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      器械和沖洗時間對次氯酸鈉清除根管玷污層效果的影響

      2015-10-28 04:52:08天津市婦女兒童保健中心300070王萍陳敏吳麗更
      首都食品與醫(yī)藥 2015年14期
      關(guān)鍵詞:檢查者牙本質(zhì)管壁

      天津市婦女兒童保健中心(300070)王萍 陳敏 吳麗更

      完善的根管治療是最有效的治療牙髓病及根尖周病的方法。然而,在根管預(yù)備過程中會產(chǎn)生大量的牙本質(zhì)碎屑,與軟組織殘渣混合,粘附于根管壁表面,形成由無機成分和有機成分組成的深入到牙本質(zhì)小管內(nèi)達1~40μm的玷污層[1]。玷污層中包含了細菌及代謝產(chǎn)物和壞死組織,玷污層為細菌向牙本質(zhì)小管深層滲入提供了大量的基質(zhì)[2],許多的細菌進入牙本質(zhì)小管內(nèi)定植、滋生,是導(dǎo)致根管治療失敗的關(guān)鍵因素[3]。同時,玷污層的存在不僅阻礙了消毒劑和根管充填材料深入牙本質(zhì)小管[4],而且在充填材料與根管壁之間形成了細菌感染與微滲漏的潛在通道,降低了根管充填糊劑對根管壁的順應(yīng)性和滲透性,從而對充填材料的封閉性產(chǎn)生影響根管。沖洗能有效去除玷污層NaOCl聯(lián)合EDTA是國際公認(rèn)的有效去除玷污層的沖洗液組合。NaOCl能去除玷污層中的有機成分,EDTA能去除玷污層中的無機成分[1]。然而即使3% NaOCl與17% EDTA的聯(lián)合應(yīng)用也不能完全去除根管玷污層。

      沖洗液輔助沖洗設(shè)備進行根管沖洗,是否能提高玷污層的清除效果,目前的研究結(jié)論尚不一致。本研究的目的是應(yīng)用3% NaOCl作為基礎(chǔ)沖洗液,17% EDTA作為終末沖洗液,分別配合PUI或EA或側(cè)方開口沖洗針輔助進行根管沖洗30秒或60秒,比較根管玷污層的清除效果。

      1 材料和方法

      1.1 實驗牙的采集 收集天津醫(yī)科大學(xué)口腔醫(yī)院頜面外科門診新鮮拔除的牙周病患者的無齲單根上頜前牙60顆,去除牙石和牙周膜后儲存于0.1%麝香草酚溶液中備用。

      1.2 實驗牙分組及制備 將60顆離體牙均在距根尖15mm處截冠。用ISO#10 K-file疏通根管,在K-file尖端剛從根尖孔露出時調(diào)整固定參考點,記錄止動片到器械尖端的距離,將此距離減去1mm定為工作長度(WL)。使用機動ProTaper(Dentsply/Maillefer, Switzerland)按照廠家推薦的使用方法進行根管預(yù)備至F3。在根管預(yù)備過程中,每更換一次器械,使用1mL3% NaOCl(Septodont, Saint-Maur, France)沖洗。在此沖洗過程中分別輔助使用PUI、EA或側(cè)方開口沖洗針。為了避免NaOCl與EDTA (META, Chungbuk, ROK)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),在NaOCl沖洗后使用5 mL無菌蒸餾水沖洗根管,用17% EDTA進行終末沖洗1 min。最后用5 mL無菌蒸餾水沖洗根管,并以紙尖干燥。在應(yīng)用PUI或EA輔助沖洗的過程中,工作尖應(yīng)盡量深入根管內(nèi)并上下提拉,做到無阻力無嵌塞,保證沖洗液回流通暢。

      根據(jù)所用沖洗技術(shù)的不同分為如下6組。

      ①被動超聲30秒組(PUI-30s組):每更換一次器械后,使用超聲工作尖#15(MT S piezo electric unit; Multi Task Cart, Obturaspartan, USA)攪動3%的NaOCl沖洗30 s;

      ②被動超聲組60秒組(PUI-60s組):每更換一次器械后,使用PUI攪動3%的NaOCl沖洗60 s;

      ③EndoActivator30秒組(EA-30s組):每更換一次器械后,使用3% NaOCl沖洗,并將10000 cpm的EA工作尖深入根管內(nèi)輔助沖洗30 s。在根管預(yù)備至F1之前選用EA黃色工作尖(15/02)(Dentsply Tulsa Dental Specialties, Tulsa, OK),預(yù)備到F1之后,選用紅色(25/04)工作尖;

      ④ EndoActivator60秒組(EA-60s組):每更換一次器械后,使用EA攪動3% NaOCl沖洗60 s;

      ⑤ 側(cè)方開口沖洗針30秒組(對照30s組):每更換一次器械后,用3% NaOCl配合側(cè)方開口沖洗針(24/0.4)(江蘇蘇云醫(yī)療器材有限公司)沖洗30 s;

      ⑥ 側(cè)方開口沖洗針60秒組(對照60s組):每更換一次器械后,用3% NaOCl配合側(cè)方開口沖洗針沖洗60 s。

      1.3 掃描電鏡觀察 6組離體牙均使用無菌小棉球堵塞根管口,沿唇頰側(cè)牙體長軸做凹槽,使用鑿子沿槽劈開,放入2.5%戊二醛溶液中固定樣本24小時;固定后放入無菌蒸餾水中浸泡24h,再逐級脫水,制作樣品,噴金。使用熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡(Nanosem430,F(xiàn)EI)觀察玷污層的去除情況,由一名未參與本研究的檢查者以盲法分別在實驗樣本的根尖1/3(距根尖3 mm)、根中1/3(距根尖7mm)和根冠1/3(距根尖11mm)處隨機選取3個視野放大1000倍的區(qū)域進行觀察并拍照。每顆離體牙得到18張放大1000倍的照片,共計1080張電鏡照片。

      由未參與本次實驗的2名口腔內(nèi)科醫(yī)生作為檢查者,對1080張電鏡照片的玷污層去除情況進行評分,以排除檢查者的偏倚。前100張照片需進行2次評分,以保持檢查者自身評分標(biāo)準(zhǔn)的一致性。

      1.4 評價計分標(biāo)準(zhǔn) 參考Hulsmann等的玷污層的分級標(biāo)準(zhǔn):1=無玷污層,大部分牙本質(zhì)小管口開放;2=玷污層覆蓋根管壁和牙本質(zhì)小管口<25%;3=玷污層覆蓋根管壁和牙本質(zhì)小管口25%~50% ; 4=玷污層覆蓋根管壁和牙本質(zhì)小管50%~75%;5=玷污層覆蓋根管壁和牙本質(zhì)小管75%~100% 。

      1.5 統(tǒng)計學(xué)分析 采用多因素分析的t檢驗進行數(shù)據(jù)分析,檢驗水準(zhǔn)設(shè)置在a= 0.05。所有統(tǒng)計分析均由SAS 9.2完成。

      2 結(jié)果

      2名檢查者間比較得到的kappa值>0.70,表明檢查者間有良好的一致性。

      2.1 比較6組玷污層清除情況(表) EA組(EA-30s組、EA-60s組)、PUI組(PUI-30s組、PUI-60s組)與對照組(對照-30s組、對照-60s組)玷污層清除效果有差異,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(P< 0.05),且EA組和PUI組玷污層清除效果優(yōu)于對照組;EA-60s組與PUI-30s組玷污層清除效果有差異,差異有統(tǒng)計學(xué)意義(P< 0.05)且EA-60s組玷污層清除效果優(yōu)于PUI-30s組。

      EA-30s組與EA-60s組間差異無統(tǒng)計學(xué)意義(P> 0.05);PUI-30s組與PUI-60s組,差異無統(tǒng)計學(xué)意義(P>0.05);對照-30s組與對照-60s組差異無統(tǒng)計學(xué)意義(P>0.05),結(jié)果見附表。

      附表 6組的玷污層的平均值(±s)( Mean Value of the Smear Layer of the 6 Groups(±s))

      附表 6組的玷污層的平均值(±s)( Mean Value of the Smear Layer of the 6 Groups(±s))

      注:*有相同上標(biāo)字母的組別表示兩組間比較無統(tǒng)計學(xué)意義(P>0.05)。

      組 別 數(shù)量 整體 冠 1/3 中 1/3 尖 1/3 EA-30s組 10 3.56 ± 0.92#* 2.28 ±0.21 3.39± 0.38 4.71± 0.30 EA-60s組 10 3.35 ± 1.06# 2.25 ± 0.27 3.19± 0.42 4.68 ± 0.32 PUI-30s組 10 3.82± 0.76* 3.82± 0.69 4.51 ± 0.58 4.88 ± 0.25 PUI-60s組 10 3.60 ±0.72# 1.61 ± 0.29 2.53 ± 1.30 4.18 ± 0.78對照-30s組 10 4.15 ± 0.61§ 2.25 ± 0.53 2.98 ± 0.86 4.73 ± 0.49對照-60s組 10 4.22 ±0.96§ 1.88± 0.60 2.65 ± 0.71 4.63 ± 0.35

      3 討論

      本研究的目的是應(yīng)用3% NaOCl作為基礎(chǔ)沖洗液,17% EDTA作為終末沖洗液,配合PUI、EA或側(cè)方開口沖洗針進行根管沖洗30秒或60秒,比較根管玷污層的清除效果。

      本研究結(jié)果顯示,被動超聲或Endoactivator輔助NaOCl進行根管沖洗比僅使用側(cè)方開口沖洗針能更有效地去除玷污層,這與Rodig T的研究相似。當(dāng)NaOCl接觸牙本質(zhì)表面的有機物時,NaOCl使有機物液化,同時NaOCl分子不斷消耗,導(dǎo)致在牙本質(zhì)表面的NaOCl濃度下降。在NaOCl濃度降低的同時,持續(xù)地攪動沖洗液可以有效地提高NaOCl的作用效果。增加NaOCl與根管壁的接觸可以更有效地溶解有機物。所以通過機械攪動的方式使NaOCl及時更新并去除殘余的組織可以提高玷污層的清除效果。超聲和聲波器械能在根管內(nèi)產(chǎn)生聲微流。由于超聲或聲波的工作尖在根管內(nèi)振動,其附近的液體無方向性地、不依賴時間循環(huán)產(chǎn)生的作用。通常呈現(xiàn)為沿著整個銼向內(nèi)和向外的渦流,工作頻率越高,振幅越大,銼越細,則聲流速度越強。聲流效應(yīng)可產(chǎn)生剪切力,可以去除根管壁上的碎屑和玷污層,同時,進入聲流區(qū)的生物物質(zhì)受到剪切力而分解。所產(chǎn)生的聲微流帶動液體運動,使沖洗液更新,最終提高玷污層的清除效果。

      本研究結(jié)果顯示Endoactivator輔助NaOCl進行根管沖洗比被動超聲輔助NaOCl沖洗清除玷污層更有效,與Caron的研究結(jié)果一致。理論上說,工作尖振動頻率越高,振幅越大,沖洗液流速就越快。被動超聲比Endoactivator玷污層清除效果本應(yīng)該更好。然而,本研究顯示被動超聲的玷污層清除效果比Endoactivator差。Macedo等的研究表明超聲沖洗即使在最小的頻率也能產(chǎn)生空穴效應(yīng),而聲波即使在最高頻率也不能產(chǎn)生空穴效應(yīng)。盡管被動超聲的頻率比Endoactivator高,但由于根管內(nèi)空間的限制導(dǎo)致被動超聲工作尖振動幅度受阻,沖洗液流速受限,因此并沒有產(chǎn)生更好的玷污層清除效果。但是,由于超聲沖洗的過程中,工作尖不可避免地會接觸到根管壁,對根管壁牙本質(zhì)產(chǎn)生切割作用,產(chǎn)生新的玷污層,影響其作用效果。Endoactivator雖然在沖洗過程中也會接觸到根管壁,但由于其工作尖光滑,對根管壁不產(chǎn)生切割作用,不會產(chǎn)生新的玷污層。這就解釋了強度更低的聲波清除玷污層的效果反而優(yōu)于強度高的超聲。

      Kennedy等提出,根管壁的不規(guī)則形態(tài)會影響根管系統(tǒng)的完全封閉。本實驗中根管壁上幾乎沒有形成損傷,這主要是由于Endoactivator工作尖表面光滑,堅韌,靈活,在振蕩過程中,對根管壁牙本質(zhì)無切割作用。超聲波在根管沖洗中能產(chǎn)生瞬間空穴作用,當(dāng)氣泡增大到一定程度,突然猛烈爆破產(chǎn)生巨大能量,能夠分解生物組織而產(chǎn)生非線性振動。而這種震動可以損傷根管壁,影響根管系統(tǒng)的完全封閉。

      本研究表明所有沖洗方案根尖區(qū)玷污層清除效果都比較差,均不能完全清除玷污層。這與許多學(xué)者的研究相似。此外,本研究結(jié)果還表明無論使用何種沖洗方案,冠1/3區(qū)和根中1/3區(qū)的玷污層清除效果均優(yōu)于根尖1/3區(qū)。這可能是由于根尖1/3區(qū)牙本質(zhì)小管數(shù)量相對較少,開口小。且隨著年齡的增加,牙本質(zhì)礦化程度增加,而且根管直徑從根管口至根尖區(qū)逐漸變小,沖洗液到達根尖區(qū)的量少且回流差。

      由此可見,使用EA和PUI可以提高玷污層的清除效果且沖洗30秒和60秒產(chǎn)生相似的玷污層清除效果。使用EA攪動NaOCl 60s可以產(chǎn)生最大的玷污層清除效果。

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