謝 莉,蔣 偉,吳 松,闞世奇
(揚州大學(xué) 能源與動力工程學(xué)院,江蘇 揚州 225127)
恒流電子負載是電類實驗教學(xué)必需的設(shè)備。實驗教學(xué)要求:電子負載應(yīng)該能實現(xiàn)電流和電壓調(diào)整,保證相應(yīng)情況下電流和電壓的穩(wěn)定,能很好地實現(xiàn)參數(shù)調(diào)整和顯示,以適應(yīng)各種實驗項目和實驗內(nèi)容的需要[1];具有完備的保護功能,在發(fā)生短路或過載時不損壞電源和電路;成本低、損壞率低、維修簡便。
由于電路理論、電子技術(shù)和電工學(xué)等實驗教學(xué)具有學(xué)生人數(shù)多、儀器設(shè)備使用率高、學(xué)生操作不熟練等特點,學(xué)生操作不當經(jīng)常會造成電源輸出端短路和過載,導(dǎo)致電源損壞,影響實驗的進行。為了滿足上述要求以及提高電工實驗室的利用效率,系統(tǒng)采用了模擬器件為控制核心、單片機為人機接口控制器的模數(shù)混合控制方案,設(shè)計了最大工作電壓和電流分別為18 V、1 A可調(diào)恒流電子負載[2]。
電子負載按能量吸收方式可以分為能耗式與回饋式,按照控制形式可以分為開關(guān)式與線性式。由于回饋式電子負載多用于大功率場合,且控制方式復(fù)雜、成本高,故不在考慮之列[3-5]。
分別針對能耗式電子負載不同設(shè)計方案中主電路的元件數(shù)量、對被測電路的影響、系統(tǒng)控制特性等進行了比較,如表1所示。開關(guān)型電子負載的主要問題在于:(1)無源器件數(shù)量多,影響到系統(tǒng)的可靠性;(2)開關(guān)紋波導(dǎo)致負載電流紋波且引入噪聲;(3)高階系統(tǒng),響應(yīng)慢。線性負載工作于MOSFET器件的飽和區(qū),無開關(guān)紋波,而且控制對象在小信號意義上是零階系統(tǒng),利于控制系統(tǒng)設(shè)計。
表1 能耗式負載性能比較
綜上所述,以MOSFET為負載進行線性調(diào)節(jié),可以模擬理想恒流負載工作狀態(tài),且是一種可靠性高、成本低的方案。
電子負載系統(tǒng)由功率級模塊、本地控制器模塊、系統(tǒng)控制器模塊、輔助電源模塊、人機接口模塊組成,如圖1所示。
圖1 基于線性MOSFET的模數(shù)混合方案
功率器件采用IXYS公司的IXTA-TP80N10T,該器件安全工作區(qū)(SOA)寬,可以滿足最大18 V、1 A負載條件,且額定電流大,在誤操作情況下不易燒壞??紤]到電路雜散電感的影響,在MOSFET的漏極和源極并入1 μF的薄膜電容用以吸收器件兩端可能出現(xiàn)的尖峰電壓。
選取了2片德州儀器的LM324(模擬控制器內(nèi))集成運放實現(xiàn)本地控制功能。一片LM324完成采樣電流放大、濾波、電流誤差放大功能;另外一片運放完成負載電壓采樣、濾波、電壓誤差放大功能,并通過外部電路進行過壓的甄別。
由于系統(tǒng)需要進行恒流值設(shè)定和實現(xiàn),且無需高速數(shù)字運算,所以使用了主頻為8 MHz的MSP430F169。這款單片機的數(shù)字I/O高達48個,同時擁有豐富的外設(shè),適合與多種設(shè)備進行接口,也便于本設(shè)計的進一步擴展[6]。
鍵盤模塊的方案采用智能便攜設(shè)備中的功能鍵的思路,采用最少按鍵實現(xiàn):分別為“參考值上調(diào)”、“參考值下調(diào)”、“開/關(guān)”鍵。同時,通過MSP430F169的P1端口將數(shù)據(jù)傳給液晶顯示屏顯示當前負載電流和電壓。另外,系統(tǒng)中加入了LED顯示,分別顯示輔助電源供電正常(藍光)、系統(tǒng)啟動(藍光)和過壓顯示(紅光)。
系統(tǒng)的輔助電源需要為運算放大器、單片機、顯示屏、指示燈供電,需要提供+15 V,+5 V,+3.3 V電壓等級,設(shè)計中使用實驗室常用的線性電源進行24 V直流供電,采用線性調(diào)壓模塊進行逐級降壓獲得各電壓等級。
本地控制目標為帶過壓保護的恒流。先對恒流模式進行設(shè)計,負載電流經(jīng)過采樣電阻、正比例放大環(huán)節(jié)、濾波,與給定參考值進行比較后經(jīng)過一個3極點2零點的PI調(diào)節(jié)器,輸出一個穩(wěn)態(tài)值作為MOSFET的門控電壓,從而得到穩(wěn)定的負載電流。
設(shè)計要求系統(tǒng)能夠跟蹤給定值且靜差為零,所以需要對負反饋控制系統(tǒng)進行分析。根據(jù)MOSFET數(shù)據(jù)表中的輸入特性曲線,可以得到恒流控制下的MOSFET模型為一個比例環(huán)節(jié),為零階系統(tǒng);考慮到MOSFET柵極驅(qū)動電阻Rg和柵源極寄生電容Cgs,輸入電壓對負載電流的傳遞函數(shù)G(s)為截止頻率很高的一階系統(tǒng),如下式所示:
(1)
式中,k1為MOSFET的靜態(tài)傳遞系數(shù)。
電流反饋由電阻采樣,回路傳遞函數(shù)H(s)為
(2)
式中,Rs為采樣電阻,k2為運放電器增益,R14、C3為一階RC濾波器的電阻和電容。
PI調(diào)節(jié)器傳遞函數(shù)C(s)為
運放電路中的R和C配置相應(yīng)的零極點。
利用Matlab進行控制系統(tǒng)設(shè)計[7-8],得到如圖2所示的系統(tǒng)開環(huán)傳遞函數(shù)波特圖。
圖2 系統(tǒng)傳遞函數(shù)波特圖
由圖2可知,系統(tǒng)幅值裕量為-30 dB,相位裕量約為-90°,穿越頻率為6 kHz,滿足零穩(wěn)態(tài)誤差和系統(tǒng)快速性的要求[9-10]。
電壓控制的目的是保護系統(tǒng),故對其控制系統(tǒng)的要求不高,系統(tǒng)采用了單極點、單零點的PI調(diào)節(jié)器。采樣電壓經(jīng)過跟隨器、PI調(diào)節(jié)器輸出作為MOSFET管的門極輸入,當采樣電壓大于18 V時,經(jīng)PI調(diào)節(jié)改變MOSFET驅(qū)動電壓,從而實現(xiàn)過壓保護。
電壓和電流控制回路的整合方式如圖3所示,根據(jù)誰低誰輸出的原則,可以限制恒壓的上限為18 V,18 V以下為任意恒流控制。
圖3 帶有過壓保護的恒流模式選擇電路
系統(tǒng)流程圖如圖4和圖5所示,主程序中完成系統(tǒng)的初始化、鍵盤檢測、顯示。利用定時器產(chǎn)生100 ms的中斷,在定時器中斷中啟動AD轉(zhuǎn)換[11-12],AD中斷中取得寄存器中的電壓電流值,并進行移動窗濾波,結(jié)果存放在指定變量中待顯示子程序使用。
圖4 主程序流程圖
圖5 中斷程序流程圖
系統(tǒng)樣機如圖6所示,系統(tǒng)結(jié)構(gòu)模塊化,接線簡單,易于實驗室日常維護。經(jīng)測試,系統(tǒng)可以以10 mA的步長進行0~1 A的負載電流控制,負載電流穩(wěn)態(tài)誤差小于1%,紋波小于0.5%。
圖6 電子負載樣機
系統(tǒng)設(shè)計了以低成本模擬電路為控制核心,以MSP430F169單片機為人機接口控制器的恒流電子負載,實現(xiàn)了電子負載的電流精確可控和過壓保護,很好地實現(xiàn)了系統(tǒng)參數(shù)設(shè)置和顯示,滿足了電工實驗室常規(guī)實驗的要求。
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