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      一類具記憶項(xiàng)的二階線性發(fā)展方程的能量衰減估計(jì)

      2016-07-24 17:24:31蘭琳琳蒲志林
      關(guān)鍵詞:等式線性證明

      蘭琳琳,蒲志林

      (四川師范大學(xué)數(shù)學(xué)與軟件科學(xué)學(xué)院,四川成都610066)

      一類具記憶項(xiàng)的二階線性發(fā)展方程的能量衰減估計(jì)

      蘭琳琳,蒲志林*

      (四川師范大學(xué)數(shù)學(xué)與軟件科學(xué)學(xué)院,四川成都610066)

      研究一類具記憶項(xiàng)的線性發(fā)展方程的能量衰減估計(jì),通過(guò)Lyapunov函數(shù)的運(yùn)用和函數(shù)的構(gòu)造來(lái)證明當(dāng)記憶核在條件α'(s)≤-β(s)α(s)下衰減時(shí),方程的能量按照多項(xiàng)式方式衰減.

      線性發(fā)展方程;多項(xiàng)式衰減;Lyapunov函數(shù)

      考慮一類具有記憶的導(dǎo)電材料的模型

      其中,Et(s)=E(t-s),s≥0,B、E、H、D、J分別表示了磁感應(yīng)強(qiáng)度、電場(chǎng)、磁場(chǎng)強(qiáng)度、電位移、感應(yīng)電流密度,ε0是介電常數(shù),μ0是導(dǎo)磁系數(shù),ε'、σ'是記憶核.文獻(xiàn)[1]通過(guò)半群方法證明了方程(1)當(dāng)t→∞時(shí)其能量成指數(shù)型衰減,由于方程D=ε0E無(wú)法用來(lái)計(jì)算電磁波的吸收和耗散現(xiàn)象,文獻(xiàn)[2]基于方程(1),通過(guò)重新對(duì)D和E的遺傳性關(guān)系的建立,研究了電磁波的吸收和耗散現(xiàn)象,文獻(xiàn)[3]對(duì)方程(1)的記憶項(xiàng)進(jìn)行了推廣,研究了更一般的線性基本方程,文獻(xiàn)[4]證明了方程(1)中當(dāng)D由E和H的線性函數(shù)共同決定時(shí),電磁材料熱力學(xué)系統(tǒng)的自由焓的非唯一性成立,并且Clausius-Duhem不等式在有記憶項(xiàng)的系統(tǒng)中作為等式成立,當(dāng)電磁場(chǎng)很弱時(shí),文獻(xiàn)[5]基于方程(1)運(yùn)用線性方法構(gòu)造出下面的基本方程進(jìn)而對(duì)電離層的現(xiàn)象進(jìn)行了研究

      文獻(xiàn)[6]通過(guò)將方程(1)進(jìn)行一些條件限制后代入Maxwell方程中,得到方程

      由于沒(méi)有自由電荷,即:D=0,得到:E=0(參見文獻(xiàn)[7]),進(jìn)一步有:E=-ΔE,當(dāng)ε0=μ0=1且α1=ε'(0)時(shí),形成了嚴(yán)格電導(dǎo)體的模型

      并對(duì)這個(gè)新的方程進(jìn)行了能量衰減估計(jì),證明當(dāng)記憶核滿足條件

      呈指數(shù)方式衰減時(shí),其能量按照多項(xiàng)式方式衰減.本文弱化了記憶核α(s)的限制條件,使其結(jié)果推廣到更廣泛的情況,這個(gè)限制條件是 α:[0,∞)→[0,∞)是局部絕對(duì)連續(xù)函數(shù),α(s)>0,存在β(s)>0使得下列不等式成立:α'(s) ≤-β(s)α(s),其中β滿足的條件為:β是R+→R+上的非增可微函數(shù),α'(s)≤- β(s)α(s),s≥ 0,,此處的假設(shè)條件就包括了下面的幾種情況[8]:同時(shí),此處的假設(shè)條件包含了指數(shù)方式衰減的條件,最終證明當(dāng)記憶核在條件α'(s)≤-β(s)α(s)下衰減時(shí),方程(4)的解按照多項(xiàng)式方式衰減.

      1 記號(hào)與引理

      令Ω?R3為一個(gè)具有Lipschitz邊界的有界區(qū)域,并且在Ω中引進(jìn)L2(Ω)空間,〈·,·〉為L(zhǎng)2空間中的內(nèi)積,‖·‖為L(zhǎng)2(Ω)空間中的范數(shù).

      對(duì)任意的α∈C(R)和E∈W1,2(0,T),定義:

      引理 1.1 對(duì)任意的 α∈ C(R)和 E∈W1,2(0,T)有

      證明 運(yùn)用* 和◇的定義可以得證.

      引理 1.2 對(duì)任意的 α∈ C1(R)和 E∈W1,2(0,T)有

      證明

      等式右邊為

      因?yàn)?/p>

      等式右邊為

      等于等式左邊,得證.

      引理1.3[9-10]當(dāng)L(t)為L(zhǎng)yapunov函數(shù),滿足

      則存在常數(shù)C>0,使得

      特別地,當(dāng)r=0時(shí)有

      2 主要結(jié)論及證明

      我們規(guī)定方程(4)滿足當(dāng)記憶核 α是[0,∞)→[0,∞)上的絕對(duì)連續(xù)函數(shù)且:

      存在β(s)≥0使得

      且有

      定理2.1 當(dāng)假設(shè)α∈C1(R+)∩L1(R+)且E是方程(4)的解,則能量方程可以寫作

      并且有

      定理2.1的證明 對(duì)方程(4)兩邊關(guān)于Et在Ω上積分

      由引理1.2得:

      因?yàn)?/p>

      所以

      定理2.2 當(dāng)α滿足假設(shè)條件(20)~(24)式,則方程(4)的解由指數(shù)衰減到0,即存在一個(gè)正的常數(shù)珘C使得

      定理2.2的證明 首先定義函數(shù)

      方程兩邊同時(shí)求導(dǎo)

      由方程(4)得

      代入得

      由引理1.1得

      對(duì)上式的最后一項(xiàng)進(jìn)行下面的處理,則

      將最后一項(xiàng)由上面的不等式替換得

      下面再定義函數(shù)

      其中N待定且充分大,然后對(duì)方程兩邊同時(shí)求導(dǎo)

      將(32)和(49)式代入

      對(duì)系數(shù)進(jìn)行整理得到

      最后定義函數(shù)

      由N(t)、E1(t)以及L(t)的表達(dá)式可知,存在c0、c1>0,使得:

      當(dāng)0≤r<1,p≥2,則有:

      則有

      c3>0,由(54)和(55)式

      由(57)和(64)式得

      由引理1.3有

      由L(t)和E1(t)的定義,可得到

      從而有

      [1]MARIA GRAZIA N,ELENA V.On the exponential stability of electromagnetic systems with memory[J].Int Math J,2002,1(6):575-590.

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      The Energy Decay Estimates of a Second-order Linear Evolution Equation with Memory

      LAN Linlin,PU Zhilin

      (College of Mathematics and Software Science,Sichuan Normal University,Chengdu 610066,Sichuan)

      The paper aims to study the energy decay of a linear evolution equation with memory.We prove that the energy of the equation will decay according to the polynomial approach when the memory decays under the condition of α'(s)≤-β(s)α(s)by employing Lyapunov functional and the structure of the function.

      linear evolution equation;polynomial rate of decay;Lyapunov function

      O175

      A

      1001-8395(2016)04-0491-05

      10.3969/j.issn.1001-8395.2016.04.005

      (編輯 余 毅)

      2015-04-10

      四川省應(yīng)用基礎(chǔ)研究項(xiàng)目(2015JY0125)

      *通信作者簡(jiǎn)介:蒲志林(1963—),男,教授,主要從事無(wú)窮維動(dòng)力系統(tǒng)理論的研究,E-mail:Puzhilin908@sina.com

      2010 MSC:47D06

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