胡 波，梁智明，漆臨生，周 進(jìn)，張小俊, 何海洋，黃紹波

(東方電氣集團(tuán)東方電機(jī)有限公司，四川德陽 618000)

高壓電機(jī)定子線棒兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)與電容關(guān)系的研究

胡 波，梁智明，漆臨生，周 進(jìn)，張小俊, 何海洋，黃紹波

(東方電氣集團(tuán)東方電機(jī)有限公司，四川德陽 618000)

對高壓電機(jī)定子條式線棒的槽部與端部進(jìn)行了絕緣結(jié)構(gòu)和防暈結(jié)構(gòu)分析。首次建立了線棒槽部與端部的兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)及對地電容的電路模型，同時(shí)使用兩電極測試方法分別測試并分析了電極長度與外施電壓對整體性良好線棒與嚴(yán)重脫殼線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)和電容的影響。計(jì)算得到了介質(zhì)損耗因數(shù)與電容的數(shù)值關(guān)系，為高壓電機(jī)整機(jī)介質(zhì)損耗因數(shù)的計(jì)算提供了理論支撐與試驗(yàn)依據(jù)。

高壓電機(jī)；定子線棒；兩電極；介質(zhì)損耗因數(shù)；電容

0 引言

近二十年來，國內(nèi)制造廠引進(jìn)、消化、吸收了很多國外電機(jī)定子線棒與整機(jī)繞組的新技術(shù)，推廣使用了很多新型絕緣材料、新絕緣結(jié)構(gòu)或制造工藝，大大提高了線棒絕緣的電氣及機(jī)械性能。部分廠的線棒絕緣已接近或達(dá)到了世界先進(jìn)水平。

盡管多年來國內(nèi)多膠模壓或少膠真空壓力浸漬(VPI)的單只成型線棒絕緣的介質(zhì)損耗因數(shù)測試及其考核標(biāo)準(zhǔn)已按照國內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行，很大程度上能夠檢測出了線圈絕緣內(nèi)部微氣隙，但仍然無法完全避免少量氣隙在運(yùn)行電壓下的局部放電可能引起電、化學(xué)、機(jī)械、光、聲等多因子老化。這會(huì)加速定子繞組在運(yùn)行過程中的絕緣老化，進(jìn)而縮短定子線棒絕緣的壽命。而采用整體真空壓力浸漬(GVPI)工藝[1]的各類發(fā)電機(jī)或電動(dòng)機(jī)定子繞組與線圈的考核也存在很大的困難。

業(yè)內(nèi)對于考核單只定子線圈內(nèi)部絕緣氣隙放電的測試方法主要為三電極測試介質(zhì)損耗因數(shù)，而更接近于真機(jī)運(yùn)行狀態(tài)的整機(jī)繞組絕緣內(nèi)外氣隙放電情況更加受到業(yè)內(nèi)的關(guān)注。作為其中一項(xiàng)重要的考核手段，整機(jī)繞組兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)測試卻因受到繞組端部較大的電導(dǎo)性泄漏電流的干擾而無法準(zhǔn)確表征繞組整體絕緣性能。

筆者對高壓電機(jī)定子條式線棒的槽部與端部進(jìn)行了絕緣結(jié)構(gòu)和防暈結(jié)構(gòu)分析。首次建立了線棒槽部與端部的兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)及對地電容的電路模型。使用兩電極測試方法分別測試并分析了電極長度與外施電壓對整體性良好線棒與嚴(yán)重脫殼線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)與電容的影響，計(jì)算得到了介質(zhì)損耗因數(shù)與電容的關(guān)系，為高壓電機(jī)整機(jī)介質(zhì)損耗因數(shù)的計(jì)算提供了理論支撐和試驗(yàn)依據(jù)。結(jié)果表明，絕緣整體性良好線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)與電容均由恒定的槽部初始值與線性增加的端部增量疊加而成。而絕緣嚴(yán)重脫殼線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)與電容則包括恒定的槽部分量、激增的槽部增量與線性增加的端部增量。

2 試驗(yàn)部分

2.1 試驗(yàn)樣品

1) 3只額定線電壓Un為13.8 kV的真機(jī)定子線棒(1號～3號)，絕緣整體性良好。

2) 3只額定線電壓Un為13.8 kV的真機(jī)定子線棒(4號～6號)，經(jīng)冷熱循環(huán)處理后線棒主絕緣與銅線脫空，絕緣嚴(yán)重脫殼。

2.2 試驗(yàn)設(shè)備

LDSV-6型局放介質(zhì)損耗測量儀。

2.3 測試方法

按照IEEE std 286中兩電極方法測試。

2.4 試驗(yàn)線路

線棒介質(zhì)損耗因數(shù)與電容的兩電極測試線路如圖1所示。

T1. 調(diào)壓器； T2. 試驗(yàn)變壓器； T3. 高壓表； Cp. 標(biāo)準(zhǔn)電容器；

2.5 測試電極長度

線棒某一端的測試電極長度如圖2所示，假設(shè)另一端結(jié)構(gòu)相同且對稱。測試電極長度由點(diǎn)P處向兩端延伸，每次電極兩端各延長20 mm，即測試電極長度分別等于每次鋁箔包裹的長度L0、L1、L2、L3、L4、L5，相鄰Li的增量ΔL均為40 mm，同時(shí)第一次鋁箔包裹長度L0等于可見低阻長度。

1. 線棒銅線； 2. 線棒主絕緣； 3. 線棒槽部低阻層；

2.6 試驗(yàn)電壓

對線棒施加工頻交流電壓，測試電壓為0～Un，其中tanδ0為線棒在氣隙放電前的介質(zhì)損耗因數(shù)初始值，Δtanδ為線棒氣隙放電前后的介質(zhì)損耗因數(shù)變化值，C0為線棒在氣隙放電前的對地電容初始值，ΔC為線棒氣隙放電前后的電容變化值。

2.7 試驗(yàn)結(jié)果

絕緣整體性良好的1號線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ與電容C隨施加電壓U的變化情況如圖3～圖4所示。

圖3 1號線棒tanδ～U在不同電極長度下的曲線

圖4 1號線棒C～U在不同電極長度下的曲線

由圖3和圖4可知，無論電極長度如何變化，隨著外施電壓的升高，線棒的tanδ與C基本線性增加。同時(shí)前面4個(gè)電極長度(L0，L1，L2，L3)下的tanδ～U曲線與C～U曲線基本上分別重合；后面2個(gè)電極長度(L4，L5)下，tanδ減小而C增大。

絕緣嚴(yán)重脫殼的4號線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ與電容C隨施加電壓U的變化情況如圖5～圖6所示。

圖5 4號線棒tanδ～U在不同電極長度下的曲線

圖6 4號線棒C～U在不同電極長度下的曲線

由圖5和圖6可知，無論電極長度如何變化，隨著外施電壓的升高，線棒的tanδ與C均經(jīng)歷了基本不變至連續(xù)增長的過程。同時(shí)前面4個(gè)電極長度(L0，L1，L2，L3)下的tanδ～U曲線與C～U基本上分別重合；在后面2個(gè)電極長度(L4，L5)下，tanδ略微減小而C增大。

3 理論模型

3.1 線棒兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)的構(gòu)成

分析線棒絕緣結(jié)構(gòu)、防暈結(jié)構(gòu)和兩電極測試線路可知：兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)包括線棒槽部介質(zhì)損耗因數(shù)與線棒端部介質(zhì)損耗因數(shù)兩部分。根據(jù)復(fù)合介質(zhì)并聯(lián)組合的等值計(jì)算公式[2]可知，線棒槽部和端部的合成介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ(即線棒介質(zhì)損耗測試值)可用式(1)計(jì)算得到。該公式可用于疊加計(jì)算線棒介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ及其兩個(gè)組成分量(槽部介質(zhì)損耗tanδs與端部介質(zhì)損耗tanδe)的數(shù)值關(guān)系，而不適用于分別計(jì)算槽部或端部介質(zhì)損耗及其增量。

(1)

式中:tanδs為線棒槽部絕緣的介質(zhì)損耗；tanδe為線棒端部絕緣的介質(zhì)損耗；Cs為線棒槽部絕緣的電容；Ce為線棒端部絕緣的電容。

而線棒槽部或端部的介質(zhì)損耗分別由線棒在較低電壓下的初始介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ0及線棒在較高電壓下的介質(zhì)損耗增量Δtanδ組成，如式(2)所示。

(2)

MOHSEN.F[3]認(rèn)為介質(zhì)損耗主要來自四個(gè)方面：流經(jīng)絕緣體內(nèi)或表面的電導(dǎo)損耗、由偶極子轉(zhuǎn)向極化引起的松弛損耗、空間電荷引起的界面極化損耗以及氣隙擊穿引起的局部放電損耗。

3.2 線棒兩電極電容的構(gòu)成

在忽略線棒端部雜散電容和寄生電容情況下，線棒兩電極電容C主要包括線棒測試電極范圍內(nèi)的靜態(tài)電容C0與外施高壓作用下的等值電容增量C1兩部分。等值電容增量C1只在外施高壓達(dá)到一定數(shù)值時(shí)存在，包括槽部氣隙放電增量ΔCs和端部電極效應(yīng)引起的電容增量ΔCe。

3.3 介質(zhì)損耗損耗因數(shù)初始值tanδ0

線棒介質(zhì)損耗因數(shù)初始值包括槽部絕緣介質(zhì)損耗初始值與端部絕緣介質(zhì)損耗初始值。

3.3.1 槽部介質(zhì)損耗初始值tanδs0

在施加電壓較低且絕緣內(nèi)部氣隙的電壓尚未達(dá)到氣隙擊穿所需的電壓值時(shí)，線棒槽部介質(zhì)損耗測試值，槽部絕緣介質(zhì)損耗初始值表征了線棒自身絕緣特性，由線棒絕緣結(jié)構(gòu)、絕緣工藝和絕緣材料所決定。主要由槽部絕緣內(nèi)部的電導(dǎo)損耗和松弛損耗貢獻(xiàn)。

3.3.2 端部介質(zhì)損耗初始值tanδe0

在剛施加電壓時(shí)，線棒端部介質(zhì)損耗測試值。端部介質(zhì)損耗初始值主要表征了線棒端部防暈特性，由端部防暈材料、防暈結(jié)構(gòu)、防暈工藝所決定，主要由端部表面含SiC材料的防暈層的電導(dǎo)損耗貢獻(xiàn)。

3.4 介質(zhì)損耗因數(shù)增量Δtanδ

線棒介質(zhì)損耗增量包括槽部絕緣介質(zhì)損耗增量Δtanδs與端部介質(zhì)損耗增量Δtanδe。

3.4.1 槽部絕緣介質(zhì)損耗增量Δtanδs

槽部絕緣介質(zhì)損耗增量主要由絕緣內(nèi)部氣隙擊穿放電引起，主要由局部放電損耗所貢獻(xiàn)。介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電擊穿的模型[4]如圖7所示。

(a) 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電模型，左側(cè)為不放電部分，右側(cè)為含有放電氣隙的支路；(b) 放電前等值電路；(c) 放電后等值電路。圖7 介質(zhì)內(nèi)氣隙放電模型及等值電路

在圖7中，Ci為與放電氣隙處于不同支路的氣隙和介質(zhì)的總電容，Cg為放電氣隙的總電容，Cir為與放電氣隙位于同一條支路中的氣隙和介質(zhì)的總電容。

在氣隙兩端電壓逐漸增加且在一定電壓下發(fā)生擊穿并形成導(dǎo)電通道時(shí)，相當(dāng)于氣隙短路，該支路電容增加。而不放電介質(zhì)的等值電阻和等值電容均不發(fā)生變化。因此，隨著外施電壓的升高，槽部介質(zhì)損耗增量Δtanδs只與槽部等值電容增量ΔCs有關(guān)。

3.4.2 端部介質(zhì)損耗增量Δtanδe

因?yàn)榫€棒端部表面擁有可均勻端部表面電位分布的防暈層(以SiC為基材)且外施電壓最高只有Un。所以線棒端部表面電位梯度遠(yuǎn)低于其四周空氣氛圍的表面放電所需的電場強(qiáng)度，不會(huì)引起線棒端部表面電暈或火花放電，進(jìn)而增加線棒端部表面放電的附加損耗。因此，端部介質(zhì)損耗增量主要由端部表面防暈層的電導(dǎo)損耗隨外施電壓的升高而增加引起的。定子線棒端部等值電路圖如圖8所示。

因?yàn)榫€棒端部表面防暈層的表面電阻阻抗遠(yuǎn)小于表面容抗，端部對地容抗遠(yuǎn)小于體積電阻阻抗，所以圖8(a)可簡化為圖8(b)[5]。

Cs. 單位長度的表面電容，Cv. 單位體積的體積電容，Rs. 單位長度的表面電阻，Rv. 單位體積的體積電阻圖8 定子線棒端部等值電路圖

因此，端部介質(zhì)損耗增量可以認(rèn)為是由單位長度表面電阻與對應(yīng)的單位體積的體積電容兩者組成的電路單元在外施電壓下的數(shù)值變化引起的。在單位體積電容隨外施電壓基本不變的條件下，端部介質(zhì)損耗增量Δtanδe只與單位長度表面電阻的連續(xù)降低(即防暈層的電阻非線性)有關(guān)。

很多研究指出[5-7]，當(dāng)SiC防暈材料外施場強(qiáng)E不高于4 kV/cm時(shí)，材料表面電阻率的對數(shù)lgρ與外施場強(qiáng)E的關(guān)系近似于負(fù)線性關(guān)系。而端部介質(zhì)損耗正比于端部有功電流，即反比于端部表面電阻率。因此，可以認(rèn)為Δtanδe∝1/lgρ。宋建成等[5]指出，在外施場強(qiáng)變化范圍較小時(shí)，對數(shù)曲線lgρ～E與曲線ρ～E差異很小。因此，隨著外施電壓的升高，端部介質(zhì)損耗也隨之線性增加。

同時(shí)隨著外施電壓的升高，與點(diǎn)P相鄰的第一個(gè)電路單元中表面電阻逐漸降低以至于對應(yīng)的對地電容被短路，相當(dāng)于介質(zhì)損耗或電容測試電極延長，引起電極等值電容的增加。后續(xù)電路單元也將依次出現(xiàn)類似現(xiàn)象。

值得注意的是，當(dāng)外施電壓繼續(xù)升高時(shí)，線棒端部泄漏電流或端部介質(zhì)損耗因數(shù)將呈現(xiàn)出非線性增長的趨勢。

3.5 槽部介質(zhì)損耗及其增量與電容及其增量的數(shù)值關(guān)系(局部放電類型)

在交變電場下介質(zhì)的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ如式(3)所示[8]。

(3)

式中：時(shí)間常數(shù)τ為電阻R和電容C的乘積。

該公式表征了絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)與電容隨外施電壓變化的關(guān)系，可用于計(jì)算槽部介質(zhì)損耗和電容在絕緣內(nèi)部氣隙擊穿放電前后的數(shù)值變化，適用于局部放電損耗計(jì)算。

(4)

考慮到室溫下工頻電壓(ετ?1)和環(huán)氧云母介質(zhì)的極化主要由偶極子轉(zhuǎn)向極化構(gòu)成的條件(εs>ε∞)[9]，式(4)可簡化為式(5)。

Δtanδs≈tanδs0·ΔCs/C0

(5)

對于線棒槽部絕緣來說，如果放電前的電容C0和介質(zhì)損耗因數(shù)tanδs0為定值，則放電前后的介質(zhì)損耗因數(shù)增量Δtanδs與電容變化量ΔCs成正比。

3.6 線棒介質(zhì)損耗和電容計(jì)算公式

3.6.1 絕緣整體性良好線棒

絕緣整體性良好的線棒意味著線棒槽部絕緣的介質(zhì)損耗因數(shù)和電容基本不隨外施電壓升高而變化，可以認(rèn)為定值，即Δtanδs和ΔCs為0。因此，線棒兩電極介質(zhì)損耗tanδ和電容C可由式(6)和式(7)表述。

(6)

C=C0+C1=C0+ΔCe

(7)

在式(6)中，等號右側(cè)的第1部分基本不隨電壓變化，等于線棒剛施加電壓時(shí)的介質(zhì)損耗測試值；等號右側(cè)的第2部分為電壓的變量，它引起線棒介質(zhì)損耗測試值的變化。

在式(7)中，等號右側(cè)的第1部分C0基本不隨電壓變化，為線棒剛施加電壓時(shí)的電容測試值；等號右側(cè)的第2部分為電壓的變量，它引起線棒電容測試值的變化。

3.6.2 絕緣嚴(yán)重脫殼線棒

絕緣嚴(yán)重脫殼的線棒意味著線棒槽部絕緣的介質(zhì)損耗因數(shù)和電容隨外施電壓升高而增大，均為電壓的函數(shù)。因此，線棒兩電極介質(zhì)損耗tanδ和電容C可由式(8)和式(9)表述。

(8)

C=C0+C1=C0+ΔCs+ΔCe

(9)

在式(8)中，等號右側(cè)第1部分基本不隨電壓變化，為線棒剛施加電壓時(shí)的介質(zhì)損耗測試值；等號右側(cè)第2部分和第3部分為電壓的變量，引起線棒介質(zhì)損耗測試值的變化。

在式(9)中，等號右側(cè)第1部分基本不隨電壓變化，為線棒剛施加電壓時(shí)的電容測試值；等號右側(cè)的第2部分和第3部分為電壓的變量，引起線棒電容測試值的變化。

3.7 線棒介質(zhì)損耗和電容中各分量典型曲線

3.7.1 絕緣整體性良好線棒

絕緣整體性良好線棒的tanδ～U的典型曲線或C～U典型曲線如圖9所示。

1. tanδs; 2. tanδe; 3. tanδ圖9 絕緣整體性良好線棒的典型曲線

3.7.2 絕緣嚴(yán)重脫殼線棒

絕緣嚴(yán)重脫殼線棒的tanδ～U的典型曲線或C～U典型曲線如圖10所示。

1. tanδs; 2. tanδe; 3. tanδ圖10 絕緣嚴(yán)重脫殼線棒的典型曲線

4 結(jié)果與分析

4.1 電極長度對整體性良好線棒的影響

4.1.1 介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ

由圖11可知，1號線棒電極長度從L0開始(令ΔL=0)，隨著電極長度的增加，不同電壓下的曲線趨勢基本一致，均為先基本不變再減小。曲線拐點(diǎn)對應(yīng)的電極長度為圖2中項(xiàng)3的低電阻防暈帶長度。

1. 0.2Un下實(shí)測值; 2. 0.6Un下實(shí)測值; 3. 1.0Un下實(shí)測值;

假設(shè)線棒槽部與端部的截面尺寸相同且介質(zhì)均勻，則槽部與端部的電容之比即等于長度之比。根據(jù)ΔL=120 mm的介質(zhì)損耗測試值，可由式(6)計(jì)算得到后續(xù)計(jì)算值，如圖11所示。值得注意的是，因?yàn)槎瞬拷^緣介質(zhì)損耗計(jì)算條件取值存在較大的不確定性，所以介質(zhì)損耗計(jì)算值和實(shí)測值也存在較大的差異。

4.1.2 電容C

由圖12可知，1號線棒電極長度從L0開始(令ΔL=0)，隨著電極長度的增加，不同電壓下的曲線趨勢基本一致，均為先基本不變再增大。曲線拐點(diǎn)對應(yīng)的電極長度為圖2中項(xiàng)3的低電阻防暈帶長度。

1. 0.2Un下實(shí)測值; 2. 0.6Un下實(shí)測值; 3. 1.0Un下實(shí)測值;

假設(shè)線棒槽部與端部的截面尺寸相同且介質(zhì)均勻，則電容的增加即等于長度的增加。根據(jù)ΔL=120 mm的電容測試值，可由式(7)計(jì)算得到后續(xù)計(jì)算值，如圖12所示。測試曲線與計(jì)算曲線具有較好的一致性。

4.2 電極長度對絕緣脫殼線棒的影響

4.2.1 介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ

由圖13可知，4號線棒電極長度從L0開始(令ΔL=0)，隨著電極長度的增加，不同電壓下的曲線趨勢基本一致，均為先基本不變再略微減小。曲線拐點(diǎn)對應(yīng)的電極長度為圖2中項(xiàng)3的低電阻防暈帶長度。

1. 0.2Un實(shí)測值；2. 0.6Un實(shí)測值；3. 1.0Un實(shí)測值

在圖5和圖13中，電極長度(或各部分電容)對tanδ的影響并不明顯，這是因?yàn)棣anδs遠(yuǎn)大于Δtanδe且Cs大于Ce而使式(8)中等號右側(cè)第3部分為第2部分所掩蓋。

4.2.2 電容C

由圖14可知，4號線棒電極長度從L0開始(令ΔL=0)，隨著電極長度的增加，不同電壓下的曲線趨勢基本一致，均為先基本不變再增大。曲線拐點(diǎn)對應(yīng)的電極長度為圖2中項(xiàng)3的低電阻防暈帶長度。

1. 0.2Un實(shí)測值; 2. 0.6Un實(shí)測值; 3. 1.0Un實(shí)測值

4.3 電極長度對曲線計(jì)算的意義

由圖3～圖6中不同電極長度下各曲線互相平行或重合可知：在相同電壓下，在線棒電極長度兩端各延長0～100 mm范圍內(nèi)，線棒端部未被電極覆蓋的部分的Δtanδe～U曲線和ΔCe～U曲線特性未發(fā)生變化，只是槽部與端部各自所占電容比例發(fā)生了變化。

由圖11～圖14中不同電壓下各曲線互相平行可知：在相同電極長度下，線棒端部的Δtanδe數(shù)值和ΔCe數(shù)值與外施電壓U近似于線性增加，因此在實(shí)際計(jì)算中Δtanδe～U曲線和ΔCe～U曲線可簡化為線性關(guān)系。

4.4 絕緣脫殼線棒的tanδ～U曲線計(jì)算

假設(shè)相同形狀和結(jié)構(gòu)的不同線棒端部防暈系統(tǒng)相同時(shí)，tanδe～U特性也基本相等，則可以通過測試相同形狀和結(jié)構(gòu)的2號和3號線棒的tanδ～U曲線并分解出tanδe～U曲線。

根據(jù)4號線棒C～U曲線并按照式(5)和式(8)可計(jì)算得到4號線棒tanδ～U曲線，如圖15所示。

圖15 4號線棒tanδ～U實(shí)測曲線與計(jì)算曲線

由圖15可知，實(shí)測曲線與計(jì)算曲線基本一致，這說明：對于絕緣脫殼線棒來說，Δtanδs遠(yuǎn)大于Δtanδe且Cs大于Ce，同時(shí)相關(guān)計(jì)算比較符合式(5)。

5 結(jié)語

1) 首次建立了高壓電機(jī)定子線棒兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)和電容的等值電路模型。

2) 首次建立了高壓電機(jī)定子線棒兩電極介質(zhì)損耗因數(shù)和電容的各組成分量的數(shù)值計(jì)算模型。

3) 絕緣整體性良好線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)與電容均由恒定的槽部初始值與線性增加的端部增量疊加而成。

4) 絕緣嚴(yán)重脫殼線棒的介質(zhì)損耗因數(shù)與電容包括恒定的槽部組分、激增的槽部增量與線性增加的端部增量。

[1] 顧家華.電機(jī)繞組真空連續(xù)浸漬絕緣工藝簡析[J].微特電機(jī),2005,30(5):35～38.

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胡波，男，1981年生，碩士研究生，工程師，畢業(yè)于西安交通大學(xué)電氣絕緣專業(yè)，現(xiàn)從事高壓電機(jī)絕緣工藝研究。

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菲律賓仍有516萬kW水電資源待開發(fā)

據(jù)《菲律賓星報(bào)》2014年8月22日報(bào)道，菲能源部的數(shù)據(jù)顯示，菲未開發(fā)的水電資源在516萬kW左右，其中呂宋地區(qū)待開發(fā)的有358萬kW，棉蘭老島有86萬kW，米沙鄢地區(qū)有72萬kW，共需約130億美元的投資。菲律賓目前水電總裝機(jī)容量為349萬kW，占全國總裝機(jī)容量的13.7%，水電裝機(jī)容量落后于越南、泰國和印尼。

20140403