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      信號(hào)完整性在電磁兼容測(cè)試中的應(yīng)用

      2014-10-18 11:11:23史鎖蘭
      計(jì)測(cè)技術(shù) 2014年5期
      關(guān)鍵詞:芯板衰減器阻抗匹配

      史鎖蘭

      (工業(yè)和信息化部電信研究院泰爾終端實(shí)驗(yàn)室,北京 100191)

      信號(hào)完整性在電磁兼容測(cè)試中的應(yīng)用

      史鎖蘭

      (工業(yè)和信息化部電信研究院泰爾終端實(shí)驗(yàn)室,北京 100191)

      傳輸環(huán)境的阻抗不匹配可導(dǎo)致傳輸信號(hào)反射,降低信號(hào)的傳輸質(zhì)量,引起信號(hào)完整性問(wèn)題。為此,通過(guò)電磁兼容測(cè)試實(shí)例來(lái)分析信號(hào)完整性在電磁兼容測(cè)試中的重要性,提出新的測(cè)試方法。

      信號(hào)完整性;電磁兼容;時(shí)域反射;時(shí)域門(mén);阻抗匹配

      1 信號(hào)完整性簡(jiǎn)介

      從廣義上講,信號(hào)完整性指的是在高速產(chǎn)品中由互連線(xiàn)引起的所有問(wèn)題。它主要研究互連線(xiàn)與數(shù)字信號(hào)的電壓電流波形相互作用時(shí)其電氣特性參數(shù)如何影響產(chǎn)品的性能。我們聽(tīng)到過(guò)的比如振鈴、反射、近端串?dāng)_、開(kāi)關(guān)噪聲、衰減、容性負(fù)載等都屬于信號(hào)完整性的噪聲問(wèn)題[1]。所有與信號(hào)完整性噪聲問(wèn)題有關(guān)的效應(yīng)都與以下特定噪聲源中的一個(gè)有關(guān):

      1)單一網(wǎng)絡(luò)的信號(hào)完整性:在信號(hào)路徑或返回路徑上由于阻抗突變而引起的反射與失真;

      2)兩個(gè)或多個(gè)網(wǎng)絡(luò)間的串?dāng)_:和理想回路與非理想回路耦合的耦合電容、分布電容、互電感;

      3)電源和地分配中的軌道塌陷:在電源/地網(wǎng)絡(luò)中的阻抗壓降;

      4)來(lái)自整個(gè)系統(tǒng)的電磁干擾和輻射。

      隨著數(shù)字系統(tǒng)工作頻率和數(shù)據(jù)速率越來(lái)越高,信號(hào)完整性變得愈發(fā)重要。怎么保證信號(hào)最大限度地通過(guò)傳輸路徑到達(dá)接收設(shè)備,使影響信號(hào)完整性的諸如阻抗匹配、負(fù)載、傳輸線(xiàn)效應(yīng)甚至電源分配等因素減到最小,是信號(hào)完整性設(shè)計(jì)人員必須考慮的要素。

      同樣,在電磁兼容測(cè)試中,特別是搭建測(cè)試系統(tǒng)時(shí),也必須考慮信號(hào)完整性問(wèn)題。例如,抗擾度測(cè)試時(shí),怎么能保證外加干擾信號(hào)能夠最大限度地通過(guò)天線(xiàn)或者耦合設(shè)備施加到待測(cè)設(shè)備上,而不至于施加信號(hào)反射太大,影響信號(hào)發(fā)生設(shè)備的性能。

      有文獻(xiàn)提到, “信號(hào)完整性”一詞適用于被測(cè)設(shè)備,而 “信號(hào)保真度”適用于測(cè)試設(shè)備,此解釋可能比較絕對(duì)。本文以下實(shí)例中,G赫茲?rùn)M電磁波傳輸室(GTEM,G Hertz Transverse Electromagnetic Wave Transmission Chamber)的時(shí)域反射 (TDR,Time Domain Reflection)測(cè)試目的是測(cè)試GTEM這一產(chǎn)品的 “信號(hào)完整性”;時(shí)域門(mén)方法測(cè)試歸一化場(chǎng)地衰減 (NSA,Normalized Site Attenuation)與測(cè)試系統(tǒng)中使用固定衰減器的目的是改善測(cè)試方法與測(cè)試系統(tǒng)的 “信號(hào)完整性”問(wèn)題,以提高測(cè)試系統(tǒng)的 “信號(hào)保真度”。

      2 信號(hào)完整性應(yīng)用實(shí)例

      2.1 GTEM的TDR測(cè)試

      2.1.1 GTEM功能簡(jiǎn)介

      GTEM小室外形類(lèi)似于一個(gè)倒放的金字塔,其頂端連接一個(gè)同軸接頭,同軸接頭的中心導(dǎo)體在小室的內(nèi)部擴(kuò)展為一直達(dá)底部的扇形金屬板,稱(chēng)為芯板。芯板的終端采用分布式電阻匹配網(wǎng)絡(luò),形成無(wú)反射終端。小室內(nèi)的底部還貼有吸波材料,用來(lái)對(duì)高頻電磁波做進(jìn)一步吸收。GTEM小室本質(zhì)上是一段擴(kuò)大的、終端接匹配負(fù)載的同軸傳輸線(xiàn),其芯板和外殼可分別看作同軸線(xiàn)的內(nèi)外導(dǎo)體。根據(jù)傳輸線(xiàn)理論,電磁場(chǎng)在同軸線(xiàn)內(nèi)傳播時(shí),其主模是TEM(橫電磁)波,因此小室芯板和地板之間傳播的波為球面波,由于小室的張角很小,該球面波近似為平面波。GTEM小室結(jié)構(gòu)圖如圖1所示。

      GTEM小室主要用做抗擾度試驗(yàn)。由于其采用漸變結(jié)構(gòu),其上限工作頻率可達(dá)到幾GHz。GTEM小室也可用做輻射發(fā)射測(cè)試,測(cè)試時(shí)小室的芯板和底板代替暗室測(cè)試中的接收天線(xiàn),接收EUT的輻射騷擾,小室的同軸接頭則作為騷擾信號(hào)的輸出端。在暗室測(cè)試時(shí),通過(guò)改變接收天線(xiàn)的極化方向來(lái)確定EUT的最大輻射,而GTEM小室芯板和底板的位置在測(cè)試中不能改變,因此通過(guò)改變EUT的擺放位置來(lái)改變其輻射電磁的極化方向,從而確定EUT的最大輻射。一般要求EUT在測(cè)試過(guò)程中沿三個(gè)正交的取向 (x,y,z軸)擺放,GTEM小室內(nèi)通常帶有一特殊的旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)滿(mǎn)足這一要求。需要注意的是,GTEM小室的測(cè)試結(jié)果并不能直接等同于開(kāi)闊場(chǎng)或半電波暗室的測(cè)試結(jié)果,還需要通過(guò)一定的數(shù)字模型進(jìn)行修正[2]。

      圖1 GTEM小室結(jié)構(gòu)

      圖2 水平極化場(chǎng)地衰減測(cè)試布置圖

      2.1.2 TDR測(cè)試原理

      TDR是指?jìng)鬏斁€(xiàn)輸入一個(gè)快上升沿的階躍脈沖信號(hào),當(dāng)傳輸線(xiàn)上出現(xiàn)阻抗不連續(xù)的現(xiàn)象時(shí),在阻抗變化的地方階躍信號(hào)就會(huì)產(chǎn)生反射的現(xiàn)象,根據(jù)反射回波的時(shí)間和信號(hào)幅度,可以判斷阻抗不連續(xù)點(diǎn)距接收端的距離及相應(yīng)點(diǎn)的阻抗變化大小。

      當(dāng)用人手或者其他金屬物質(zhì)接觸GTEM內(nèi)部傳導(dǎo)隔板的不同位置,TDR波形就會(huì)在相應(yīng)位置出現(xiàn)大的變化,表現(xiàn)出阻抗不連續(xù)的現(xiàn)象。

      用網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)得的TDR值是歸一化阻值。例如,將50Ω電阻歸一化后為1Ω,轉(zhuǎn)化成dB值即為0,所以理想情況下,TDR值為0。若GTEM的TDR性能指標(biāo)為-10 mdBΩ≤TDR≤10 mdBΩ,轉(zhuǎn)化為實(shí)際芯板阻值,即整個(gè)芯板的特性阻抗要求為49.94Ω≤Z≤50.06Ω。這說(shuō)明,為了提高GTEM的測(cè)試準(zhǔn)確度,保證信號(hào)傳輸時(shí)的完整性,應(yīng)使其內(nèi)部傳導(dǎo)隔板的特性阻抗無(wú)限接近于50Ω,達(dá)到阻抗匹配,那么測(cè)試TDR性能就是評(píng)估信號(hào)完整性的一種有效方法。

      2.2 時(shí)域門(mén)方法測(cè)試歸一化場(chǎng)地衰減

      2.2.1 歸一化場(chǎng)地衰減

      NSA是衡量電波暗室能否作為合格的測(cè)試場(chǎng)地進(jìn)行EMC測(cè)試的關(guān)鍵指標(biāo),CISPR16-1-4中詳細(xì)規(guī)定了NSA的測(cè)試方法,測(cè)試系統(tǒng)布置圖如圖2、圖3所示。

      圖3 垂直極化場(chǎng)地衰減測(cè)試布置圖

      在測(cè)試過(guò)程中,水平和垂直極化都應(yīng)按照以下方法測(cè)試:①將連接收發(fā)天線(xiàn)的同軸電纜與天線(xiàn)分開(kāi),直接相連后,在接收電纜末端測(cè)得電壓值Vdirect;②將電纜分別與發(fā)射天線(xiàn)和接收天線(xiàn)相連以后,發(fā)射天線(xiàn)高度固定,接收天線(xiàn)在1~4 m測(cè)試高度上尋找最大接收信號(hào),在接收電纜末端測(cè)得最大接收電壓值Vsite。歸一化場(chǎng)地衰減由式 (1)得出[3-4]:

      式中:AFt與AFr分別是發(fā)射、接收天線(xiàn)的天線(xiàn)系數(shù)。

      2.2.2 時(shí)域門(mén)測(cè)試方法

      NSA測(cè)試的是發(fā)射天線(xiàn)發(fā)射的空間直射波和經(jīng)過(guò)接地平面反射的發(fā)射波的矢量合成,但由于實(shí)驗(yàn)場(chǎng)地接地平板的大小、接縫、平坦度,四周墻體和天花板的反射,天線(xiàn)桿與接收天線(xiàn)的耦合以及實(shí)驗(yàn)場(chǎng)地的燈光、波導(dǎo)通風(fēng)口等的影響,測(cè)量接收機(jī)接收到的并不僅僅是兩者的矢量合成信號(hào)。為了更準(zhǔn)確地進(jìn)行測(cè)試,有些測(cè)試場(chǎng)地對(duì)NSA要求比較嚴(yán)格,如要求與理論值的最大偏差在±1dB以?xún)?nèi),那么在NSA場(chǎng)地驗(yàn)證及實(shí)際測(cè)試中,需采用網(wǎng)絡(luò)分析儀的時(shí)域門(mén)的方法,盡量將來(lái)自墻體和天花板的反射波隔離在時(shí)域門(mén)的外面,這樣的測(cè)試結(jié)果更精確。但是,如果時(shí)域門(mén)設(shè)置太小的話(huà),可能隔離掉經(jīng)接地平面反射傳輸?shù)男盘?hào),這樣的測(cè)試是不準(zhǔn)確的。所以,時(shí)域門(mén)測(cè)試中,門(mén)的大小的選擇非常重要。

      三米法測(cè)試NSA時(shí),假設(shè)發(fā)射天線(xiàn)高度為1m,接收天線(xiàn)在1~4m高度上尋找最大接收信號(hào),如圖4所示。

      圖4 接收信號(hào)傳輸路徑

      發(fā)射天線(xiàn)到接收天線(xiàn)的空間直射波傳播時(shí)間t1為

      對(duì)于地面反射波,存在無(wú)數(shù)條反射路徑,取反射波傳輸距離的極限值為

      則地面反射波的傳播時(shí)間t2滿(mǎn)足如下公式:

      式中:s1是直射波傳輸距離;s2是反射波傳輸距離;v是電磁波在真空中的傳播波速。將網(wǎng)絡(luò)分析儀的時(shí)域門(mén)設(shè)置為25 ns及以上,即可將直射波和反射波包含在門(mén)內(nèi),而經(jīng)墻面和天花板的發(fā)射波則被部分隔離在時(shí)域門(mén)外。

      但是,如果設(shè)置時(shí)域門(mén)很大的話(huà),來(lái)自所有面的反射信號(hào)都包含在時(shí)域門(mén)內(nèi),導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果與不加時(shí)域門(mén)時(shí)非常相近,那么時(shí)域門(mén)的測(cè)試方法將失去意義。值得注意的是,如果采用時(shí)域門(mén)的測(cè)試方法進(jìn)行NSA場(chǎng)地驗(yàn)證,測(cè)試結(jié)果滿(mǎn)足特定測(cè)試項(xiàng)目對(duì)場(chǎng)地的要求,如±1dB容限,那么在進(jìn)行該特殊測(cè)試時(shí)也必須使用時(shí)域門(mén)的方法,否則測(cè)試結(jié)果是不正確的。

      2.3 固定衰減器的阻抗匹配作用

      2.3.1 固定衰減器工作原理

      固定衰減器是由電阻元件組成的四端網(wǎng)絡(luò),一般以衰減的分貝數(shù)和特性阻抗的歐姆數(shù)來(lái)標(biāo)明。它的特性阻抗、衰減都是與頻率無(wú)關(guān)的常數(shù),相移等于零。

      常見(jiàn)的固定衰減器有L型、T型和π型等幾種機(jī)構(gòu),其電路形式如圖5、圖6所示。

      R1,R2,R3分別代表3個(gè)不同阻值的電阻。由于輸入阻抗 (Zin)、輸出阻抗 (Zout)以及衰減量 (A)為3個(gè)給定的數(shù)值,在圖中的兩個(gè)結(jié)構(gòu)中分別有3個(gè)未知數(shù),因此恰好有唯一解。

      圖5 T型結(jié)構(gòu)

      圖6 π型結(jié)構(gòu)

      一般而言,衰減器的應(yīng)用是寬頻的,也就是:衰減器的設(shè)計(jì)及制作并不考慮在特定頻帶使用,因此,這里的阻抗值都僅為電阻值而沒(méi)有電抗值。表1列出衰減器的輸入阻抗、輸出阻抗均為50Ω時(shí),不同衰減量對(duì)應(yīng)的組成電阻的大小。

      表1 輸入、輸出阻抗均為50Ω時(shí)不同衰減量對(duì)應(yīng)的組成電阻

      2.3.2 固定衰減器的阻抗匹配作用

      固定衰減器除了可以調(diào)整電路中的信號(hào)大小以外,合理應(yīng)用固定衰減器還可以在阻抗敏感度比較高的設(shè)備 (如放大器、濾波器、天線(xiàn))之間起到改善阻抗匹配的作用。若某些電路要求有一個(gè)比較穩(wěn)定的負(fù)載阻抗時(shí),則可在電路與實(shí)際負(fù)載阻抗之間插入一個(gè)固定衰減器,能夠緩沖阻抗的變化。

      盡管大多數(shù)射頻器件標(biāo)配為50Ω或75Ω的特性阻抗,但特性阻抗含有復(fù)雜的電抗分量,其在不同的相位條件下會(huì)發(fā)生大小的改變。理想情況下,當(dāng)負(fù)載與源完好匹配時(shí),源端輸出的信號(hào)全部傳輸?shù)截?fù)載,沒(méi)有產(chǎn)生反射,反射系數(shù)為零。但是,在正常的工作條件下,總會(huì)有一部分信號(hào)會(huì)被反射回源端,當(dāng)負(fù)載是開(kāi)路或短路時(shí),即傳輸信號(hào)全部反射回源端。

      源與負(fù)載的匹配程度可由電壓駐波比 (Voltage Standing Wave Ratio,VSWR)來(lái)表示:

      式中:Zload為負(fù)載阻抗;Z0為源阻抗。

      在電磁兼容測(cè)試中,甚至是衰減量很小 (如1dB)的固定衰減器,也可用來(lái)減小阻抗失配,提高信號(hào)完整性。選擇固定衰減器時(shí),需考慮測(cè)試設(shè)備的靈敏度、最大允許輸入電平,待測(cè)設(shè)備的種類(lèi)等。如果待測(cè)設(shè)備是一個(gè)預(yù)放,其額定輸出功率為+27 dBm,但頻譜儀的最大允許輸入功率為+25 dBm,則一個(gè)衰減量為5 dB或者更大的固定衰減器即可充分保護(hù)頻譜儀并起到減小阻抗失配不確定度的作用。當(dāng)然,還需考慮固定衰減器的衰減平坦度,保證所有測(cè)試頻段固定衰減器的衰減量都能夠起到保護(hù)頻譜儀的作用。同時(shí),在固定衰減器的選用問(wèn)題上還應(yīng)注意固定衰減器對(duì)頻譜儀動(dòng)態(tài)范圍的影響。

      采用固定衰減器起阻抗匹配作用的電磁兼容測(cè)試還包括:①NSA場(chǎng)地驗(yàn)證測(cè)試時(shí),為了使信號(hào)源輸出的信號(hào)通過(guò)發(fā)射天線(xiàn)最大發(fā)射,在發(fā)射天線(xiàn)饋線(xiàn)與天線(xiàn)輸入端之間接一個(gè)10 dB的固定衰減器,以使場(chǎng)地測(cè)試結(jié)果更為精確。同理,在接收天線(xiàn)饋線(xiàn)與天線(xiàn)輸出端也需接一個(gè)10 dB的固定衰減器。②傳導(dǎo)和輻射抗擾度測(cè)試時(shí),在加擾信號(hào)注入口和加擾天線(xiàn)輸入口都需接一個(gè)固定衰減器,以使加擾信號(hào)最大輸出,抗擾度測(cè)試更加準(zhǔn)確、嚴(yán)酷。

      同時(shí),在電磁兼容的不確定度評(píng)定中,各設(shè)備間的阻抗失配分量是一個(gè)不可忽略的影響因素,需單獨(dú)考慮并詳細(xì)計(jì)算[5]。

      3 結(jié)論

      綜上所述,信號(hào)完整性問(wèn)題除在設(shè)計(jì)通信系統(tǒng)、視頻系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)等高速系統(tǒng)過(guò)程中需要考慮外,在電磁兼容測(cè)試中同樣起著舉足輕重的作用。因此,搭建測(cè)試系統(tǒng)時(shí),非常有必要從信號(hào)完整性的角度考慮待測(cè)信號(hào)的傳輸路徑及完整捕獲待測(cè)信號(hào)的方法,以提高測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

      [1]李玉山,李麗平.信號(hào)完整性分析 [M].北京:電子工業(yè)出版社,2005.

      [2]IEC 61000-4-20.Electromagnetic compatibility(EMC) -Part 4-20:Testing and measurement techniques-Emission and immunity testing in transverse electromagnetic(TEM)waveguides[S].2010.

      [3]王勝利,康有超,余世里,等.屏蔽暗室歸一化場(chǎng)地衰減測(cè)試 [J].空間電子技術(shù),1996(3):59-63.

      [4]CISPR16-1-4.Specification for radio disturbance and immunitymeasuring apparatus and methods-Part 1-4:Radio disturbance and immunitymeasuring apparatus-Antennas and test sites for radiated disturbancemeasurements[S].2012.

      [5]CISPR16-4-2.Specification for radio disturbance and immunitymeasuring apparatus and methods-Part 4-2:Uncertainties,statistics and limitmodelling-Uncertainty in EMCmeasurements[S].2011.

      TB97

      B

      1674-5795(2014)05-0062-03

      10.11823/j.issn.1674-5795.2014.05.17

      2014-06-16

      史鎖蘭 (1987-),女,工程師,碩士,主要研究電磁兼容測(cè)量技術(shù)。

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