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      “Transistor Density Increase by 1000X”鰭式晶體管密度增加技術(shù)

      2017-05-02 11:23:10
      信息化建設(shè) 2016年12期
      關(guān)鍵詞:三極伯克利微型化

      成果發(fā)布人、美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校教授胡正明:“現(xiàn)在晶體管的三極已經(jīng)可以縮小到1納米的寬度,未來(lái)半導(dǎo)體晶體管的密度還將再增加1000倍。這也就意味著互聯(lián)網(wǎng)將來(lái)的速度和普及度也還有千百倍成長(zhǎng)的空間?!?/p>

      半導(dǎo)體技術(shù)是互聯(lián)網(wǎng)的一個(gè)重要支柱和驅(qū)動(dòng)力。但在2010年以后,半導(dǎo)體的微型化遇到了一個(gè)很大的危機(jī)。在晶體管不能再繼續(xù)微型化的情況下,摩爾定律就要停止。在這種情勢(shì)下,加州大學(xué)伯克利團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新發(fā)明了“鰭式晶體管”——一種垂直的薄膜,它可以讓摩爾定律繼續(xù)下去,讓半導(dǎo)體的微型化大幅度再成長(zhǎng)。

      在過(guò)去的12個(gè)月,伯克利研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新了如何把半導(dǎo)體做得很薄的三項(xiàng)技術(shù):一是可以讓天然的極薄的薄膜——二維半導(dǎo)體,長(zhǎng)在垂直的鰭式晶體管的結(jié)構(gòu)上;二是讓二維半導(dǎo)體長(zhǎng)在大面積的晶圓上,讓它覆蓋垂直薄膜的晶體管,同時(shí)可以在一片芯片上做兩層、三層甚至更多層的電路;三是用二維半導(dǎo)體的薄膜做了一個(gè)晶體管,證實(shí)了它可以把晶體管的三極縮小到1納米的寬度。

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