陳 瓊, 童國(guó)平, 李 盛
(浙江師范大學(xué) 數(shù)理與信息工程學(xué)院,浙江 金華 321004)
由Su-Schrieffer-Heeger(SSH)[1],Rice[2]提出的聚乙炔孤子模型已成功地解釋了無(wú)自旋電導(dǎo)率、紅外吸收等許多實(shí)驗(yàn)結(jié)果.雖然,純凈的聚乙炔每個(gè)格點(diǎn)有一個(gè)可移動(dòng)的π電子,但其不導(dǎo)電,這是它的維度性所造成的[3].將其摻雜后,其電導(dǎo)率可達(dá)金屬的電導(dǎo)率[4].由于聚乙炔鏈與鏈之間相互耦合很弱,因而可視為準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu).盡管如此,鏈與鏈之間的耦合對(duì)孤子等非線性元激發(fā)有一定的影響[5]. Fesser[6]考慮了鍵與鍵平行結(jié)構(gòu)、反平行結(jié)構(gòu)等三維情況的鏈間耦合問(wèn)題,利用連續(xù)SSH模型研究了電子能譜.隨著石墨烯實(shí)驗(yàn)的開(kāi)展[7],尤其是人們對(duì)石墨烯納米帶拓?fù)湫再|(zhì)的發(fā)現(xiàn),石墨烯更引起人們的研究興趣.利用緊束縛近似與硬壁邊界條件[8-10]、有限系統(tǒng)的Bloch定理[11]、狄拉克方程低能近似[12]等方法,可以解析地得到扶手椅型和鋸齒型2種石墨烯納米帶的電子色散關(guān)系.那么,除此以外,能否利用SSH模型方法來(lái)解析地給出電子的色散關(guān)系?因?yàn)槭┘{米帶在一個(gè)方向上仍然具有周期結(jié)構(gòu),尤其是鋸齒型邊的納米帶,可以視為均勻聚乙炔鏈鍵與鍵非平行結(jié)構(gòu)的二維鏈間耦合而成.因此,只要選取合適的單位元胞,就能給出其電子能譜,本文的研究正是基于這一考慮.
共軛高分子的鏈間耦合與其鏈中耦合相比較弱,因此,通常忽略鏈間耦合,把其視為準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu)[3].盡管如此,這種弱鏈間耦合還是產(chǎn)生一定的物理效應(yīng)[5].如果計(jì)入鏈間耦合,體系的SSH哈密頓量可表達(dá)為
H=HSSH+Hint.
(1)
(2)
(3)
這里:HSSH描述的是考慮自旋時(shí)每條鏈內(nèi)相互作用的哈密頓量,其中包括電子部分He和晶格部分Ha;式中的t0是晶格未畸變時(shí)的電子最近鄰跳躍積分;un是第n個(gè)格點(diǎn)的二聚化位移;而α是反映鏈二聚化位移的畸變參量;Hint表示鏈與鏈之間的相互作用項(xiàng);an,s為第n個(gè)格點(diǎn)上電子自旋為s的湮滅算符;t⊥代表鏈間耦合跳躍積分,反映的是耦合強(qiáng)度.式(2)中,K和M分別表示晶格的彈性常數(shù)和CH原子團(tuán)的質(zhì)量,這部分是非量子的經(jīng)典唯象表達(dá).
對(duì)于未畸變的一維鏈來(lái)說(shuō),計(jì)入最近鄰相互作用的電子部分的SSH哈密頓量為
(4)
這時(shí)考慮鏈間耦合的系統(tǒng)哈密頓量可表示為
(5)
下面筆者將這一簡(jiǎn)化模型運(yùn)用于具有鋸齒型邊的石墨烯納米帶的電子能譜研究.
為了突現(xiàn)鏈間耦合效應(yīng),筆者在下面的計(jì)算中略去了長(zhǎng)、短鍵之間的差別,即把相鄰格點(diǎn)間的跳躍能都取成t0.于是,考慮最近鄰相互作用時(shí),由圖1(c)可得系統(tǒng)的哈密頓量為
(6)
圖1 2條鏈之間鍵與鍵非平行結(jié)構(gòu)耦合
將式(6)中的產(chǎn)生和湮滅算符作如下變換:
(7)
(8)
(9)
利用式(7)、式(8)和式(9),可將式(6)轉(zhuǎn)化成哈密頓矩陣表示式
將此哈密頓量對(duì)角化就可以得到如下電子能譜
(11)
式(11)中,符號(hào)“±”表示導(dǎo)帶和價(jià)帶.
當(dāng)2條鏈之間如圖2(a)和圖2(b)的形式耦合時(shí),稱(chēng)之為平行耦合.因?yàn)閳D2(a)的長(zhǎng)鍵(或短鍵)之間是平行的,而圖2(b)的上一條鏈的長(zhǎng)鍵(或短鍵)與下一條鏈的短鍵(或長(zhǎng)鍵)是平行的.
圖2 2條鏈之間的鍵與鍵平行耦合
當(dāng)不計(jì)二聚化時(shí),2種結(jié)構(gòu)形式相同,系統(tǒng)的哈密頓量可表示為
(12)
聯(lián)立式(7)、式(8)、式(9),可將式(12)轉(zhuǎn)化成哈密頓矩陣
由此可得電子能譜為
(14)
很顯然,不計(jì)二聚化時(shí),2種形式的鏈間耦合的電子能譜不相同.
由SSH哈密頓模型式(5),可寫(xiě)出圖3在y方向一個(gè)元胞的哈密頓量如下:
(15)
(16)
式(16)形式上與式(12)相同,但產(chǎn)生和湮滅算符的具體內(nèi)容不再完全相同.聯(lián)立式(7)、式(8)和式(9),可將式(16)表示成矩陣形式:
將此哈密頓量對(duì)角化,就可得到電子能譜
(18)
當(dāng)t⊥=t0時(shí),式(18)就是基于SSH模型得到的鋸齒型石墨烯納米帶的能量色散關(guān)系,此結(jié)果與有限系統(tǒng)的Bloch定理[11]所得結(jié)果一致.
圖4 非平行結(jié)構(gòu)不同垂直耦合強(qiáng)度的電子能譜
2條鏈之間鍵與鍵平行方法耦合的能譜展現(xiàn)在圖5中.同樣,隨著耦合強(qiáng)度的增加,2條能帶分離增強(qiáng).與圖4相比可以看出,平行結(jié)構(gòu)的耦合要強(qiáng)于非平行結(jié)構(gòu).同時(shí),能帶的增寬也變得明顯很多,表明這種耦合方式有助于電子的擴(kuò)展態(tài)行為,而不利于電子的局域態(tài)行為.對(duì)比圖4和圖5還可以看出,在相同耦合強(qiáng)度下,平行結(jié)構(gòu)要比非平行結(jié)構(gòu)更能改變電子的能帶結(jié)構(gòu).
圖6給出了非平行結(jié)構(gòu)的鏈間耦合SSH模型應(yīng)用于鋸齒型邊石墨烯納米帶的電子能譜.從式(18)可知,由于納米帶有一定的寬度,ky可以取一些分立的值,對(duì)每一個(gè)ky值,均可以得到一條相應(yīng)的能帶.為了展示能帶隨著耦合強(qiáng)度變化的規(guī)律,只需給出ky=0的部分能帶圖就足夠了,因?yàn)槠渌軒У淖兓?guī)律是類(lèi)似的.圖6(a)~(e)所示表示耦合強(qiáng)度是漸漸增強(qiáng)的,即t⊥=0.5,1.0,1.5,2.0,2.5eV.由圖6可見(jiàn),隨著耦合強(qiáng)度的增強(qiáng),能帶增寬;耦合強(qiáng)度的增加不會(huì)引起能隙的打開(kāi);耦合強(qiáng)度的增加,電子的擴(kuò)展態(tài)得到極大的增強(qiáng).這個(gè)結(jié)果告訴我們,想通過(guò)調(diào)節(jié)納米帶寬度方向的鍵長(zhǎng)來(lái)改變其導(dǎo)電性質(zhì)是不可能的.當(dāng)耦合強(qiáng)度為2.5eV時(shí),碳原子構(gòu)成正六邊形結(jié)構(gòu),因此,圖6(e)表示的是正常能帶結(jié)構(gòu)(部分能帶).應(yīng)用這一方法所顯示的能帶結(jié)構(gòu)與有限系統(tǒng)的Bloch方法[11]所得結(jié)果是一致的.
圖5 平行結(jié)構(gòu)不同垂直耦合強(qiáng)度的電子能譜
圖6 鋸齒型邊石墨烯納米帶電子能譜與鏈間耦合強(qiáng)度的關(guān)系
利用SSH模型計(jì)算了2條反式聚乙炔鏈其鍵之間平行和非平行結(jié)構(gòu)的電子能譜.隨著耦合強(qiáng)度的增強(qiáng),這兩種構(gòu)形均表現(xiàn)相似的特點(diǎn),即都能增加能帶的寬度,但是平行結(jié)構(gòu)更勝一籌.將非平行結(jié)構(gòu)的耦合方式應(yīng)用于鋸齒型石墨烯納米帶,能夠較為簡(jiǎn)潔地、且解析地給出能量色散關(guān)系.與其他方法相比,數(shù)學(xué)處理大大簡(jiǎn)化,這是本方法的優(yōu)點(diǎn)所在.另一方面,想通過(guò)改變寬度方向的鍵長(zhǎng)來(lái)打開(kāi)能隙是不可能的.
參考文獻(xiàn):
[1]Su W P,Schrieffer J R,Heeger A J.Solitons in polyacetylene[J].Phys Rev Lett,1979,42(25):1698-1701.
[2]Rice M J.Charged π-phase kinks in lightly doped polyacetylene[J].Phys Lett A,1979,71(1):152-154.
[3]孫鑫.高聚物中的孤子和極化子[M].成都:四川教育出版社,1987.
[4]Kaneko H,Ishiguro T.Electrical conductance in metallic phases of fully doped polyacetylene[J].Synthetic Metals,1994,65(2):141-148.
[5]Baeriswyl D,Maki K.Soliton confinement in polyacetylene due to interchain coupling[J].Phys Rev B,1983,28(4):2068-2073.
[6]Fesser K.Interchain coupling in trans-polyacetylene[J].Phys Rev B,1989,40(3):1962-1965.
[7]Novoselov K S,Geim A K,Morozov S V,et al.Electric field effect in atomically thin carbon films[J].Science,2004,306(5696):666-669.
[8]Zheng Huaxiu,Wang Zhengfei,Luo Tao,et al.Analytical study of electronic structure in armchair graphene nanoribbons[J].Phys Rev B,2007,75(16):165414.
[9]金子飛,童國(guó)平,蔣永進(jìn).非鄰近跳躍對(duì)扶手椅型石墨烯納米帶電子結(jié)構(gòu)的影響[J].物理學(xué)報(bào),2009,58(12):8537-8543.
[10]Tong Guoping.Physics and applications of graphene-theory:chapter 4 the non-neighbor effect in graphene ribbons[M].Rijeka(Croatia):InTech Publisher,2011:71-92.
[11]鄧偉胤,朱瑞,鄧文基.Zigzag型邊界石墨烯納米帶的電子態(tài)[J].物理學(xué)報(bào),2013,62(6):067301.
[12]Brey L,Fertig H A.Electronic states of graphene nanoribbons studied with the Dirac equation[J].Phys Rev B,2006,73(23):235411.