),而且還可以描述不對(duì)稱的雙峰結(jié)構(gòu),比如單峰結(jié)構(gòu)(極端的不對(duì)稱結(jié)構(gòu)),與已有模型相比[6-7]有一定的優(yōu)越性,如圖3所示。

      圖3 z=80 μm時(shí),簡化DLS的遠(yuǎn)場光場分布Fig.3 Graph of intensity distributing of the simplified DLS atz=80 μm

      5 結(jié)論

      提出了一個(gè)DLS遠(yuǎn)場光場分布模型,通過計(jì)算機(jī)仿真給出了簡化DLS模型的遠(yuǎn)場光場變化特性,指出光強(qiáng)呈現(xiàn)單光斑的位置,此時(shí)光強(qiáng)分布比較均勻,模型還可表示不對(duì)稱的雙峰結(jié)構(gòu),如單峰結(jié)構(gòu),故適用范圍更廣。這些,有利于進(jìn)一步確定DLS的遠(yuǎn)場光強(qiáng)分布特性,對(duì)光束整形系統(tǒng)設(shè)計(jì)也具有一定的意義。尤其在大功率固體激光器的抽運(yùn),光束的傳輸、變換、聚焦與準(zhǔn)直,光學(xué)整形系統(tǒng)的設(shè)計(jì),以及光束質(zhì)量評(píng)價(jià)等方面有很重要的意義。

      [1] Wang Qiang,Zeng Xiaodong,An Yuying.A far-field distribution model describing the double-peak beam of highpower laser diodes[J].Acta Optica Sinica,2005,25(5):619 -622.(in Chinese)王強(qiáng),曾曉東,安毓英.大功率激光二極管雙峰結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)場分布模型[J].光學(xué)學(xué)報(bào),2005,25(2):619 -622.

      [2] Li Lina,Wu Jinhui,Song Jinfeng.Far-field characteristics of high power laser diode[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(1):95 -97.(in Chinese)李麗娜,吳金輝,宋金峰.大功率半導(dǎo)體激光器遠(yuǎn)場特性研究[J].發(fā)光學(xué)報(bào),2004,25(1):95 -97.

      [3] X Zeng,A Naqwi.Far-field distribution of double-hetero structure diode laser beams[J].Appl.Opt,1993,32(24):4491-4494.

      [4] Zeng Xiaodong,F(xiàn)eng Zhejun,An Yuying.Far-field expression of a high power laser diode[J].Appl.Opt,2004,43(27):5168-5172.

      [5] Zeng Xiaodong,Mu Meili.Far-field properties of diode laser beams[J].Acta Optica Sinica,1997,17(8):1086 -1088.(in Chinese)曾小東,穆美麗.半導(dǎo)體激光束遠(yuǎn)場特性研究[J].光學(xué)學(xué)報(bào),1997,17(8):1086 -1088.

      [6] Dong Lili,Xu Wenhai,Wan Junhua,et al.Study of farfield expression and distribution properties of laser diode arrays[J].Journal of Optoelectronics· laser,2008,19(10):1304 -1308.(in Chinese)董麗麗,許文海,萬軍華,等.半導(dǎo)體激光器陣列的遠(yuǎn)場分布模型和分布特征研究[J].光電子·激光,2008,19(10):1304 -1308.

      [7] Li Bin,Zeng Xiao-dong,et al.Study on the far-field intensity distribution of high-power semiconductor Bar and Stack lasers[J].Journal of Optoelectronics·laser,2012,23(4):667 -675.(in Chinese)李彬,曾曉東,高繼敏,等.大功率半導(dǎo)體激光陣列遠(yuǎn)場光強(qiáng)分布研究[J].光電子·激光,2012,23(4):667-675.

      [8] Xu Qiang,Cao Changqing,et al.Propagation of double decent gaussian beam through an ABCD optical system[J].Acta Photonica Sinica,2006,35(12):1912 - 1916.(in Chinese)徐強(qiáng),曹長慶,等.雙偏心橢園高斯光束在一階ABCD光學(xué)系統(tǒng)中的傳輸特征[J].光子學(xué)報(bào),2006,35(12):1912-1916.

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