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      體外血管內(nèi)皮生長因子單克隆抗體對C6膠質瘤細胞增殖、侵襲和遷移力的影響

      2017-03-07 04:18:12李俊葉亮王帆
      神經(jīng)損傷與功能重建 2017年1期
      關鍵詞:常氧膠質瘤磷酸化

      李俊,葉亮,王帆

      體外血管內(nèi)皮生長因子單克隆抗體對C6膠質瘤細胞增殖、侵襲和遷移力的影響

      李俊,葉亮,王帆

      目的:在體外觀察血管內(nèi)皮生長因子(VEGF)單克隆抗體對C6膠質瘤細胞增殖、侵襲和遷移力的影響。方法:采用氯化鈷(CoCl2)模擬缺氧環(huán)境,予以0、0.1、1、10 μg/mL的VEGF抗體,對常氧或缺氧條件下對C6膠質瘤細胞進行處理。通過MTT實驗檢測細胞增殖,Transwell實驗檢測細胞的侵襲和遷移能力,Western blotting檢測HIF-1α蛋白、FAK/Pyk2總蛋白及磷酸化FAK-Tyr397/Pyk2-Tyr402表達水平變化。結果:200 μmol/L CoCl2明顯抑制C6細胞增殖(P<0.05),10 μg/mL VEGF抗體可明顯抑制C6細胞增殖(P<0.05)。與常氧相比,缺氧可使C6細胞的遷移、侵襲能力增強(P<0.05)。常氧和缺氧下,VEGF抗體的干預均增強C6細胞的遷移、侵襲能力(P<0.05),且相對于常氧,缺氧可進一步增強VEGF抗體促C6細胞遷移、侵襲的作用(P<0.05)。CoCl2干預可增加C6細胞中HIF-1α的含量;在常氧和缺氧情況下,只有1 μg/mL VEGF抗體可降低FAK的總蛋白量(P<0.05);在缺氧情況下,VEGF抗體可明顯增高Pyk2-Tyr402位點的磷酸化水平。結論:在缺氧情況下,VEGF抗體的干預可使Pyk2-Tyr402位點的磷酸化水平增高,引起C6細胞的侵襲遷移能力進一步增強。

      膠質母細胞瘤;遷移;侵襲;缺氧;血管內(nèi)皮生長因子

      膠質瘤大約占顱腦腫瘤的70%以上,是最為常見的原發(fā)性神經(jīng)系統(tǒng)惡性腫瘤,其中多形性膠質瘤母細胞瘤(glioblastoma multiforme,GBM)被認為是最惡性的膠質瘤(WHOⅣ級)[1,2]。針對新確診的膠質瘤,目前主要采取以手術、放療、化療為主的綜合治療方案,但其預后不容樂觀,確診后平均生存期僅為14月[3,4],而且大部分腫瘤會復發(fā),對于復發(fā)型膠質瘤目前仍未有統(tǒng)一的標準治療方案。本研究采用化學方法建立膠質瘤細胞缺氧模型[5,6],觀察血管內(nèi)皮生長因子(vascular endothelial growth factor,VEGF)單克隆抗體對C6膠質瘤細胞增殖、侵襲和遷移等生物學行為的影響,并初步探討缺氧環(huán)境下,VEGF抗體對膠質瘤細胞侵襲遷移能力改變的有關機制。

      1 材料與方法

      1.1 材料

      1.1.1 細胞來源 大鼠C6膠質瘤細胞購于中國科學院上海生命科學研究院細胞資源中心。C6細胞在含有10%胎牛血清的DMEM培養(yǎng)基中培養(yǎng),置于5%CO2、37℃的密閉培養(yǎng)箱內(nèi)(培養(yǎng)箱相對濕度為95%),每2~3 d更換一次培養(yǎng)基。倒置顯微鏡下觀察細胞形態(tài),當細胞生長至70%~80%密度時,予以傳代。

      1.1.2 主要試劑 氯化鈷(CoCl2)、丙烯酰胺/N、N-亞甲叉雙丙烯酰胺(Arc/Bis)、四甲基乙二胺(TEMED)、十二烷基磺酸鈉(SDS)、甘氨酸(Glycine)購于美國Sigma公司;Tween-20、β-巰基乙醇購于美國Amresco公司;二喹啉甲酸(BCA)蛋白測定試劑盒購于美國Pierce公司;FAK/p-FAK(Tyr397)抗體、Pyk2/p-Pyk2(Tyr402)抗體、VEGF單克隆抗體、β-actin抗體、HRP標記的二抗購于美國Santa Cruz公司;其余試劑均為國產(chǎn)分析純。

      1.2 方法

      1.2.1 不同濃度CoCl2對C6細胞增殖的影響 取對數(shù)生長期的C6細胞,消化、吹打成單細胞懸液,計數(shù)后以每孔8×103個細胞接種于96孔培養(yǎng)板中,每孔100 μL,每組設置5個復孔,于37℃含有5%CO2的培養(yǎng)箱中培養(yǎng);細胞生長至60%~70%時棄去原培養(yǎng)基,每孔加入含有不同濃度CoCl2的培養(yǎng)基200 μL,使CoCl2終濃度分別為0 μmol/L(0 μmol/L組)、50 μmol/L(50 μmol/L組)、100 μ mol/L(100 μ mol/L組)、200 μ mol/L(200 μmol/L組),調零孔加入與實驗組等體積的培養(yǎng)基,其余邊緣孔加入等體積PBS,繼續(xù)培養(yǎng);處理24 h后取出培養(yǎng)板,每孔加入MTT溶液(5 mg/mL)20 μL,于37℃溫箱中孵育4 h,棄去孔內(nèi)培養(yǎng)基,每孔加入200 μL二甲基亞砜(DMSO),將培養(yǎng)板放在水平搖床上震蕩10 min,使結晶充分溶解;以空白孔調零,在酶聯(lián)免疫檢測儀檢測490 nm波長處的每孔吸光度值(OD值),比較細胞活力改變。

      1.2.2 不同濃度VEGF抗體對C6細胞增殖的影響 取對數(shù)生長期的C6細胞,消化、吹打成單細胞懸液,計數(shù)后以每孔8×103個細胞接種于96孔培養(yǎng)板中,每孔100 μL,每組設置3個復孔,于37℃含有5%CO2的培養(yǎng)箱中培養(yǎng);細胞生長至60%~70%時棄去原培養(yǎng)基,每孔加入含有不同濃度VEGF抗體的常氧或缺氧培養(yǎng)基200 μL,使VEGF抗體終濃度分別為0 μg/mL(0 μg/mL組)、0.1 μg/mL(0.1 μg/mL組)、1 μg/mL(1 μg/mL組)、10 μ g/mL(10 μ g/mL組),缺氧條件培養(yǎng)基中含100 μmol/L CoCl2,常氧條件培養(yǎng)基則不含CoCl2,調零孔加入與實驗組等體積的培養(yǎng)液,其余邊緣孔加入等體積PBS,繼續(xù)培養(yǎng);處理24 h后取出培養(yǎng)板,每孔加入MTT溶液(5 mg/mL)20 μL,于37℃溫箱中孵育4 h,棄去孔內(nèi)培養(yǎng)液,每孔加入200 μL DMSO,將培養(yǎng)板放在水平搖床上震蕩10 min,使結晶充分溶解;以空白孔調零,在酶聯(lián)免疫檢測儀檢測490 nm波長處的每孔OD值,比較細胞活力改變。

      1.2.3 Transwell體外遷移和侵襲實驗 取對數(shù)生長期的C6細胞,消化、吹打成單細胞懸液,計數(shù)后以每孔1× 105個接種細胞于6孔培養(yǎng)板中,于37℃含有5%CO2的培養(yǎng)箱中常規(guī)培養(yǎng);參照文獻方法[7,8]進行體外遷移和侵襲實驗,在倒置顯微鏡下觀察,200×視野下任取5個不重復視野照相,并記數(shù)侵襲細胞數(shù)量。

      1.2.4Western Blotting檢測FAK、Pyk2總蛋白表達變化及其磷酸化水平的變化 按照試劑盒說明步驟制備蛋白樣品,根據(jù)OD值和標準蛋白濃度在Excel中計算出直線回歸方程,再根據(jù)蛋白樣品OD值,用回歸方程計算出樣品蛋白濃度及上樣量。按照試劑盒說明進行Western Blotting檢測,photoshop CS 5和Image J軟件處理分析圖片。

      1.3 統(tǒng)計學處理

      統(tǒng)計分析及制圖采用SPSS 17.0、Image J、photoshop CS 5、Excel 2003軟件完成,方差分析、t檢驗,P<0.05為差異有統(tǒng)計學意義。

      2 結果

      2.1 不同濃度的CoCl2對C6細胞增殖的影響

      加入CoCl2后,50、100、200 μmol/L組的C6細胞的相對活性分別為(1.00±0.00)、(0.94±0.08)、(0.89±0.07)、(0.56±0.05)。50 μmol/L組和100 μmol/L組的C6細胞的相對活性與0 μmol/L組比較差異無統(tǒng)計學意義,200 μmol/L組的C6細胞的相對活性較0 μmol/L組差異有統(tǒng)計學意義(P<0.05),C6細胞出現(xiàn)明顯的增殖抑制,表現(xiàn)為細胞變細,突起減少,粘附性下降。

      2.2 不同濃度的CoCl2對C6細胞HIF-1α的影響

      CoCl2可引起HIF-1α表達增高,而且100 μmol/L組的HIF-1α的增高更顯著,見圖1。

      圖1 Western blotting檢測不同濃度CoCl2對C6細胞HIF-1α表達的影響

      2.3 常氧/缺氧條件下VEGF抗體對C6細胞增殖的影響

      給予VEGF抗體后,無論是在常氧還是缺氧條件下,0.1 μg/mL組和1 μg/mL組C6細胞的相對活性與0 μg/mL組相比差異均無統(tǒng)計學意義(P>0.05),10 μg/ mL組C6細胞的相對活性與0 μg/mL組相比差異均有統(tǒng)計學意義(P<0.05),細胞出現(xiàn)增殖抑制,見表1。

      表1 常氧或缺氧情況下VEGF抗體對C6細胞增殖活性的影響(±s)

      表1 常氧或缺氧情況下VEGF抗體對C6細胞增殖活性的影響(±s)

      注:與0 μg/mL組比較,①P<0.05

      組別0 μg/mL組0.1 μg/mL組1 μg/mL組10 μg/mL組細胞相對活性常氧1.00±0.00 1.02±0.10 1.03±0.10 0.89±0.08①缺氧1.00±0.00 1.03±0.11 1.06±0.10 0.86±0.07①

      2.4 常氧/缺氧條件下VEGF抗體對C6細胞遷移的影響

      常氧和缺氧時,VEGF抗體的干預使C6細胞的遷移能力明顯增強,與0 μg/mL組相比差異均有統(tǒng)計學意義(P<0.05);0 μg/mL組缺氧情況下的C6細胞遷移能力更強,較常氧情況差異有統(tǒng)計學意義(P<0.05);0.1、1 μg/mL組缺氧情況下的C6細胞具有更強的遷移能力,差異有統(tǒng)計學意義(P<0.05),見圖2、表2。

      表2 常氧或缺氧情況下VEGF抗體對C6細胞遷移的影響(±s)

      表2 常氧或缺氧情況下VEGF抗體對C6細胞遷移的影響(±s)

      注:與0 μg/mL組常氧比較,①P<0.05;與0 μg/mL組缺氧比較,②P<0.05;與0.1 μg/mL組常氧比較,③P<0.05;與1 μg/mL組常氧比較,④P<0.05

      組別0 μg/mL組0.1 μg/mL組1 μg/mL組遷移細胞數(shù)常氧61.28±5.96 98.72±9.65①114.68±10.59①缺氧96.69±9.42①152.35±14.64②③162.85±15.36②④

      圖2 常氧或缺氧情況下的VEGF抗體對C6細胞遷移的影響(×200)

      2.5 常氧/缺氧條件下VEGF抗體對C6細胞侵襲的影響

      在常氧情況下,0.1 μg/mL組和1 μg/mL組的C6細胞的侵襲能力明顯增強(P<0.05);0 μg/mL組的C6細胞在缺氧情況下較常氧更具有侵襲力(P<0.05),0.1 μg/ mL組和1 μg/mL組的C6細胞的侵襲能力明顯增強(P<0.05),且強于常氧情況(P<0.05),見圖3、表3。

      表3 常氧或缺氧情況下VEGF抗體對C6細胞侵襲的影響(±s)

      表3 常氧或缺氧情況下VEGF抗體對C6細胞侵襲的影響(±s)

      注:與0 μg/mL組常氧比較,①P<0.05;與0 μg/mL組缺氧比較,②P<0.05;與0.1 μg/mL組常氧比較,③P<0.05;與1 μg/mL組常氧比較,④P<0.05

      組別0 μg/mL組0.1 μg/mL組1 μg/mL組遷移細胞數(shù)常氧48.28±4.54 98.45±8.69①102.46±9.65①缺氧69.35±6.24①181.59±16.32②③205.68±18.96②④

      圖3 常氧/缺氧情況下的VEGF抗體對C6細胞侵襲的影響(× 200)

      2.6 常氧/缺氧條件下VEGF抗體對C6細胞FAK、Pyk2磷酸化的影響

      在常氧和缺氧情況下,0.1 μg/mL組的FAK總蛋白表達無變化,1 μg/mL組的FAK總蛋白表達下降(P<0.05);此外,單純的缺氧處理未能使FAK總蛋白表達改變,而在缺氧情況下,1 μg/mL組的C6細胞的FAK總蛋白表達較常氧情況增高(P<0.05);缺氧和VEGF抗體的干預均未使得FAK-Tyr397自身磷酸化水平發(fā)生改變。在常氧及缺氧情況下,不同濃度VEGF抗體處理后,Pyk2總蛋白的表達差異無統(tǒng)計學意義;在常氧情況下,不同濃度VEGF抗體處理未引起Pyk2-Tyr402磷酸化水平改變;而在缺氧環(huán)境下,0.1 μg/mL組和1 μg/ mL組的C6細胞的Pyk2-Tyr402磷酸化水平明顯增高,差異有統(tǒng)計學意義(P<0.05),見圖4、表4。

      3 討論

      在正常情況下,細胞內(nèi)的HIF-α極不穩(wěn)定,數(shù)分鐘之內(nèi)就會被泛素蛋白酶體(ubiquitin-proteasome path-way)降解,而在缺氧環(huán)境下,HIF-1α會轉移至細胞核,與HIF-1β亞單位結合,參與相應基因的轉錄調控。在各種模擬細胞缺氧的實驗方法之中,CoCl2模擬缺氧環(huán)境應用得較為廣泛。CoCl2可抑制HIF-1α在細胞質的降解,導致HIF-1α堆積,繼而模擬缺氧環(huán)境。由于Co-Cl2對細胞有一定的毒性作用,本研究評估CoCl2對C6膠質瘤細胞的影響。MTT實驗結果顯示,當CoCl2作用濃度波動于100 μmol/L以下時,C6細胞未出現(xiàn)明顯的增殖抑制;當CoCl2作用濃度達到200 μmol/L時,C6細胞的相對活性明顯下降,出現(xiàn)增殖抑制,與之前的報道基本吻合[9,10]。Western blotting結果示,正常細胞的細胞質內(nèi)含有一定量的HIF-1α;以50 μmol/L的CoCl2處理C6細胞時,HIF-1α的含量增加;CoCl2達100 μmol/ L時,HIF-1α的含量更高。結合既往研究[10],本研究認為100 μmol/L的CoCl2處理細胞12~24 h后,會引起HIF-1α過度表達,較適合用于模擬體外缺氧。因此,后續(xù)試驗中采取100 μmol/L的CoCl2處理C6細胞模擬缺氧環(huán)境。

      表4 常氧/缺氧條件下VEGF抗體對C6細胞FAK、Pyk2磷酸化的影響(±s)

      表4 常氧/缺氧條件下VEGF抗體對C6細胞FAK、Pyk2磷酸化的影響(±s)

      注:與0 μg/mL組常氧比較,①P<0.05;與0 μg/mL組缺氧比較,②P<0.05;與1 μg/mL組常氧比較,③P<0.05

      組別0 μg/mL組0.1 μg/mL組1 μg/mL組FAK蛋白常氧0.92±0.08 0.83±0.06 0.34±0.02①缺氧1.22±0.10 1.24±0.11 0.96±0.08②③FAK磷酸化常氧0.96±0.09 0.91±0.08 0.99±0.08缺氧0.89±0.08 0.90±0.09 0.92±0.08 Pyk2蛋白常氧0.45±0.04 0.47±0.03 0.46±0.04缺氧0.43±0.04 0.46±0.03 0.44±0.04 Pyk2磷酸化常氧1.26±0.12 1.42±0.14 1.51±0.15缺氧1.46±0.14 1.96±0.18 1.98±0.19①③

      圖4 Western blotting檢測常氧或缺氧情況下VEGF抗體對C6細胞FAK和Pyk2總蛋白及其磷酸化水平的影響

      既往研究[11]已證實,VEGF/VEGFR-2信號通路的激活可趨化內(nèi)皮細胞增殖。傳統(tǒng)觀點認為,VEGFR-2僅存在于血管內(nèi)皮細胞中?,F(xiàn)有的研究[12]則對這一觀點提出質疑,認為膠質瘤細胞中也存在VEGFR-2,膠質瘤細胞所分泌的VEGF不僅結合內(nèi)皮細胞的VEGFR-2,而且也以自分泌的方式,結合腫瘤細胞自身的VEGFR-2,這被認為與膠質瘤的治療抵抗密切相關。Knizetova等[13]運用VEGFR-2抑制劑(SU1498)阻斷星形細胞瘤的這一自分泌信號通路,抑制星形細胞瘤的生長,且增強腫瘤細胞對電離輻射的敏感性,認為c-Raf/MAPK、PI3K/Akt和PLC/PKC均參與調控這一通路的激活。既往研究表明[14,15],F(xiàn)AK/Pyk2與膠質瘤的遷移、侵襲行為密切相關。其中,F(xiàn)AK涉及細胞周期和細胞生存的調節(jié),F(xiàn)AK激活后以促進膠質瘤細胞的增殖為主,在敲除Pyk2的細胞中FAK激活并不能促進細胞遷移,反而對細胞遷移具有一定的抑制作用;Pyk2激活以促進膠質瘤細胞的遷移和侵襲為主,對膠質瘤細胞的增殖有負向調節(jié)作用;FAK和Pyk2之間的平衡是膠質瘤細胞增殖和遷移的重要調節(jié)因素。

      綜上所述,本研究發(fā)現(xiàn)100 μmol/L的CoCl2在12 h內(nèi)造成C6膠質瘤細胞HIF-1α的堆積,且未造成細胞毒性,因此可用于模擬C6細胞的體外缺氧。在常氧及缺氧情況下,VEGF抗體未對C6細胞的增殖活性造成影響,但可增強C6細胞的侵襲遷移能力。在常氧及缺氧情況下,VEGF抗體未通過改變FAK-Tyr397位點的磷酸化水平來影響C6細胞的增殖活性。膠質瘤細胞的侵襲遷移能力變化是由多個因素調控的病理生理過程,在常氧情況下,VEGF抗體未改變C6細胞Pyk2-Tyr402位點的磷酸化水平。而在缺氧情況下,VEGF抗體的干預可使Pyk2-Tyr402位點的磷酸化水平增高,引起C6細胞的侵襲遷移能力進一步增強。

      [1]冒平,王茂德,李瑞春,等.缺氧條件下共培養(yǎng)血管內(nèi)皮細胞對C6膠質瘤細胞促進生長和抑制凋亡的作用[J].中華神經(jīng)醫(yī)學雜志,2012,11: 1115-1118.

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      (本文編輯:王晶)

      Effect of VEGF Monoclonal Antibody on Proliferation,Invasion and Migration of C6 Glioma Cellsin vitro

      LI Jun,YE Liang,WANG Fan.Department of Neurosurgery,Mianyang 404 Hospital,Sichuan 621000,China

      Objective:To observe the effect of vascular endothelial growth factor(VEGF)monoclonal antibody on C6 glioma cells’proliferation,migration and invasionin vitro.Methods:CoCl2was added in culture medium to imitate hypoxic culture condition.C6 glioma cells were treated by VEGF antibody with different concentrations(0.1 μg/mL and 1 μg/mL)under normoxic or hypoxic conditions.Cell proliferation was detected by MTT assay.The ability of cell migration and invasion were evaluated by Transwell testing assay.The expression of HIF-1α protein,FAK/Pyk2 total protein and level of FAK-Tyr397/Pyk2-Tyr402 phosphorylation were detected by Western blot.Results:Treatment with 200 μmol/L CoCl2significantly inhibited the proliferation of C6 glioma cells(P<0.05).10 μg/mL VEGF antibody significantly inhibited the proliferation of C6 glioma cells(P<0.05).Compared to the normoxic condition,hypoxiia increased the migration and invasion of C6 cells(P<0.05). Under the normoxic and hypoxic condition,the VEGF antibody can increase the migration and invasion of C6 (P<0.05).Compared to the normoxic condition,hypoxia can enhance the migration and invasion by VEGF antibody to C6 cell(P<0.05).The expression of total FAK protein was decreased in C6 cells by VEGF antibody only in the 1μg/ml concentration(P<0.05).Under hypoxic condition,the phosphorylation levels of Pyk2-Tyr402 was increased in C6 cells after VEGF antibody treatment(P<0.05).Conclusion:Under hypoxic condition,VEGF antibody can increase the phosphorylation levels of Pyk2-Tyr402,which contribute to the invasion and migration of C6 cells.

      glioblastoma;migration;invasion;hypoxic;vascular endothelial growth factor(VEGF)

      R741;R741.02

      ADOI10.16780/j.cnki.sjssgncj.2017.01.002

      綿陽市404醫(yī)院神經(jīng)外科四川綿陽621000

      中華醫(yī)學會臨床醫(yī)學科研專項資金(No.12020600360)

      2015-11-13

      李俊gdhuanghb@163. com

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