王玉巧，楊亞麗

（黃河科技學院，鄭州450063）

采用泄漏電流遞歸圖分析的盤形懸式玻璃絕緣子性能診斷

王玉巧1，楊亞麗2

（黃河科技學院，鄭州450063）

主要采用遞歸圖（recurrence plot，RP）分析法對架空輸電線路盤形懸式玻璃絕緣子進行性能診斷，分別對絕緣子設(shè)置不同長度的污穢層，通過加壓測量得出不同情況下的泄漏電流（leakage current，LC）。提取泄漏電流中的高頻分量，并在相空間進行遞歸圖重構(gòu)。實驗設(shè)置污穢程度為IV級，即嚴重污穢情況。結(jié)果表明，隨著污穢層長度的不斷增加，遞歸圖中的回歸點密度也相應升高，即絕緣子表面局部放電發(fā)生強度也相應升高。同時當污穢層長度超過一定數(shù)值后，遞歸圖出現(xiàn)白色帶狀，即絕緣子表面產(chǎn)生電弧放電。

盤形懸式玻璃絕緣子；遞歸圖；泄漏電流；電弧放電

0 引言

在電力系統(tǒng)中，絕緣子作為輸電線路與桿塔相連接的部分，成為了最廣泛使用的一次設(shè)備之一。絕緣子污穢是影響輸電線路安全穩(wěn)定運行的一個重要問題，環(huán)境污染十分容易對絕緣子產(chǎn)生影響。通常，污穢會在絕緣子表面形成一個導電層，特別在潮濕或下雨的氣候條件下，極易發(fā)生局部放電。在較為嚴重的污穢情況下甚至會產(chǎn)生電弧放電現(xiàn)象，引發(fā)絕緣子沿面閃絡。因此，國內(nèi)外學者對絕緣子的監(jiān)測診斷，以及抑制污穢沿面放電方面做了大量研究工作。

放電現(xiàn)象主要是由絕緣表面一個較大的電流產(chǎn)生，該電流即稱作泄漏電流。較為頻繁的放電現(xiàn)象會大大降低設(shè)備的使用壽命，并有可能產(chǎn)生擊穿，進而導致電力系統(tǒng)故障。因此，有較多文獻對泄漏電流信號的分析進行了研究[1－2]。在時域下對泄漏電流進行了信號提取分析，通過分析有效值，峰值，標準差等參數(shù)對絕緣子放電情況進行監(jiān)測[3－5]。則對泄露電流進行了頻域分析，經(jīng)過傅里葉變換得出多次諧波分量，并對鹽霧條件下絕緣硅橡膠的老化過程進行了研究[6－7]。對泄漏電流波形進行離散小波變換，以分析其在污穢條件下的性能變化；并對兩端電壓波形進行連續(xù)小波變換，研究其閃絡特性。然而，泄漏電流的時域和頻域信號均需要精確的分析方法，雖然上述這些經(jīng)典變換能夠提供大量數(shù)據(jù)參數(shù)，但無法對污穢絕緣子狀態(tài)進行快速精確的診斷[8]。

筆者提出采用遞歸圖法對污穢絕緣子進行性能診斷，采用絕緣子模型進行實驗分析得出泄漏電流波形數(shù)據(jù)，污穢層采用含鹽蒸餾水。通過離散小波變換提取泄漏電流的高頻分量，并計算得出不同污穢長度的遞歸拓撲圖，分析泄漏電流的強度和放電情況。該方法能夠有效監(jiān)測絕緣子運行狀態(tài)，從而對抑制和避免絕緣子沿面閃絡的發(fā)生具有重要意義。

1 遞歸圖理論

遞歸圖法是一種圖形化分析工具，1987年由XX瑞士學者Eckman提出[9]。將給定時域空間下的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成相空間的軌跡圖，以表明動態(tài)系統(tǒng)的性能特性。為得到遞歸圖，需對時域波形數(shù)據(jù)進行相空間重構(gòu)。根據(jù)塔肯斯嵌入定理，若x為需要重構(gòu)的時間序列，則重構(gòu)的x→由下式表示

式中：i=（0，1，2，…，N），N 為時間序列的長度；m為嵌入尺度，為采樣間隔。根據(jù)文獻[10]，m和τ分別設(shè)為 5，20。

因此，重構(gòu)信號的遞歸圖由矩陣Ri，j計算得出

根據(jù)文獻[10]，直接對泄漏電流數(shù)據(jù)進行重構(gòu)計算，得出的遞歸圖結(jié)果準確性較差。而從泄漏電流中提取出高頻分量后，得出的遞歸圖效果良好，準確性提高。因此，筆者采用離散小波變換（Discrete Wavelet Transform，DWT）對泄漏電流波形數(shù)據(jù)進行計算，提取其高頻分量進行分析，得出在25－50 kHz范圍內(nèi)的高頻信號。利用該高頻信號進行上述相空間重構(gòu)計算，得到該分量下的遞歸圖表。

2 實驗結(jié)構(gòu)

筆者實驗采用采用一臺額定參數(shù)為300kV/50kVA，50 Hz的高壓試驗變壓器，以及220/500 V，50 kVA，50 Hz的升壓變壓器。為記錄泄漏電流波形數(shù)據(jù)，采用500 MHz的泰克數(shù)字示波器進行波形記錄，如圖1所示，示波器接于2電阻兩端。實驗絕緣子模型采用玻璃平板，大小為500 mm×30 mm×0.003 mm。由鋁箔作為兩端電極，分別接于玻璃平板的高壓側(cè)與接地端，電極大小為500 mm×500 mm×5 mm。污穢物采用鹽溶液，由NaCl與蒸餾水混合組成，其表面導電率恒定為1.2mS/cm，該導電率對應污穢程度為最高IV級，旨在檢驗嚴重污穢下的絕緣子泄漏電流的發(fā)展過程和診斷效果。污穢主要分布于高壓電極側(cè)，污穢長度分別為 5，10，15，20，25cm。采用南京電氣集團生產(chǎn)的盤形懸式玻璃絕緣子，型號為LXY－120，該絕緣子主要用于220kV架空輸電線路桿塔，設(shè)置電極兩端垂直距離與該型號爬電距離一致，為320mm，實驗主要結(jié)構(gòu)圖見圖1。

圖1 實驗測試結(jié)構(gòu)Fig.1 Experimental test structure

3 實驗結(jié)果

3.1 泄漏電流分析結(jié)果

本節(jié)對不同污穢長度下的泄漏電流波形分別進行了分析，實驗樣品根據(jù)交流耐壓試驗標準，施加恒定電壓27 kVrms，圖2為泄漏電流及其高頻分量波形。

從圖中可以看出，在5 cm長度的污穢情況下，泄漏電流波形除了在4 000采樣點附近外，并無明顯畸變。相應高頻分量的幅值均較小，基本無突增脈沖，表明在該長度下絕緣子表面無放電現(xiàn)象。在10 cm長度的污穢情況下，通過對高頻分量的分析可以看出，其中有少量的突增脈沖發(fā)生，其強度也較小，表明在絕緣子表面存在強度較低的局部放電現(xiàn)象，該現(xiàn)象在正弦基波下無法看出，說明了提取高頻分量的必要性。對于15 cm長度的污穢情況，在4 000與9 000采樣點附近出現(xiàn)了較為明顯的放電脈沖，強度與正常高頻分量相差數(shù)倍，表明絕緣子表明出現(xiàn)小電弧放電現(xiàn)象，該現(xiàn)象在正弦基波圖也同樣明顯。

當污穢長度增加到20 cm后，泄漏電流波形與前述情況完全不同，不再呈現(xiàn)基本的正弦波形，而是在1 500，4 000，6 500和9 000采樣點附近產(chǎn)生多個幅值很大的脈沖。在高頻分量圖中同樣可以看出，其脈沖幅值可達1 mA以上，表明了電弧的發(fā)展與延長。最后，在25 cm長度的污穢情況下，泄漏電流波形在6 000-8 000以及8 500-9 000采樣點范圍內(nèi)，發(fā)生嚴重畸變，高頻脈沖幅值可到2 mA以上，表明絕緣子表面發(fā)生頻繁的高強度電弧。

圖2 不同污穢長度的泄漏電流及其高頻分量波形Fig.2 Leakage current and the high frequency component for different polluted layer lengths

3.2 遞歸圖分析結(jié)果

由于對泄漏電流的時域和頻域分析過程較為繁瑣，且對實驗結(jié)果和絕緣子狀態(tài)的判斷不夠精確。本節(jié)介紹了對泄漏電流進行高頻分量提取，并在相空間重構(gòu)的工作。遞歸圖矩陣通過式（2）計算得出，實驗結(jié)果如圖3所示。

圖3（a）為污穢長度5 cm的實驗情況，可見回歸點密度較為稀疏，表明絕緣子并無較明顯的放電現(xiàn)象。當污穢長度增加到10 cm，從圖3（b）可以看出回歸點數(shù)量和密度顯著增加，表明絕緣子表面存在一定數(shù)量的局部放電現(xiàn)象。當污穢長度繼續(xù)增加到15 cm，如圖3（c），回歸點更為密集，局部放電的數(shù)量和強度大幅升高。上述3種情況可以看出，在5，10和15 cm污穢長度下，所得的遞歸圖僅由隨機分布的回歸點組成，絕緣子表面僅存在局部小范圍放電情況。此外，這種均勻且隨機的回歸點分布表明泄漏電流基本呈正弦的動態(tài)特性，絕緣子處于安全運行狀態(tài)。

然而，將污穢長度增加至20 cm后，如圖3（d）所示，回歸點密度十分巨大，幾乎填滿整個遞歸圖，且出現(xiàn)白色帶狀。密集的回歸點分布表明絕緣子表面存在大量局部放電，較窄的白色帶狀現(xiàn)象則表明絕緣子表面出現(xiàn)了小電弧放電。圖3（e）為絕緣子污穢長度25 cm情況下的遞歸圖，回歸點密度較20 cm情況稍低，而白色帶狀的寬度大大增加，顯示有更多的局部放電發(fā)展為電弧，放電現(xiàn)象更為嚴重。上述兩種情況，即20 cm和25 cm污穢長度下，出現(xiàn)白色帶狀，說明回歸點不再呈均勻分布特性，泄漏電流波形發(fā)生嚴重畸變，白帶寬度增加說明電弧放電越劇烈，并可能導致沿面閃絡擊穿。

圖3 不同污穢長度泄漏電流高頻分量的遞歸圖Fig.3 Recurrent plot diagrams of leakage current high frequency component for different polluted lengths

4 結(jié)論

筆者采用了遞歸圖分析法，對盤形懸式玻璃絕緣子嚴重污穢情況下的運行情況進行了分析診斷。實驗采用玻璃平板的絕緣子模型，通過施加恒定電壓獲得其泄漏電流的波形數(shù)據(jù)。通過離散小波變換提取波形中的高頻分量，并在相空間進行重構(gòu)。在不同程度污穢條件下，通過計算得出表征絕緣子放電情況的遞歸圖，每種污穢條件均對應一個特定的回歸點分布拓撲。在污穢長度不大于15 cm時，遞歸圖中的回歸點密度較低，并未出現(xiàn)白色帶狀情況，說明僅存在少量局部放電。而當污穢長度超過15 cm后，遞歸圖中存在非常密集的回歸點，并出現(xiàn)白色帶狀，說明盤形懸式玻璃絕緣子表明局部放電和電弧放電現(xiàn)象均十分明顯。

綜上所述，遞歸圖分析法可以較為直觀地對泄漏電流的特性進行分析?；谛孤╇娏鞯倪f歸圖分析法是監(jiān)測污穢絕緣子運行狀態(tài)的有效手段，對避免沿面閃絡以及電力系統(tǒng)故障的發(fā)生具有重要意義。

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Performance Diagnose of Cap and Pin Glass Insulators Based on Leakage Current Recurrence Plot Analysis

WANG Yuqiao1，YANG Yali2
（Huanghe Science and Technology College，Zhengzhou 450063，China）

Recurrence plot analysis method is adopted to diagnose the performance of insulators.Different length of polluted layer is set to measure the corresponding leakage current under a constant applied voltage.The high frequency element is extracted to reconstruct a recurrence plot in phase space.The results show that，with the increase of the polluted layer length the regression point density of the recurrence plot also increase.It indicates that the partial discharge strength on the insulator surface also rises relatively.Moreover，when the polluted layer length exceeds the certain value，some white bands appear in the recurrence plot.This phenomenon indicates the occurrence of arc discharges on the surface of insulator.

cap and pin glass insulator；recurrence plot；leakage current；arc discharge

10.16188/j.isa.1003－8337.2017.03.035

2016－12－13

王玉巧（1980—），女，副教授，研究方向：電力系統(tǒng)及電子信息工程。

河南省科技攻關(guān)計劃項目（編號：142102210550）；鄭州市重點建設(shè)實驗室（編號：ZZLG201414）。