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      NiCo2S4/RGO復(fù)合材料的制備及電化學(xué)性能研究

      2016-05-30 09:46:32賀國鋒張倩薛嬌
      科技風(fēng) 2016年4期
      關(guān)鍵詞:負(fù)極復(fù)合材料

      賀國鋒 張倩 薛嬌

      摘 要:以改進(jìn)的hummers法制備氧化石墨,以硝酸鈷、硝酸鎳、硫代乙酰胺分別為鈷源、鎳源和硫源,以乙二胺為氧化石墨烯的還原劑及NiCo2S4的形貌控制劑,通過水熱法合成NiCo2S4/RGO復(fù)合材料,用作鋰離子電池負(fù)極材料,在電流密度100 mA/g下,50次循環(huán)后容量為920 mAh/g,庫倫效率高達(dá)98.5%表現(xiàn)了出色的循環(huán)性能。

      關(guān)鍵詞: NiCo2S4/RGO;復(fù)合材料;負(fù)極

      鋰離子電池由于其高的能量密度,無記憶效應(yīng)及長的循環(huán)壽命等優(yōu)點(diǎn)引起了越來越多的關(guān)注,目前已普遍應(yīng)用于便攜式電子設(shè)備、電動汽車、混合式電動汽車、國防工業(yè)等諸多領(lǐng)域[1-2]。為了滿足日益增長的需求,亟需開發(fā)高性能的電極材料。而負(fù)極材料作為鋰離子電池的關(guān)鍵材料,影響著鋰離子電池電化學(xué)性能的發(fā)揮。

      混合過渡金屬硫化物NiCo2S4,由于其電子導(dǎo)電性高(約是傳統(tǒng)的金屬氧化物的104倍)、熱穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn),引起了越來越多國內(nèi)外研究者的關(guān)注,國外研究者有關(guān)NiCo2S4的研究主要集中在超級電容器[3]、電化學(xué)催化劑[4]等方面,到目前為止,NiCo2S4

      用作鋰電的研究報道非常少, 而NiCo2S4與石墨烯復(fù)合作為鋰離子電池的研究更是屈指可數(shù)。本項(xiàng)研究采用水熱法制備NiCo2S4/RGO復(fù)合材料,用作鋰離子電池負(fù)極材料,表現(xiàn)出了優(yōu)異的循環(huán)性能。

      1 實(shí)驗(yàn)

      1.1 材料與儀器

      硝酸鎳、硝酸鈷、硫代乙酰胺、乙二胺、無水乙醇,所有試劑均為分析純。

      PL203型電子分析天平;TCW-32B型電阻爐;100mL 反應(yīng)釜;TG-16型高速離心機(jī);DHG-9030A型鼓風(fēng)干燥箱等。

      1.2 NiCo2S4/RGO復(fù)合材料的制備

      采用改進(jìn)的Hummers法制備氧化石墨[5], 將其超聲剝離1.5h

      得濃度為1 mg/mL的GO分散液,記為溶液1。1mmol硝酸鎳、2mmol硝酸鈷溶于30mL去離子水及5.4g 乙二胺的混合溶劑中,攪拌,記為溶液2。將30 mL的溶液1與溶液2混合攪拌10min,加入0.3g的硫代乙酰胺,攪拌30min,將以上溶液轉(zhuǎn)移到反應(yīng)釜,200 ℃反應(yīng)12h,自然冷卻至室溫,用去離子水、無水乙醇各洗三次,60℃真空干燥得到樣品。

      1.3 樣品的表征

      樣品的晶體結(jié)構(gòu)用X射線粉末衍射儀進(jìn)行表征;樣品的微觀結(jié)構(gòu)通過透射電子顯微鏡進(jìn)行表征;電池的組裝在GBP800-3型真空手套箱中進(jìn)行,恒電流充放電測試在CHI660型電化學(xué)工作站上進(jìn)行。

      2 結(jié)果與討論

      2.1 機(jī)理

      GO表面有大量的羥基、羧基及環(huán)氧基團(tuán),可以結(jié)合金屬離子。剛開始時水溶液中有鈷離子和鎳離子,當(dāng)加入乙二胺時,乙二胺與鈷離子與鎳離子形成[EnCo]2+、[EnNi] 2+配合物,這些帶正電的配合物可以與GO表面的羥基、羧基及環(huán)氧基結(jié)合,形成GO-[EnCo]2+/[EnNi]2+復(fù)合物,在高溫高壓、乙二胺還原的條件下,硫代乙酰胺分解形成S2-并進(jìn)一步與GO-[EnCo]2+/[EnNi]2+反應(yīng),形成NiCo2S4/RGO.

      2.2 結(jié)構(gòu)及形貌分析

      圖1 a 為氧化石墨烯的XRD圖譜,在10.3 °的衍射峰,為GO的002晶面的特征峰。圖2為GO的紅外光譜,在3131、1700、1536及1390 cm-1分別為GO的O-H、C=O、C-O伸縮振動峰,表明了GO上含有大量的含氧官能團(tuán)。圖1 b為 NiCo2S4/RGO 的XRD圖譜,與標(biāo)準(zhǔn)的立方尖晶石相(PDF 20-0782)圖譜完全對應(yīng),沒有發(fā)現(xiàn)石墨烯(G)峰,可能是由于G含量比較少,因此本文合成了NiCo2S4/RGO。圖1c為GO的TEM,從圖中可以看出GO片層較薄為褶皺結(jié)構(gòu),圖1d為NiCo2S4/RGO的TEM,可以看出NiCo2S4納米球均勻地分布于石墨烯上,表明復(fù)合到了G上。

      圖 1 GO(a,c)及NiCo2S4/RGO(b,d)的XRD圖譜及TEM圖像

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