王東興+王澤英+王玥玥+張永霜+王玥
摘要:傳統(tǒng)有機(jī)材料的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FETs)具有工作速度低、驅(qū)動(dòng)電壓高的缺陷,針對(duì)這個(gè)問題,垂直結(jié)構(gòu)的酞菁銅(CuPc)有機(jī)薄膜晶體管(VOTFTs)被制備,整個(gè)制備過程采用真空蒸鍍和直流磁控濺射鍍膜工藝,器件的層疊結(jié)構(gòu)為Au/CuPc/Al(半導(dǎo)電)/CuPc/Au,其中半導(dǎo)電Al柵極薄膜的制備是十分重要的。endprint