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      碳酸鹽巖中二氧化硅的測試方法研究

      2017-09-30 11:20:52肖輝劉思雪紀文強侯典吉王賽宇
      科技視界 2017年13期
      關(guān)鍵詞:二氧化硅譜線碳酸鹽巖

      肖輝+劉思雪+紀文強+侯典吉+王賽宇

      【摘 要】本文研究建立利用電感耦合等離子體發(fā)射光譜法(ICP-OES法) 測定碳酸鹽巖中二氧化硅元素含量的方法,通過溶解標準物質(zhì)建立校準曲線,同時改進熔樣方法、篩選分析譜線及優(yōu)化儀器工作參數(shù)等內(nèi)容,提高了分析準確度和精密度。實驗結(jié)果表明,利用該方法測定碳酸鹽巖中二氧化硅的含量,其檢出限為0.03mg·L-1,測定結(jié)果的相對標準偏差均小于5%(n=5),表明此方法可用于碳酸鹽巖中二氧化硅含量測定。

      【關(guān)鍵詞】碳酸鹽巖;二氧化硅;電感耦合等離子體發(fā)射光譜法(ICP-OES)

      0 前言

      碳酸鹽巖因其特殊的物理、化學性能而被廣泛應用于冶金工業(yè)中,是煉鐵和煉鋼的重要熔劑,而在碳酸鹽巖評價體系中,二氧化硅的含量直接影響碳酸巖的品質(zhì),因此,如何迅速測定碳酸鹽巖樣品中二氧化硅的含量成為關(guān)鍵。目前,測定碳酸鹽巖中二氧化硅含量的方法主要有硅鉬藍分光光度法、鹽酸蒸干脫水重量法和高氯酸脫水重量法等,以上提及方法大多存在實驗操作繁瑣、樣品分析時間長、效率不高等缺點。

      本研究在綜合前人研究樣品測試方法成果的基礎上,嘗試采用氫氧化鈉進行碳酸鹽巖樣品分解,通過實驗驗證不斷調(diào)整儀器工作參數(shù)和挑選最優(yōu)分析譜線,然后利用電感耦合等離子體發(fā)射光譜技術(shù)對二氧化硅進行測定。該方法具有實驗操作簡捷快速和檢測線性范圍廣泛等優(yōu)點,對于大批量樣品的分析要求能夠較好滿足。

      1 實驗部分

      1.1 儀器及工作參數(shù)

      本次實驗儀器為美國Thermo Fisher的IRISintrepid II XSP電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀,具體的工作條件見表1。

      1.2 主要試劑和標準溶液

      SiO2標準儲備溶液(中國計量科學研究院),氫氧化鈉和鹽酸均為分析純,實驗用水為二次蒸餾水,超純水(18.2Ω·㎝)。

      SiO2標準工作溶液: 將SiO2標準儲備液按照一定的比例進行稀釋,依次配制成濃度為0.00、1.00、2.00、4.00、6.00、8.00和10.00 mg·L-1系列標準工作溶液。

      1.3 實驗方法與分析

      本次實驗首先稱取0.1g實驗樣品,將其放置于鎳坩堝中,隨后放入1g氫氧化鈉顆粒,將鎳坩堝于660℃溫度熔融10min,然后將其取出進行冷卻,往坩堝內(nèi)加入適量熱水進行溶解,待其充分溶解后,倒入預先裝有15ml鹽酸和40ml水的100ml塑料容量瓶中,用超純水對坩堝進行清洗,然后往塑料容量瓶中加水稀釋至標準刻度,扣蓋搖勻樣品之后進行上機測試。

      2 結(jié)果與討論

      2.1 分析譜線的選擇

      在實驗分析過程中,結(jié)果的正確與否極大依賴于分析譜線的選取。因此,本研究選取8 mg·L-1的硅標準溶液作為調(diào)諧液,處于儀器最佳參數(shù)條件下,對不同的譜線進行觀察處理,實驗結(jié)果顯示251.611nm譜線的波峰形態(tài)保持穩(wěn)定且精密程度較好,因此本次實驗采用251.611nm的譜線來測試SiO2。

      2.2 儀器參數(shù)的優(yōu)化

      本研究選取8 mg·L-1SiO2為測試樣品,在實驗條件未變化的情形下,在發(fā)射功率、觀測高度、分析泵速和霧化器壓力條件不斷變化的條件下,分別測定實驗的光譜值,而后據(jù)此優(yōu)化調(diào)整儀器參數(shù)。

      2.3 標準曲線,相關(guān)系數(shù)及檢出限

      根據(jù)實驗所選擇的儀器最佳測定條件,依次測試濃度為的0.00、1.00、2.00、4.00、6.00、8.00和10.00 mg·L-1硅標準系列溶液,在光譜儀最佳工作條件下,測定標準溶液系列中Si元素的強度,繪制校準曲線,由計算機自動擬合曲線(圖1)。然后分別測定空白溶液10次,根據(jù)實驗結(jié)果值計算標準偏差,其結(jié)果見表2。

      2.4 精密度和準確度實驗

      在ICP-OES最佳測定條件下,按照實驗方法平行測定5個國家標準樣品10次,測試結(jié)果取均值,結(jié)果見表3。由下表看出,本次實驗中樣品的相對標準偏差均小于3%,能夠較好滿足二氧化硅的測試要求。

      3 結(jié)論

      本文選取電感耦合等離子體發(fā)射光譜法(ICP-OES)測定碳酸鹽巖中二氧化硅含量,通過使用氫氧化鈉對樣品進行熔樣處理,同時篩選分析譜線及優(yōu)化儀器工作參數(shù)等內(nèi)容,最終得到良好的實驗結(jié)果,能夠較好滿足大批量樣品分析需求,同時該方法具有實驗操作簡捷、和效率高等優(yōu)點,因此該實驗方法可作為測定碳酸鹽巖中二氧化硅含量的一種方法。

      【參考文獻】

      [1]王小強,楊惠玲.電感耦合等離子體發(fā)射光譜法測定鉻礦石中的二氧化硅[J]. 巖礦測試,2012,31(5):820-823.

      [2]馬艷梅,馬鑫.氟硅酸鉀容量法測定二氧化硅[J].遼寧建材,2005(2):47-48.

      [3]萬秉忠.等離子體發(fā)射光譜法測定鉻礦中的鐵、硅、鎂、鋁[J].光譜實驗室, 1991(Z1):76-78.

      [4]劉春,王丹,張翼明,等.高氯酸脫水-重量法結(jié)合電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法測定富鈮渣中二氧化硅[J].冶金分析,2014,34(9):29-33.

      [5]吳秀英,趙子龍,吳耀輝.甲基纖維素凝聚重量法測定二氧化硅[J].中國無機分析化學,2013,3(4):59-61.

      [6]劉麗娟,張娜,劉瑜,等.硅鉬黃分光光度法測定硅微粉中二氧化硅[J].冶金分析,2009,29(10):000063-65.

      [責任編輯:張濤]endprint

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