王瑞

（寶雞文理學院 物理與信息技術系，陜西 寶雞 721013）

大功率IGBT功耗的研究

王瑞

（寶雞文理學院 物理與信息技術系，陜西 寶雞 721013）

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。為了改善其功耗性能并進行進一步優(yōu)化，論文在闡述IGBT特性基礎上，通過從器件構成和實際應用角度對影響功率器件功耗的主要因素進行分析，并結合實踐對IGBT功率器件的功耗進行深入研究，由此可以更深刻地理解IGBT功耗的產(chǎn)生，這對正確選擇和使用IGBT器件及其系統(tǒng)有一定的實用價值。

IGBT；功率損耗；結構；特性；輸入電阻

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。在超高電壓電力傳輸、新能源的開發(fā)利用、變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域獲得廣泛應用，但所有電力電子器件在實際應用中最受關注的就是它的功耗，IGBT也不例外[1]。器件的功率損耗不僅對產(chǎn)品的結構設計至關重要，而且對其在實際應用中的選擇和使用也是舉足輕重，那么要提高器件的工作效率和實際應用效果的一個重要過程就是降低器件的功率損耗，同時降低器件的功率損耗也是國際上電力電子器件研究的一個熱點。論文是在闡述IGBT結構和特性基礎上，對功率器件IGBT的靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗進行研究探討，并從不同角度出發(fā)對影響功率器件IGBT功耗的幾個主要因素進行分析研究。

1 IGBT結構及特性分析

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低[2]。圖1是IGBT的基本結構，是以功率MOSFET為基礎的。其縱向結構為PNPN型結構，類似于MOS晶閘管，也相當于一個VDMOS與PN結二極管串聯(lián)；橫向結構與VDMOS結構沒有區(qū)別，電流也是垂直方向流動的[3-4]。

圖1 IGBT的基本結構Fig.1 Basic structure of IGBT

該器件有3個引出電極，襯底P+接正電位，稱IGBT器件的陽極或集電極C，也是PNP晶體管的發(fā)射極；表面N+接觸電極通常接負或零電位，稱IGBT器件的陰極或發(fā)射極E，也是NPN晶體管的集電極；通過柵介質引出的電極為IGBT的柵極G。內(nèi)部有3個PN結：P+N-結、N-P結和PN+結，分別用J1、J2及 J3來表示。

圖2所示是標明MOS場效應管和雙極管部分的IGBT剖面圖?？梢钥闯觯篒GBT相當于一個由MOSFET驅動的厚基區(qū)GTR，它們以達林頓結構復合，其中GTR為主導元件，MOSFET為驅動元件。作為電壓控制型器件，IGBT的開啟與MOS器件相同，其開通和關斷是由柵極電壓來控制的，導通過程非常迅速。

圖2 標明MOSFET和PNP晶體管部分的IGBT剖面圖Fig.2 IGBT profile marked MOSFET and PNP transistor part

當柵極加正向電壓并且大于開啟電壓VGE（th）時，MOSFET內(nèi)形成導電溝道，且MOS晶體管給PNP晶體管提供基極電流，使PNP晶體管導通，從而使IGBT導通。由于電導調制效應，使得電阻R減小，這樣高耐壓的IGBT也具有很小的通態(tài)壓降；反之，加反向柵極電壓時消除導電電溝道，流過反向基極電流，MOS管夾斷，即PNP管基極開路，使IGBT關斷。IGBT可工作在線性放大區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)，其主要作為開關器件應用。

IGBT的動態(tài)特性主要描述其開關開通、關斷時的瞬態(tài)過程，IGBT的開關瞬態(tài)特性如圖3所示。電力電子電路中IGBT主要用作開關器件，其開關速度是由開通、關斷時間決定的，同時這個時間也決定了器件的開關損耗。一般地，功率器件的開通、關斷瞬態(tài)過程與其結構有關，IGBT開通瞬態(tài)特性主要由內(nèi)部等效MOSFET的結構決定。

圖3 IGBT的開關瞬態(tài)特性Fig.3 The transient switching characteristics of IGBT

2 IGBT功耗理論及其影響因素

2.1 IGBT功耗理論

功率半導體器件大多數(shù)工作于開關狀態(tài)，在開、關過程和導通、關斷狀態(tài)都有功耗產(chǎn)生。IGBT器件的功率損耗包括靜態(tài)功耗和動態(tài)功耗[5]。靜態(tài)功耗指的是在IGBT處于靜態(tài)下發(fā)生的功耗，包括通態(tài)功耗和關態(tài)功耗。動態(tài)功耗由開通功耗和關斷功耗組成。

IGBT為電壓型驅動器件，在關斷狀態(tài)時電流幾乎為零，故關態(tài)功耗為零。所以IGBT的總功耗P是由通態(tài)功耗Pf和開關（開和關瞬時）功耗組成的。 通態(tài)功耗為IGBT開通后在飽和條件下的電壓有效值Uon和電流路徑上的有效值Ion的乘積。

開關功耗Ps取決于IGBT的開關特性,主要由器件開關時間的長短及開關過程中器件電流、電壓的大小所決定[6]。其開、關功耗分別為

式（2）、（3）中，Pson為開通瞬時功耗，Psoff為關斷瞬時功耗，u、i分別表示IGBT集電極—發(fā)射極電壓瞬時值及集電極電流瞬時值，ton、toff分別表示 IGBT器件開通及關斷所用的時間。所以

2.2 IGBT功率損耗的影響因素

器件的功耗是決定開關電路效率的重要因素。IGBT器件功耗優(yōu)化就是將靜態(tài)和動態(tài)過程中的功率損耗都降到最小，最終得到功率損耗最低的IGBT器件[6]。根據(jù)計算靜態(tài)功耗的式子可知，要降低靜態(tài)功耗就是要降低通態(tài)壓降，而通態(tài)壓降是受器件結構參數(shù)影響的。比如，圖1中集電極P+的摻雜濃度：增加P+的摻雜濃度可以降低電阻率，減小寄生電阻，從而減小IGBT的通態(tài)壓降；但這種增大集電極P+的摻雜濃度，IGBT器件的正向飽和壓降降低的情況，不可能是無止境的。其次N+緩沖層的濃度：濃度增大，阻斷特性的寬度減小，但又使IGBT器件的通態(tài)壓降增大，這是一個相互矛盾、相互制約的關系；還有N基區(qū)載流子壽命：影響N基區(qū)電導調制效應，電導調制效應好便可以有效的降低通態(tài)壓降。根據(jù)計算動態(tài)功耗的式子可知，要降低動態(tài)功耗主要考慮的是開通、關斷瞬時器件IGBT集電極電流、集射間的電壓以及IGBT的開通、關斷時間這4個量。對于開關器件IGBT而言，由于拖尾電流使關斷過程的時間要比開通過程的時間長，所以主要考慮關斷功耗[6]。P+集電極摻雜濃度越高，在關斷時電流下降的速度就變得越慢，關斷功耗就越大。還有N+緩沖層濃度增加，關斷時電流下降速度快，關斷功耗降低。

3 實際應用中IGBT功耗討論

上節(jié)是從功率器件內(nèi)部結構角度來討論影響IGBT功耗因素的。一旦一個或一系列IGBT器件生產(chǎn)出來，它的結構就已經(jīng)確定了，那在實際應用中影響IGBT功耗的也有一些因素。比如，應用中所測的IGBT實際開關功耗比參數(shù)值增大，其原因可能是所選的柵極電阻值過大，導致功耗過大，那解決的辦法就是減小柵極電阻值。使用時的關斷柵極電阻值過小，導致di/dt更大，會有過大的IGBT電壓尖峰，所以要取得好的IGBT使用效果[7]，柵極電阻值選擇時要進行折衷。柵極電阻需要選擇具有非諧振、高精度、溫度系數(shù)小、穩(wěn)定性好等特點的電阻。一般而言，柵極電阻值可取IGBT數(shù)據(jù)表中所列的最小值到大約兩倍于最小值之間的數(shù)值。

實際的IGBT產(chǎn)品，型號和系列不同，其結構也略有差異。對于內(nèi)置有FWD（Free Wheeling Diode，繼流二極管）的IGBT，其總功耗應該是IGBT功耗和FWD二極管的功耗之和，而兩者的功耗均可以分為靜態(tài)功耗與動態(tài)損耗。另外，需要注意動態(tài)功耗包括開通功耗與關斷功耗，繼流二極管的開通功耗是

其中fW是IGBT開關頻率，Erec是繼流能量 （參數(shù)表提供），IF是實際工作電流，Inom是標稱電流。繼流二極管的導通功耗是

其中VF是導通壓降（參數(shù)表提供），D是平均占空比。一般IGBT數(shù)據(jù)表會提供其相應的開通功耗和關斷功耗的。

4 結論

半導體器件是電力電子技術的基礎，IGBT器件的誕生使整個電力電子面貌發(fā)生巨大改觀。但在器件發(fā)展、應用過程中，總是有些許問題出現(xiàn)并要去解決。論文首先闡述了IGBT結構特性，隨后IGBT功耗理論進行了詳盡地敘述，并從器件構成角度和實際應用角度對影響功率器件功耗的主要因素進行了深入分析研究。由此可以更深刻地理解IGBT功耗的產(chǎn)生，這對正確選擇和使用IGBT器件及其系統(tǒng)有一定的實用價值。

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Research on high power IGBT power consumption

WANG Rui
（Department of Physics&Information Technology,Baoji University of Arts and Sciences,Baoji 721013,China）

Insulated gate bipolar transistor(IGBT)is a composite of full controlled voltage driven type power semiconductor devices.In order to improve the power performance and further optimization,in this paper,based on the IGBT characteristics,the main factors affecting the power loss analyzed and researched from the device structure and the practical application,and the power dissipation of IGBT is investigated from a practical point of view.It can be more profound understanding of IGBT power generation,it has certain practical value for the IGBT devices and systems to correct selection and use.

IGBT;power consumption;structure;characteristic;input resistance

TN386.2

A

1674-6236（2014）17-082-03

2014-02-20 稿件編號：201402107

王 瑞（1974—），女，陜西寶雞人，碩士，講師。研究方向：電子功率器件。