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      高效低成本的單晶N型太陽電池加工工藝的應(yīng)用

      2016-12-14 09:01郎芳
      科技創(chuàng)新導(dǎo)報 2016年20期
      關(guān)鍵詞:低成本高效率應(yīng)用

      郎芳

      摘要:本文從提升N型太陽能電池發(fā)電效率入手,分析了目前N型電池效率損失的原因,通過對其正背面降低復(fù)合來提升其轉(zhuǎn)換效率。介紹了單晶N型電池新工藝以提升電池效率,通過采用氧化鋁鈍化技術(shù)和選擇性背場技術(shù)的結(jié)合,使得單晶N型電池的平均效率達(dá)到20.5%,從成本方面看相對于傳統(tǒng)的N型單晶電池加工工藝有一定的優(yōu)勢。高效率低成本的電池的應(yīng)用對于日后要開發(fā)的小型戶用系統(tǒng)有非常積極的幫助,便于有限空間的合理利用。

      關(guān)鍵詞:高效率 低成本 單晶N型電池 應(yīng)用

      中圖分類號: TM615 文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A 文章編號1672-3791(2016)07(b)-0000-00

      隨著人類社會不斷發(fā)展和進(jìn)步,人與自然的矛盾越來越突出。尤其在受到經(jīng)濟危機沖擊的今天,能源和環(huán)境問題已成為了制約國際社會經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸,也受到全社會的高度重視。哥本哈根氣候會議使大家進(jìn)一步深切的體會到能源短缺和環(huán)境惡化已經(jīng)成為刻不容緩的問題!尋求低碳經(jīng)濟之路成為當(dāng)今的必然趨勢。太陽能電池的研究與應(yīng)用越來越受到世界各國廣泛的關(guān)注。太陽能電池是利用光電轉(zhuǎn)換原理使太陽輻射光通過半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N器件,這種光電轉(zhuǎn)換過程通常叫做“光生伏打效應(yīng)”。太陽電池加工制作過程不斷追求產(chǎn)業(yè)化,這就要求電池效率更高,目前,太陽能電池的制作有85%以上采用晶體硅作為材料,其中更多的是P型晶體硅材料電池。P型材料中多晶材料和單晶材料的加工過程多是以化學(xué)方式來處理表面,通過擴散制結(jié)、對表面進(jìn)行減反射和鈍化處理,再通過背場鋁漿印刷和電極制作并燒結(jié)完成全部生產(chǎn)過程。N型材料應(yīng)用相對較少,前期除了英利與荷蘭ECN研究所合作開發(fā)的技術(shù)外,還有松下公司的HIT(Heterojunction with Intrinsic Layers)技術(shù)和Sunpower的IBC(Interdigitated Back Contacted)技術(shù),目前實驗室效率均高于20%。隨著技術(shù)的不斷應(yīng)用,目前越來越多的人已經(jīng)開始增加了對N型基材電池的關(guān)注,N型技術(shù)的優(yōu)勢有待進(jìn)一步發(fā)展。

      1 N型硅材料電池的優(yōu)勢

      半導(dǎo)體中有兩種載流子,即價帶中的空穴和導(dǎo)帶中的電子,以電子導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體稱之為N型半導(dǎo)體,與之相對的,以空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體。 在N型半導(dǎo)體中,參與導(dǎo)電的主要是帶負(fù)電的電子,這些電子來自半導(dǎo)體中的施主。凡摻有施主雜質(zhì)或施主數(shù)量多于受主的半導(dǎo)體都是N型半導(dǎo)體。

      N型硅材料作為太陽能電池的基材相對于P型材料有幾大優(yōu)勢:第一,由于N型材料中只有微量的B摻雜,B-O對的影響會非常小。P型材料中的B-O對使得材料的少子壽命降低,從而使高效率電池的制作受到一定的限制[1]; N型材料對金屬雜質(zhì)例如Fe不像P型材料那么敏感,這就使N型材料對加工過程有了更高的容忍度,利于高效電池的制作[2,3]。第二,由于P型基體B-O對的大量存在和電子對金屬極強的復(fù)合能力,使得其光致衰減很高;而對于N型基體,由于其摻雜不同,其B-O對比P型要少的多,N型基體的少子為空穴,對金屬的復(fù)合能力也比P型弱。因此其光致衰減低??傊鄬τ赑型材料,N型材料的電池效率易做到更高,光致衰減更低。

      2 N型硅電池結(jié)構(gòu)及工藝過程簡介

      英利與荷蘭ECN研究所進(jìn)行合作,從2009年開始進(jìn)行N型基材新工藝的嘗試,其電池結(jié)構(gòu)以N型基材為中心,正面制備硼擴散發(fā)射極,背面制備磷擴散的背場,正反兩面均采用氮化硅鈍化。其工藝流程包括:

      1、堿制絨:對硅片表面處理,增加其對于光的吸收

      2、磷硼共擴散:形成電池的發(fā)射極和背場

      3、周邊刻蝕:實現(xiàn)邊緣的絕緣

      4、化學(xué)處理:對硅片表面進(jìn)行處理

      5、PECVD:形成硅片正背面的減反射膜

      6、金屬化:制作金屬電極并實現(xiàn)接觸

      通過堿制絨對表面進(jìn)行處理,增加光的吸收;利用磷硼共擴散的技術(shù),實現(xiàn)發(fā)射極和背場的制備過程;通過刻蝕工藝達(dá)到邊緣絕緣的目的;經(jīng)過化學(xué)處理對表面進(jìn)行加工;采用PECVD的方法進(jìn)行鈍化和減反射膜層的制作;金屬化工序,完成電池的電極制作并實現(xiàn)良好的接觸。目前,英利產(chǎn)線上N型電池的平均效率達(dá)到20%以上。

      3基于N型基材更高效電池工藝的開發(fā)

      通過對N型電池基材基礎(chǔ)工藝的研究,查找電池的損失機制,我們發(fā)現(xiàn)目前的N型基礎(chǔ)工藝存在一些問題,主要是電池的正背面復(fù)合較為嚴(yán)重,導(dǎo)致電池的光電轉(zhuǎn)換效率得到了制約。由于電池前表面和背表面的損失存在,影響了電池的效率提升。

      針對上述情況,我們開發(fā)了新型的表面鈍化機制,通過增加一層氧化鋁膜層,即采用疊層鈍化膜的機制,對電池前表面的損失進(jìn)行補償。

      氧化鋁鈍化的機理是:氧化鋁自身帶有固定的負(fù)電荷,通過化學(xué)鈍化與場效應(yīng)鈍化的結(jié)合,實現(xiàn)更好的鈍化效果?;瘜W(xué)鈍化可以減少表面缺陷態(tài)密度;場效應(yīng)鈍化通過界面處的內(nèi)建電場減少表面附近少數(shù)載流子的濃度。

      針對背表面的損失,我們通過一種新型的選擇性背場工藝的應(yīng)用,使得背面的損失降低,從而實現(xiàn)了更高的電池轉(zhuǎn)換效率。其來源有兩個方面:一是減少自由載流子的吸收;另一個是增加背表面的鈍化效果。

      新工藝的工藝流程包括:

      1、堿制絨:對硅片表面處理,增加其對于光的吸收

      2、磷硼共擴散:形成電池的發(fā)射極和背場

      3、周邊刻蝕:實現(xiàn)邊緣的絕緣

      4、選擇性背場制備:對背表面進(jìn)行優(yōu)化處理

      5、化學(xué)處理:對硅片表面進(jìn)行處理

      6、氧化鋁鈍化:對前表面增強鈍化

      7、PECVD:形成硅片正背面的減反射膜

      8、金屬化:制作金屬電極并實現(xiàn)接觸

      4實驗過程和實驗結(jié)果及電池片的表征

      本實驗樣品是由英利(中國)能源有限公司生產(chǎn)的磷摻雜N型單晶A等硅片,電阻率為0.7-3.0Ω·cm,尺寸為156×156mm,厚度約為200μm的硅片300片,來自整棒的頭、中、尾段三個位置,電阻率1-3歐姆*厘米,按照上述的工藝過程進(jìn)行電池的制作,較單晶正常工藝增加了選擇性背場工藝和氧化鋁鈍化工藝。經(jīng)過對電池工藝流程的優(yōu)化,相對于傳統(tǒng)工藝而言,開路電壓顯著增高,短路電流也明顯提升,填充因子變化不大。電池的光電轉(zhuǎn)換效率提升了0.5%。

      通過新工藝的引入,電池的開路電壓達(dá)到0.654V以上,短路電流達(dá)到9.5A以上,填充因子保證80%以上,電池平均效率為20.5%。

      通過對實驗片和常規(guī)N型工藝的參考片進(jìn)行光譜響應(yīng)的對比可以看出,增加了選擇性背場工藝和氧化鋁工藝后的電池片,其SR曲線能明顯看出電池的前表面和背表面的光譜響應(yīng)增強了,這就從根本上增加了光的吸收,增強了電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

      5產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)

      新工藝的采用使得電池效率得到大幅提升,平均效率達(dá)到20.5%以上。目前的光伏市場已經(jīng)慢慢向分布式轉(zhuǎn)化,高效率的組件產(chǎn)品可以合理的利用小面積的空間,光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到更高可以使得小型系統(tǒng)的空間得到更大的利用。因此,高效低成本的單晶N型電池的利用必然是今后的一大趨勢。

      參考文獻(xiàn)

      [1]. J. Schmidt et al. 26th IEEE PVSC Anaheim, p13 (1997)

      [2]. D. Macdonald and L.J. Geerligs, Appl Phys. Lett. 92, p4061 (2008)

      [3]. A. Cuevas et al., Appl Phys. Lett. 81, p4952 (2002)

      [4]. 高虎,李俊峰,許洪華;太陽能光伏發(fā)電技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r與趨勢分析【J】,中國科技產(chǎn)業(yè),2006.

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