姚思遠(yuǎn)　劉文平

摘 要： 通過對(duì)單粒子效應(yīng)以及抗單粒子翻轉(zhuǎn)電路加固原理進(jìn)行分析，提出一種基于雙柵MOS結(jié)構(gòu)的具有單粒子翻轉(zhuǎn)加固能力的SRAM存儲(chǔ)單元。該單元在實(shí)現(xiàn)抗單粒子翻轉(zhuǎn)加固的同時(shí)具有快速翻轉(zhuǎn)恢復(fù)、快速寫入、低靜態(tài)功耗的特點(diǎn)?；?.18 μm CMOS工藝進(jìn)行電路仿真，結(jié)果顯示該加固單元讀/寫功能正確，翻轉(zhuǎn)閾值大于100 MeV· cm2/mg?？梢灶A(yù)測(cè)，該電路應(yīng)用于空間輻射環(huán)境下將有較好的穩(wěn)定性。

關(guān)鍵詞： 單粒子翻轉(zhuǎn)； 雙柵結(jié)構(gòu)； SRAM存儲(chǔ)單元； 加固設(shè)計(jì)

中圖分類號(hào)： TN603?34 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)： 1004?373X（2015）18?0102?04

Abstract： A SRAM memory unit with single event upset （SEU） strengthening ability based on dual?gate MOS structure is proposed by analyzing the single event effects and SEU?resisted circuit strengthening theory. This unit has characteristics of fast upset recovery， quick writing and low static power consumption while realizing SEU?resisted strengthening. The circuit was simulated with 0.18 μm CMOS technology. The simulation results indicate that the strengthening unit can read and write properly， and the SEU threshold is better than 100 MeV·cm2/mg. It is predicted that this circuit would have good stability in the space radiation environment.

Keywords： SEU； dual?gate structure； SRAM memory unit； strenthening design

在外層空間以及核爆等輻射環(huán)境中，輻射效應(yīng)已經(jīng)成為電子系統(tǒng)的主要可靠性問題之一。為確保計(jì)算機(jī)的可靠性，工作于太空中的集成電路必須經(jīng)過抗輻射加固設(shè)計(jì)。存儲(chǔ)器在集成電路中占有特殊的地位，幾乎在任何電子系統(tǒng)中都不可缺少，因此對(duì)于存儲(chǔ)器的保護(hù)更加重要。集成電路關(guān)鍵尺寸的不斷減小以及低電壓技術(shù)的應(yīng)用，使得單粒子翻轉(zhuǎn)的臨界電荷隨之減小，可靠性問題更加突出。對(duì)抗單粒子翻轉(zhuǎn)加固技術(shù)提出了更高的要求。本文主要討論存儲(chǔ)單元的抗單粒子翻轉(zhuǎn)加固設(shè)計(jì)。

1 SRAM單元加固技術(shù)

SRAM單元加固技術(shù)主要分為2種：一種是基于6管標(biāo)準(zhǔn)單元進(jìn)行加固；另外一種加固設(shè)計(jì)的主要思想是通過多管結(jié)構(gòu)引入冗余節(jié)點(diǎn)。

第1種方法如圖1所示，是標(biāo)準(zhǔn)6管單元通過存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)引入電容電阻設(shè)計(jì)的加固方法[1]。該單元通過引入RC延遲，使得單粒子入射產(chǎn)生的瞬態(tài)脈沖傳播過程被延遲，上拉PMOS或者下拉NMOS有足夠的時(shí)間恢復(fù)翻轉(zhuǎn)節(jié)點(diǎn)電壓，從而保護(hù)整個(gè)單元邏輯不發(fā)錯(cuò)誤翻轉(zhuǎn)。該加固方法引入RC延遲，雖然能夠達(dá)到一定的單粒子加固能力，但是同時(shí)受到電容電阻的影響寫入時(shí)間大大增加。并且電容電阻將會(huì)占用很大的芯片面積。

第2種加固設(shè)計(jì)技術(shù)主要通過多管結(jié)構(gòu)，引入冗余節(jié)點(diǎn)來保護(hù)單元電路在發(fā)生單粒子入射時(shí)不發(fā)生邏輯翻轉(zhuǎn)。這里介紹兩種典型的多管加固結(jié)構(gòu)。

圖2所示為Rockett提出的加固存儲(chǔ)單元[2]，該單元在標(biāo)準(zhǔn)6管結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上增加了6個(gè)MOS管，并增加2個(gè)冗余節(jié)點(diǎn)。由于數(shù)據(jù)寫入需要傳輸過程，因此寫入時(shí)間較長。

圖3所示是Whitaker等人提出的加固存儲(chǔ)單元。該單元包括2個(gè)穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，分別為4個(gè)PMOS管構(gòu)成的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)和4個(gè)NMOS管構(gòu)成的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。該單元具有較大的翻轉(zhuǎn)閾值和較短的寫入時(shí)間，但是由于使用PMOS管下拉以及NMOS管上拉，因此存在電位退化現(xiàn)象。電位退化現(xiàn)象引起MOS管無法完全關(guān)斷，存在導(dǎo)電通路，最終導(dǎo)致翻轉(zhuǎn)恢復(fù)時(shí)間較長，靜態(tài)功耗很高。

2 新型SRAM加固存儲(chǔ)單元

抗單粒子翻轉(zhuǎn)存儲(chǔ)單元加固設(shè)計(jì)主要從以下幾個(gè)方面進(jìn)行優(yōu)化：

（1） 翻轉(zhuǎn)閾值盡可能大；

（2） 翻轉(zhuǎn)恢復(fù)時(shí)間盡可能短；

（3） 靜態(tài)功耗盡可能??；

（4） 寫入速度盡可能快；

（5） 晶體管數(shù)盡可能少。

通過對(duì)已有加固結(jié)構(gòu)的研究分析，提出了如圖4所示的抗單粒子翻轉(zhuǎn)加固存儲(chǔ)單元。該加固存儲(chǔ)單元由10個(gè)MOS管構(gòu)成。其中N5，N6為讀寫管；P1，P2，N1，N2為非均勻雙柵MOS管。P1與P2，N1與N2分別構(gòu)成相互交叉耦合結(jié)構(gòu)，當(dāng)發(fā)生單粒子入射時(shí)，能夠保護(hù)電路邏輯不發(fā)生翻轉(zhuǎn)；由P3，P4，N3，N4組成的翻轉(zhuǎn)恢復(fù)驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，通過一個(gè)導(dǎo)通的MOS管為發(fā)生翻轉(zhuǎn)的節(jié)點(diǎn)提供恢復(fù)電流。

為了方便分析雙柵結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)單元，將其等效為圖5所示的結(jié)構(gòu)，將雙柵MOS管等效為2個(gè)MOS管串聯(lián)。

如圖5所示，P1，P2，P3，P4，N1，N2，N3，N4用來描述雙柵穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，其中P2，P4柵極接地，N1，N3柵極接電源電壓，保持常通狀態(tài)。P1，P3寬長比大于P2，P4寬長比，N2，N4寬長比大于N1，N3寬長比，目的是當(dāng)敏感節(jié)點(diǎn)發(fā)生翻轉(zhuǎn)時(shí)，其他冗余節(jié)點(diǎn)能夠保持正確電位；由P5，P6，N5，N6構(gòu)成翻轉(zhuǎn)恢復(fù)驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，通過一個(gè)導(dǎo)通的MOS管為發(fā)生翻轉(zhuǎn)的節(jié)點(diǎn)提供恢復(fù)電流，可以提高敏感節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn)恢復(fù)速度。

2.1 寫操作過程

該加固單元有3對(duì)冗余存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。Q，Qb；P，Pb；N，Nb存儲(chǔ)著互補(bǔ)的電位信息。當(dāng)讀/寫信號(hào)為低電位時(shí)，讀寫管N7和N8關(guān)斷。若存儲(chǔ)“1”狀態(tài)，則P1，P6導(dǎo)通，N2，N6關(guān)斷，使節(jié)點(diǎn)P，Q，N保持為“1”；同時(shí)P3，P5關(guān)斷，N4，N5導(dǎo)通，使節(jié)點(diǎn)Pb，Qb，Nb保持為“0”。

若要向存儲(chǔ)單元寫入“0”，則D置為“0”，Db置為“1”。讀寫信號(hào)為高電位，讀寫管N7和N8導(dǎo)通。節(jié)點(diǎn)Q通過N8放電到“0”，則節(jié)點(diǎn)N電位為“0”，N5與N4關(guān)斷。Qb通過N7充電到“1”，則節(jié)點(diǎn)Pb電位為“1”，P6與P1關(guān)斷。節(jié)點(diǎn)Nb電位為“1”，N2與N6導(dǎo)通為Q提供下拉。此時(shí)節(jié)點(diǎn)P電位為“0”，P5與P3導(dǎo)通，為Qb提供上拉。寫入過程完成。寫入“1”過程與上述相似。

2.2 翻轉(zhuǎn)恢復(fù)過程

存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)為“1”時(shí)，節(jié)點(diǎn)Q，P和N為“1”，節(jié)點(diǎn)Qb，Pb和Nb為“0”。該狀態(tài)下N2，N6，P3和P5的漏結(jié)反偏，因此相應(yīng)節(jié)點(diǎn)Q，N，Pb，Qb是敏感節(jié)點(diǎn)。節(jié)點(diǎn)發(fā)生翻轉(zhuǎn)后的恢復(fù)過程如下：

2.2.1 節(jié)點(diǎn)Q發(fā)生翻轉(zhuǎn)

若單粒子入射N6的漏端，節(jié)點(diǎn)Q處電壓產(chǎn)生一個(gè)負(fù)向跳變，則N節(jié)點(diǎn)變?yōu)椤?”，N5，N4關(guān)斷。由于P2相對(duì)P1是弱管，所以節(jié)點(diǎn)P保持為“1”，P3，P5保持關(guān)斷。則Qb處于高阻態(tài)，電位保持為“0”。導(dǎo)通的P6使節(jié)點(diǎn)Q恢復(fù)為“1”。

2.2.2 節(jié)點(diǎn)Qb發(fā)生翻轉(zhuǎn)

若單粒子入射P5的漏端，節(jié)點(diǎn)Qb處電壓產(chǎn)生一個(gè)正向跳變，則Pb節(jié)點(diǎn)變?yōu)椤?”，P1，P6關(guān)斷。由于N3相對(duì)N6是弱管，所以節(jié)點(diǎn)Nb保持為“0”，N2，N6保持關(guān)斷。則Q處于高阻態(tài)，電位保持為“1”。導(dǎo)通的N5管使節(jié)點(diǎn)Qb恢復(fù)為“0”。

2.2.3 節(jié)點(diǎn)N發(fā)生翻轉(zhuǎn)

若單粒子入射N2的漏端，節(jié)點(diǎn)N處產(chǎn)生一個(gè)負(fù)脈沖，N4，N5關(guān)斷。由于N1相對(duì)P6是弱管，節(jié)點(diǎn)Q保持為“1”，則節(jié)點(diǎn)P保持為“1”，P5，P3保持關(guān)斷。此時(shí)Qb節(jié)點(diǎn)處于高阻態(tài)，電位保持為“0”。導(dǎo)通的N1和P6使節(jié)點(diǎn)N恢復(fù)為“1”。

2.2.4 節(jié)點(diǎn)Pb發(fā)生翻轉(zhuǎn)

若單粒子入射P3的漏端，節(jié)點(diǎn)Pb處產(chǎn)生一個(gè)正脈沖，P1，P6關(guān)斷。由于P4相對(duì)N5是弱管，節(jié)點(diǎn)Qb保持為“0”，則節(jié)點(diǎn)Nb保持為“0”，N2，N6保持關(guān)斷。此時(shí)Q節(jié)點(diǎn)處于高阻態(tài)，電位保持為“1”。導(dǎo)通的P4和N5使節(jié)點(diǎn)Pb恢復(fù)為“0”。

數(shù)據(jù)為“0”時(shí)的翻轉(zhuǎn)恢復(fù)過程與上述過程相似。

3 仿真結(jié)果及分析

該單元的仿真驗(yàn)證使用0.18 μm工藝的CMOS器件模型。為了驗(yàn)證存儲(chǔ)單元的抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力。在仿真中，單粒子入射對(duì)電路的影響可以表示為一個(gè)瞬時(shí)電流脈沖，這個(gè)電流脈沖為雙曲函數(shù)型[4?5]：

[I（t）=I0?（e-tτα-e-tτβ）]

式中：[I0]是電流源峰值電流；[τα]是與電荷收集速度相關(guān)的時(shí)間常數(shù)；[τβ]是粒子撞擊相關(guān)的時(shí)間常數(shù)。

100 MeV· cm2/mg的LET（Threshold Linear Energy Transfer），產(chǎn)生的軌跡電荷量約為1 pC/μm。單粒子入射效應(yīng)分析時(shí)常采用入射深度[6]為1.5 μm。因此100 MeV· cm2/mg的LET產(chǎn)生的總電荷量約為1.5 pC。為了比較幾種加固存儲(chǔ)單元的性能，需要選擇相同參數(shù)的電流源來模擬單粒子入射過程。雙曲函數(shù)電流源選擇上升因子[τα]=10 ps，下降因子[τβ]=200 ps，則峰值電流為1 mA時(shí)收集電荷總量Q約為0.2 pC。

圖6模擬的是單粒子入射發(fā)生在N5的漏極。在8 ns時(shí)寫入數(shù)據(jù)“0”，12 ns時(shí)N5管的漏極處發(fā)生單粒子入射，節(jié)點(diǎn)Qb產(chǎn)生一個(gè)負(fù)脈沖，節(jié)點(diǎn)Nb電位同時(shí)也產(chǎn)生一個(gè)負(fù)脈沖。其他節(jié)點(diǎn)電壓基本保持不變。隨后節(jié)點(diǎn)Qb與Nb電壓恢復(fù)。

為了模擬該存儲(chǔ)單元對(duì)單粒子翻轉(zhuǎn)的加固能力，通過增加Q值來獲得存儲(chǔ)單元的單粒子翻轉(zhuǎn)臨界電荷。如圖7所示為對(duì)該存儲(chǔ)單元進(jìn)行臨界電荷的仿真結(jié)果。當(dāng)Q值為8.3 pC時(shí)，發(fā)生單粒子入射后電壓無法自動(dòng)恢復(fù)到正確值。因此可以確定該存儲(chǔ)單元的單粒子翻轉(zhuǎn)臨界電荷為8.2 pC。

表1是對(duì)幾種抗單粒子翻轉(zhuǎn)加固存儲(chǔ)單元的性能對(duì)比。選用ROCK單元，WHIT單元以及標(biāo)準(zhǔn)6管單元進(jìn)行比較。主要比較的指標(biāo)有：臨界電荷、寫入時(shí)間、翻轉(zhuǎn)恢復(fù)時(shí)間、靜態(tài)功耗、晶體管數(shù)量。

表1 加固單元性能比較

本文將翻轉(zhuǎn)恢復(fù)時(shí)間定義為：節(jié)點(diǎn)電壓從跳變?yōu)?.9 V到恢復(fù)為0.9 V所需要的時(shí)間。由于本文單元設(shè)計(jì)了翻轉(zhuǎn)恢復(fù)驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，因此翻轉(zhuǎn)恢復(fù)時(shí)間較短。寫入時(shí)間是指從時(shí)鐘信號(hào)為0.9 V到存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)電壓為0.9 V的時(shí)間。因?yàn)楸疚拇鎯?chǔ)單元的讀寫管與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)直接相連，因此與ROCK單元相比具有更短的寫入時(shí)間。靜態(tài)功耗是指存儲(chǔ)單元在鎖存狀態(tài)下的功耗，本文存儲(chǔ)單元8管穩(wěn)定結(jié)構(gòu)采用PMOS管上拉NMOS管下拉，沒有電源到地的導(dǎo)電通路，因此與WHIT單元相比靜態(tài)功耗明顯減少。本文加固單元臨界電荷值為8.2 pC對(duì)應(yīng)LET值大于100 MeV· cm2/mg，與其他單元相比抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力顯著提高。

4 結(jié) 語

本文提出了一種新型的抗單粒子翻轉(zhuǎn)加固SRAM存儲(chǔ)單元，其雙柵穩(wěn)定結(jié)構(gòu)在減少器件個(gè)數(shù)的同時(shí)保證在發(fā)生單粒子入射時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不發(fā)生翻轉(zhuǎn)。LET值大于100 MeV· cm2/mg；另外通過翻轉(zhuǎn)恢復(fù)驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)單粒子翻轉(zhuǎn)的快速恢復(fù)，翻轉(zhuǎn)恢復(fù)時(shí)間0.64 ns。該加固存儲(chǔ)單元不但克服了以前加固單元寫入速度慢，靜態(tài)功耗大的不足，同時(shí)具有更強(qiáng)的抗單粒子翻轉(zhuǎn)能力，以及更快的翻轉(zhuǎn)恢復(fù)速度。

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