宋 瑋

上海申和熱磁電子有限公司

淺析半導(dǎo)體硅片的超聲和兆聲清洗技術(shù)

宋 瑋

上海申和熱磁電子有限公司

實際工作中，半導(dǎo)體硅片的清潔程度對太陽能電池的繼續(xù)發(fā)展有著很大的影響，所以人們對半導(dǎo)體硅片清洗的方法提出了更苛刻的要求。半導(dǎo)體硅片在經(jīng)過切片、倒角、研磨、拋光等加工過程中，表面會受到不同程度的污染，比如顆粒、金屬離子以及有機物?；诖?，本文將著重分析探討半導(dǎo)體硅片的超聲和兆聲清洗技術(shù)，以期能為以后的實際工作起到一定的借鑒作用。

半導(dǎo)體硅片；超聲清洗；兆聲清洗

1、半導(dǎo)體硅片加工表面污染類型

硅片污染發(fā)生的概率比較大，因為在硅片加工過程中，不可能做到無污染的程度。污染途徑可能來源于大氣、水、使用的化學(xué)試劑、人以及加工過程中。污染物可以分為以下幾種類型：l)顆粒污染；顆粒主要是一些聚合物、光致抗蝕劑等。2)有機物雜質(zhì)它可以有很多種存在方式，如潤滑油、松香、防銹油、蠟等。這些物質(zhì)通常都會對加工進程帶來不良影響。3)金屬污染物。它在硅片上的存在形式有共價鍵、范德華引力和電子轉(zhuǎn)移三種形式。這會破壞掉氧化層，導(dǎo)致霧狀缺陷或微結(jié)構(gòu)缺陷。

2、半導(dǎo)體硅片的超聲清洗技術(shù)

超聲清洗技術(shù)的基本原理主要是通過在劇烈的超聲作用之下令液體本身產(chǎn)生疏密，疏部環(huán)境下會產(chǎn)生空腔泡，也就是能夠令分子當中的化學(xué)鍵發(fā)生斷裂的而一種振動情況。這時候的機械力達到最大的情況下則泡內(nèi)部就聚集了較大的熱量，會令溫度繼續(xù)升高，并促進化學(xué)反應(yīng)進一步發(fā)展。

超聲清洗主要基于物理清洗工藝角度進行分析，將清洗劑倒入清洗槽當中，并對槽內(nèi)進行超聲波技術(shù)處理。因為超聲波屬于振動波類型，在進行傳播的過程中其截至?xí)趬毫Φ挠绊懓l(fā)生變化。當物質(zhì)在負壓區(qū)域當中時，液體發(fā)生撕裂的情況下，則會在真空環(huán)境當中產(chǎn)生氣泡。而當聲壓超過一定賦值情況下，這些氣泡又會不斷增長，正壓區(qū)域當中的氣泡之間發(fā)生相互擠壓與閉合，液體之間發(fā)生碰撞之下也會造成非常強烈的沖擊波。盡管在速度以及位移環(huán)境上產(chǎn)生的變化相對較小，但是加速度則會較大。這種現(xiàn)象就是我們通常情況下所說的空化效果。超聲清洗需要借助于空化效果，其中空化效應(yīng)是超聲清洗技術(shù)當中的核心影響因素。通過超聲技術(shù)處理氣泡在爆裂之后能夠產(chǎn)生高溫以及高壓，這種情況下沖擊波能夠讓污染物的粘附性有所減輕，進而引起污染物結(jié)構(gòu)的破壞。與此同時，氣泡發(fā)生振動也能夠直接對污染表面起到清洗效果。氣泡進入到裂縫當中發(fā)生振動，能夠令污染表層發(fā)生脫落。超聲空化技術(shù)在使用的過程中可能會造成污染物表面發(fā)生速度低度以及聲流，這就可能造成污染物件的邊界層進一步受到污染，此時，因為介質(zhì)支點產(chǎn)生了較為嚴重的振動，會使得清洗表面也產(chǎn)生振動，從而將污染物去除掉。

采用超聲工藝技術(shù)進行清洗的實際效果主要受到超聲條件的影響。這個過程中超聲波實際產(chǎn)生的功率越高則清洗工藝得到的效果越明顯。這項技術(shù)一般情況下主要應(yīng)用在對硅片的大塊污染清理工作當中。表面活性劑以及相關(guān)使用化學(xué)試劑同樣會手動污染，這是的聲波作用可能會對硅片表面造成破壞。超聲清洗技術(shù)應(yīng)用在半導(dǎo)體當中已經(jīng)十分普遍，這種技術(shù)應(yīng)用具有幾個方面的特征：首先，清洗度相對較高；其次，清洗工藝相對操作簡便；再次，工藝適應(yīng)性較為廣泛，能夠?qū)Σ煌愋偷奈廴疚镆娨约叭萜鬟M行清洗；最后，清洗過程中容易產(chǎn)生較大噪聲以及換能器更換率較高。

3、半導(dǎo)體硅片兆聲清洗技術(shù)

聲波流作用于顆粒上的力如圖1所示。

圖1 兆聲清洗中顆粒受力示意圖

FD為聲波流作用于顆粒的拉力，F(xiàn)a為顆粒受硅片的吸附力，v為聲波流速度的剖面圖，在接近硅片表面一定距離之內(nèi)，聲波流受到與硅片表面之間的磨擦阻力的作用，速度逐漸下降，因此，將硅片表面附近的一個薄層稱為滯流層，厚度為d，凡粒徑小于d的顆粒均完全處于滯流層內(nèi)，不易去除，增大兆聲的頻率、功率和控制適當?shù)恼茁暻逑礈囟?，可使滯流層厚度減小。兆聲振蕩使顆粒從晶片表面脫附后，顆粒存在于兆聲槽內(nèi)清洗液中，通常的方法是循環(huán)更換清洗液以帶走脫附后的顆粒，避免造成二次沉積，這種方法不僅增長工序時間，而且造成大量純水和化學(xué)試劑的浪費。我們采用非離子表面活性劑溶液作為兆聲清洗液，使得脫附后的顆粒迅速被清洗液中的活性劑膠束所包圍，防止已脫附的顆粒再聚集，有效抑制潛在的顆粒沉積，提高清洗效果，并節(jié)省試劑。

表面活性劑分子，可以看作是碳氫化合物分子上的一個或幾個氫原子，被極性基團取代而構(gòu)成的物質(zhì)。其中極性取代基可以是離子，也可以是非離子基團。因此，表面活性劑分子結(jié)構(gòu)一般是由極性基和非極性基構(gòu)成，具有不對稱結(jié)構(gòu)。它的極性基易溶于水即具有親水性質(zhì)，故叫親水基；而長鏈烴基(非極性基)不溶于水，易溶于“油”，具有親油性質(zhì)，故叫親油基，也叫疏水基。由此可知，表面活性劑分子具有“兩親結(jié)構(gòu)”，故稱之為“兩親分子”。圖2為兩種不同類型的“兩親分子”，(a)為離子型，(b)為非離子型。它們的親油基相同，而親水基則不同，一個為-OSO3-，另一個為-(OC2H4)6OH。

圖2 兩親分子示意圖

總而言之，如果沒有處理好這些污染的話，器件性能會受到很大的影響。到目前為止，因為不適當清洗引起器件失效的占制造總損失的一半。因此，人們加快了對硅片清洗技術(shù)的研究。這就要求我們在以后的實際工作中必須對其實現(xiàn)進一步研究探討。

[1]孟超，胡子卿，常志，時璇，申璐青. 全自動太陽能硅片清洗機的研制[J]. 電子工業(yè)專用設(shè)備，2013，05：16-18+45.

[2]任麗，王平，李艷玲，王安平，褚世君，張兵，李寧，羅曉英. 太陽能級Si片清洗工藝分析[J]. 半導(dǎo)體技術(shù)，2010，04：309-312.

[3]劉玉嶺，檀柏梅，孫光英，蔣建國. 硅單晶片研磨液的研究[J]. 稀有金屬，2001，06：431-433.

[4]曹寶成，于新好，馬洪磊，張慶坤. 氫氟酸在新型清洗工藝中的作用[J]. 半導(dǎo)體技術(shù)，2002，07：23-25.