周俊鵬,李 焱
(長春工業(yè)大學(xué),長春130012)
PWM 即脈寬調(diào)制技術(shù),是指采用電子開關(guān)將輸入調(diào)制器的電壓進行寬度調(diào)制。為防止同一橋壁上兩只功率管同時導(dǎo)通,死區(qū)的設(shè)置就顯得格外重要。DSP+CPLD 在級聯(lián)H 橋配電網(wǎng)靜止同步補償器的應(yīng)用,但并沒有具體的死區(qū)設(shè)置方法[1]。無刷直流電機的三環(huán)控制應(yīng)用廣泛,從整體對三環(huán)控制綜合描述,卻沒有給出具體的功率級和死區(qū)的控制策略[2]。根據(jù)雙DSP 的雙PWM 變頻器在控制上相對獨立而又緊密聯(lián)系的特點,提出了一種基于雙定點DSP 的雙PWM 變頻器控制平臺設(shè)計方法。該平臺可以滿足雙PWM 變頻器不同控制算法對控制板的硬件需求,同時兼顧其通用性,然而沒有提到死區(qū)方面的性能[3]。在雙PWM 變頻器系統(tǒng)研究與設(shè)計分析中,只有在電網(wǎng)方面籠統(tǒng)的說明,沒有在電機控制方面的介紹[4]。運動控制器使用DSP + CPLD 結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了直線插補的兩級插補。粗插補采用時間分割法,由DSP 軟件完成;精插補采用DDA 法,由CPLD 硬件完成,提高了插補精度和輸出脈沖頻率,改進了傳統(tǒng)的分割算法,保證分段坐標增量的均勻性,可是單從理論出發(fā),沒有應(yīng)用在工程中[5]。DSP和CPLD 的伺服控制器,應(yīng)用于某光電系統(tǒng)的控制部分,雖然有工程應(yīng)用價值,但沒有提到在產(chǎn)生PWM 波性能方面的說明[6]。DSP +CPLD 開關(guān)磁阻電機控制系統(tǒng)應(yīng)用在電動汽車方面,沒有談到死區(qū)方面的問題[7]。用一系列等幅不等寬的脈沖來代替一個正弦波為思想,單從軟件與仿真方面達到理想PWM 波,可是具體實際應(yīng)用方面未知[8]?;陔p閉環(huán)控制的單相PWM 整流電路中,雖然提到了死區(qū)發(fā)生電路,但詳細的精度與準確度方面卻未得到體現(xiàn)[9]。基于MCS -51 單片機的一種帶死區(qū)的PWM 脈沖調(diào)制方法,展現(xiàn)了PWM 波產(chǎn)生方法,但死區(qū)固定,并不具有代表性[10]。Proteus 中的直流電機PWM 調(diào)速系統(tǒng)中,也僅僅是單純的仿真,死區(qū)沒有體現(xiàn),沒有工程應(yīng)用背景[11]。PWM 波中調(diào)整占空比就可以得到不同的平均電壓。本文將介紹DSP數(shù)字信號處理器產(chǎn)生的PWM 詳細過程,并針對DSP 的死區(qū)寄存器設(shè)置只有幾種固定頻率,而且不能方便得到準確的整微秒,用CPLD 設(shè)置死區(qū)加以改進可得到精確的整微秒。試驗表明精確程度僅有0.2 μs 的誤差。
從圖1 中可見,(NTxPR+1)×fT=T(所需周期)。
圖1 通用定時器連續(xù)增計數(shù)模式
從圖2 中可知,占空比低有效時為NCMPRx,高有效時占空比為[(NTxPR+1)-NCMPRx]/(NTxPR+1)。如果需要死區(qū)控制,則相應(yīng)的死區(qū)控制寄存器中對應(yīng)為設(shè)置適當?shù)闹?。例如EvaRegs. DBTCONA. all= 0x0A74(死區(qū)定時器1、2 使能;死區(qū)定時器32 分頻)。前述的fsys=75 MHz,則死區(qū)時間t =32 ×10/75 μs=4.3 μs。根據(jù)上升沿要延遲一個死區(qū)時間,則PWM 波形如圖3 所示。
圖2 連續(xù)增計數(shù)模式下的通用定時器比較輸出
圖3 帶死區(qū)的PWM 波形圖
由以上死區(qū)設(shè)置可知,DSP 設(shè)置的死區(qū)通過繁瑣的計算不能方便得到整微秒。采用CPLD 設(shè)置可得到整微秒。
由DSP 產(chǎn)生800 Hz(PWM1)占空比1∶ 4 的周期信號和PWM3 方向信號,送入CPLD 中,得到PWME1(C),PWME2(D),PWME3 (A),PWME4(B)四路信號,供給功率級來控制電機。表1 和表2為理論分析四路PWM 信號波形。
表1 理論分析正向PWM 信號波形
表2 理論分析反向PWM 信號波形
圖4 中在Quartus II 中設(shè)置pin_name 為16 MHz,經(jīng)過16 分頻器后得到周期為1 μs 的基準波,經(jīng)過6 個D 觸發(fā)器就可到得6 μs 死區(qū),所以只需增加或減少D 觸發(fā)器,就可靈活方便地得到PWM 的死區(qū)。IOINPUT06,IOINPUT07 置1,PWM1 設(shè)置為800 Hz,PWM3 置1,可得A,B,C,D 四路仿真波形圖,如圖5 所示。
圖4 6 μs 死區(qū)設(shè)置PWM 邏輯電路
圖5 四路PWM 仿真波形圖
從圖5 中可見,PWME1 與PWME3 前沿相差6 μs 的死區(qū),PWME2 為高電平,PWME4 為低電平。在Quartus II 中按上述方法設(shè)置PWM3 置0,其余設(shè)置不變,可得到圖6 仿真波形圖。
圖6 四路PWM 仿真波形圖
從圖6 中可見,PWME2 與PWME4 前沿相差6 μs 的死區(qū),PWME1 為高電平,PWME4 為低電平。上述仿真結(jié)果與表1 和表2 所列理論分析完全一致。
將CPLD 產(chǎn)生的A,B,C,D 四路帶死區(qū)的PWM信號送入圖7 的DRV2A,DRV1A,DRV2B,DRV1B中,經(jīng)過4505 隔離放大反相后送入PM75CSE060中,在PN 端加上40 V 直流電壓,在U(+),V(-)兩端用示波器得到波形如圖8、圖9 所示。IPM 的Fo在欠壓、短路、過流和溫度過高時輸出低電平可設(shè)計作為電路故障監(jiān)測端。
圖7 功率驅(qū)動電路
從圖8 和圖9 中可看到,PWM 波形前端稍帶尖峰,可提高電機帶載能力及其響應(yīng)的快速性。
圖8 正向PWM 波形
圖9 反向PWM 波形
從圖10 的示波器中可看出,從功率級端輸出PWM 波形死區(qū)為5.8 μs,非常準確,完全滿足快速反射鏡所需單極性PWM 波所需的死區(qū)要求。
圖11 為本工程實際的伺服控制電路板和功率級電路板。
圖10 實測PWM 波形死區(qū)
圖11 伺服控制板加功率級驅(qū)動板
此快速反射鏡的功率驅(qū)動電路PWM 波死區(qū)要求大于5 μs,實測死區(qū)時間5.8 μs,完全滿足機載平臺下對PWM 波形的需要。死區(qū)時間不易設(shè)置過大,否則影響電機起動時間,使系統(tǒng)滯后,穩(wěn)定裕度降低影響系統(tǒng)穩(wěn)定性;同時稍帶尖峰的PWM 波形能夠提高電機驅(qū)動能力。此方法在實際應(yīng)用中方便、可行、有效,能夠滿足某項目PWM 波形死區(qū)精度方面的需要。本文對功率驅(qū)動具有很好的通用性和借鑒性。
[1] 張艷梅,茍銳鋒,楊曉平,等.DSP+CPLD 在級聯(lián)H 橋配電網(wǎng)靜止同步補償器的應(yīng)用[J].南方電網(wǎng)技術(shù),2012,6(6):72-77.
[2] 張愛軍,程時兵,朱軍偉,等.DSP+CPLD 的無刷直流電機三環(huán)控制設(shè)計[J].電力電子技術(shù),2012,46(11):106 -108.
[3] 尹璐,趙爭鳴,魯挺等.基于雙DSP 的雙PWM 變頻器控制平臺設(shè)計[J].電力自動化設(shè)備,2013,33(11):148 -153.
[4] 劉玉娥.雙PWM 變頻器系統(tǒng)研究與設(shè)計分析[J]. 電力電子,2013(20):206.
[5] 勞奇成,王義智,李武. 基于DSP 和CPLD 的運動控制卡插補器設(shè)計[J].機床與液壓,2014,42(4):92 -94.
[6] 秋亞.基于DSP 和CPLD 的伺服控制器設(shè)計[D].西安:西安工業(yè)大學(xué),2013.
[7] 張超,全力,朱孝勇,等. 基于DSP +CPLD 的車用開關(guān)磁阻電機驅(qū)動控制系統(tǒng)的設(shè)計[J].電機與控制應(yīng)用,2013,40(1):13-16.
[8] 妖鴻強,陳榮榮.基于FPGA 的正弦波PWM 信號發(fā)生器的設(shè)計[J].江南大學(xué)學(xué)報,2012,11(3):286 -289.
[9] 唐夢嫻,鄢立. 基于雙閉環(huán)控制的單相PWM 整流電路設(shè)計[J].儀表技術(shù),2014,1(1):27 -30.
[10] 張超,胡順杰. 基于MCS -51 單片機的一種帶死區(qū)的PWM脈沖調(diào)制方法[J].電源世界,2014,26(4):26 -29.
[11] 袁戰(zhàn)軍.基于Proteus 的直流電機PWM 調(diào)速系統(tǒng)研究[J].電子設(shè)計工程,2013,21(5):113 -116.
[12] WANG G L,XU D G,YU Y.A novel strategy of dead-time compensation for PWM Voltage -Source Inverter[C]//23rd Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition.2008:1779 -1783.