《中國制造2025》設(shè)定集成電路設(shè)備國產(chǎn)化目標

作為我國實施制造強國戰(zhàn)略第一個10年的行動綱領(lǐng)，《中國制造2025》對于半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化提出了明確要求：

在2020年之前，90～32 nm工藝設(shè)備國產(chǎn)化率達到50%，實現(xiàn)90 nm光刻機國產(chǎn)化，封測關(guān)鍵設(shè)備國產(chǎn)化率達到50%。

在2025年之前，20～14 nm工藝設(shè)備國產(chǎn)化率達到30%，實現(xiàn)浸沒式光刻機國產(chǎn)化。

到2030年，實現(xiàn)450 mm工藝設(shè)備、EUV光刻機、封測設(shè)備的國產(chǎn)化。

從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)國產(chǎn)化的難度來看，設(shè)備＞制造＞封裝＞設(shè)計是不爭的事實。不過，近期國內(nèi)各地已刮起一陣大規(guī)模集成電路晶圓制造生產(chǎn)線的東風。我國半導(dǎo)體設(shè)備制造業(yè)要抓住這難得的契機，一舉實現(xiàn)《中國制造2025》的既定目標。

（來自：中國電子報）