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      一種QFP80引線框架的傳輸特性分析

      2015-03-23 17:19:41孫海燕
      科技資訊 2014年30期
      關(guān)鍵詞:引線框架傳輸

      孫海燕

      摘 要:工藝簡單、成本低廉是引線框架封裝的優(yōu)點(diǎn),但引線框架的固定結(jié)構(gòu)限制了其高頻應(yīng)用帶寬。該文利用HFSS軟件完成了一種標(biāo)準(zhǔn)的QFP80引線框架的建模和S參數(shù)仿真分析。仿真結(jié)果表明,該傳統(tǒng)QFP80模型在工作頻段為3.6GHz附件處將形成工作瓶頸;信號(hào)-信號(hào)-信號(hào)(S-S-S)模式下,S11首次跨越15dB的頻點(diǎn)為0.6GHz,而信號(hào)-地-信號(hào)(G-S-G)模式下,S11首次跨越15dB的頻點(diǎn)為1.1GHz,同時(shí),G-S-G模式具有更小的阻抗。分析結(jié)果對(duì)引線框架的工程應(yīng)用具有較為重要的現(xiàn)實(shí)意義。

      關(guān)鍵詞:QFP80 引線 框架 傳輸 特性分析

      中圖分類號(hào):U44 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 文章編號(hào):1672-3791(2014)10(c)-0106-01

      隨著無線傳感網(wǎng)等電子產(chǎn)品的迅猛發(fā)展,電路系統(tǒng)的時(shí)鐘頻段達(dá)到吉赫茲,甚至更高,封裝中一些低頻應(yīng)用中被忽略的寄生效應(yīng)已經(jīng)開始影響電路的正常工作。QFP(Quad Flat Pack)作為一種低成本的四側(cè)引腳扁平封裝技術(shù),適用于大規(guī)?;虺笠?guī)模集成電路封裝。

      1 QFP80引線框架的結(jié)構(gòu)與阻抗特性分析

      圖1為一種標(biāo)準(zhǔn)的80引腳QFP結(jié)構(gòu)示意圖,集成電路芯片通過絕緣膠(或者導(dǎo)電劑)粘貼在框架的載片臺(tái)中間,利用鍵合線完成芯片與框架引腳的互連,實(shí)現(xiàn)信號(hào)、電源的傳輸。

      從圖中可知,傳統(tǒng)的QFP80引線框架內(nèi)部結(jié)構(gòu)不規(guī)則,引腳細(xì)長且密度高,框架中部分引腳呈現(xiàn)彎曲和直角形狀,這種設(shè)計(jì)理念主要是保證塑封后成品的可靠率,但從信號(hào)完整性的角度而言,過多的彎角將造成多處的阻抗不連續(xù),形成信號(hào)的多重反射,將限制其射頻應(yīng)用帶寬。

      集成電路封裝內(nèi)部,除了框架引腳對(duì)射頻信號(hào)具有影響外,鍵合線同樣對(duì)信號(hào)質(zhì)量也具有影響。為了說明整體引線框架封裝結(jié)構(gòu)對(duì)集成電路芯片封裝的應(yīng)用瓶頸,以圖1為例,將封裝引線框架和鍵合線整體建模,S2引腳通過鍵合線與載片臺(tái)短接,其余信號(hào)傳輸通道均作為GND使用。對(duì)S2通道(含框架引腳和鍵合線)做電磁場分析得到相應(yīng)的Z參數(shù),仿真結(jié)果顯示當(dāng)信號(hào)的工作帶寬處于3.6 GHz附近時(shí),封裝體內(nèi)的感抗在該頻段內(nèi)發(fā)生強(qiáng)力共振,Z11迅速增加到3000ohm附近,遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于標(biāo)準(zhǔn)的50ohm,使得S1信號(hào)通道在該頻段內(nèi)形成“開路”效應(yīng),器件將在該頻段附近形成工作瓶頸。

      2 QFP80引線框架的S參數(shù)特性

      繼續(xù)以圖1中傳統(tǒng)的QFP80封裝模型為對(duì)象,選取模型中的S1、S2和S3整個(gè)通道作為研究對(duì)象,分別分析其作為S-S-S(信號(hào)-信號(hào)-信號(hào))和G-S-G(地-信號(hào)-地)兩種模式對(duì)傳輸性能的影響。每個(gè)信號(hào)通道兩端各接50Ω阻抗,其余通道均作為GND使用。為了方便起見,定義S11(回波損耗)等于15。圖2給出了兩種模式下回波損耗S11的仿真結(jié)果。從圖中S參數(shù)結(jié)果比較可知,S-S-S模式下,S11首次跨越15的頻點(diǎn)為0.6GHz,而G-S-G模式下,S11首次跨越15的頻點(diǎn)為1.1GHz。進(jìn)一步對(duì)圖1模型進(jìn)行TDR仿真,結(jié)果說明傳統(tǒng)的QFP80引線框架封裝在G-S-G傳輸模式下,其塑封體外部引腳瞬態(tài)阻抗接近于79.23 Ω,塑封體內(nèi)部引腳瞬態(tài)阻抗接近于61.59 Ω,鍵合線的瞬態(tài)阻抗接近于84.36 Ω;而在S-S-S傳輸模式下,其塑封體外部引腳瞬態(tài)阻抗接近于85.48Ω,塑封體內(nèi)部引腳瞬態(tài)阻抗接近于69.51Ω,鍵合線的瞬態(tài)阻抗接近于90.71Ω。根據(jù)返回路徑分析的結(jié)論可知G-S-G模式具有更小的阻抗。

      從集成電路芯片和封裝的協(xié)同設(shè)計(jì)角度出發(fā),上述分析結(jié)果為集成電路設(shè)計(jì),尤其是射頻集成電路焊盤布局提供了一定的參考。

      3 結(jié)語

      該文介紹了低成本的QFP80塑料封裝技術(shù)在射頻封裝中的應(yīng)用。分析了標(biāo)準(zhǔn)的QFP80的阻抗特性及高頻傳輸特性,為射頻集成電路封裝設(shè)計(jì)提供了一定參考。

      參考文獻(xiàn)

      [1] Hirose,T.High-Frequency IC Packaging Technologies[C].IEEE Indium Phosphide and Related Materials,2003: 227-230.

      [2] N.Chen,K.Chiang,T.D.Her,etal. Electrical characterization andstructure investigation of quad flat non-lead package for RFIC applications[J].Solid-StateElectron,2003(47):315-322.endprint

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