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      寬帶射頻功放晶體管非線性輸出電容研究

      2018-01-03 07:27:58王俊南京恒電電子有限公司
      數(shù)碼世界 2017年12期
      關(guān)鍵詞:高效率寬帶諧波

      王俊 南京恒電電子有限公司

      寬帶射頻功放晶體管非線性輸出電容研究

      王俊 南京恒電電子有限公司

      本文結(jié)合氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)非線性輸出電容Cout和寬帶功放效率之間的關(guān)系,研究非線性電路模型。結(jié)果表明:通過Cout對漏極端電壓電流進行控制,對諧波阻抗的精度要求較低,拓寬了高效率阻抗區(qū),有利于寬帶功放的匹配。采用GaN HEMT設(shè)計射頻功率放大器,通過實測驗證了該設(shè)計的可行性。

      射頻功率放大器 寬帶 非線性輸出電容

      自進入4G時代以來,人們對通信系統(tǒng)的效率和帶寬提出了越來越高的要求。射頻功率放大器作為無線通信系統(tǒng)的關(guān)鍵,其性能直接影響著系統(tǒng)整體性能,因此,研究設(shè)計高效率的射頻功率放大器具有重要意義。連續(xù)F類放大器作為傳統(tǒng)F類放大器的發(fā)展和延伸,其具有高效率、帶寬寬的特性[1]。本文進行了連續(xù)F類放大器電路中非線性輸出電容Cout的應用分析,并通過試驗驗證了基于Cout設(shè)計的連續(xù)F類放大器具備帶寬寬、效率高的特性。

      1 電容Cout的作用原理

      基于連續(xù)F類放大器理論,為了使連續(xù)F類效率最優(yōu),諧波和基波阻抗需符合下式要求[2]。

      上式中:τ—經(jīng)驗系數(shù),且-1<τ<1,Ropt—B類偏置下基波的最優(yōu)阻抗。

      通過ADS構(gòu)件非線性電容大型號模型,模型圖見圖1。則Cout的計算公式為:

      圖1 非線性電容模型電路

      將 A=1192.4,B=-0.059,C=-2.947 代入得到 Cout0=1.9。

      此模型可以便于理解連續(xù)F類功率放大器的寬帶機理, 也可以用此模型測定電壓電流的波形。從等效電流源測定具備非線性和線性電容的連續(xù)F類電壓電流的波形,非線性輸出電容的電壓波形幅度大于線性電容。另外,相比之下非線性輸出電容電流波形更類似于方形波,說明其在理論上更接近于功率較高的最優(yōu)效率波形。

      圖2顯示了從頻域?qū)ㄖ寥沃C波阻抗分析結(jié)果。由圖可知,由于線性電容三次諧波阻抗處于開路,因此其電流波形產(chǎn)生的分量最小。公式(2)表示了二次諧波阻抗,所以具有線性電容漏極電流波形與理想的連續(xù)F類電流波形較為相似。依據(jù)非線性電容阻抗可知,三次諧波不需要滿足開路的狀態(tài),而且由于非線性電容所產(chǎn)生的諧波使得各次的諧波阻抗均分布在圓周的負半部分。因此而降低了不同波間的重疊,功耗降低,功率提高。圖2還顯示了由于非線性電容的存在,降低了基波電壓電流波形間的相位差,因此功率損耗減低,輸出效率提升。由上述可得,將外部合適諧波阻抗與非線性電容相組合,可以拓寬諧波終端的阻抗范圍,并在該范圍中找到更大的功率和效率。

      圖2 基波和諧波阻抗隨功率變化頻域圖

      基于ADS的諧波牽引,通過對具有線性Cout以及非線性電容的大信號模型仿真對比,得到同樣高效率條件下,非線性電容對于精度的要求更低。另外,非線性輸出電容Cout對于漏極端波形的控制非常關(guān)鍵,因此,可以忽略漏極端諧波阻抗的精確性,簡化整體設(shè)計。

      利用非線性輸出電容構(gòu)件連續(xù)F類放大器模型,使得模型在諧波阻抗變化中更穩(wěn)定。參照這一結(jié)論,有利于高效率寬帶功率放大器的設(shè)計。

      2 連續(xù)F類功率放大器的設(shè)計

      設(shè)計一種連續(xù)F類功放,用于驗證原理,并仿真分析。其工作頻寬為2—3GHz,配置Rogers基板,介電常數(shù)為3.65,板厚度為30mil,所用的晶體管為GaN HEMT CGH40010F。仿真的主要目的是為了找到二三次諧波阻抗對應最優(yōu)效率時的范圍。實測得到4—9GHz頻寬范圍中,阻抗點均分布在高效率范圍內(nèi)。圖3顯示了功放的效率和功率以及其增益曲線的實測值,當輸入功率為28dBm,Vgs為-3.4V,Vds為28V時,頻寬為2—3GHz范圍內(nèi),40%帶寬的功率大于40dBm,效率高于65%,增益范圍保持在10—12dB,實現(xiàn)了高效率和高功率同步輸出。2.1GHz處PAE達到最大值78.5%,輸出功率為41.00dBm。

      圖3 功率放大器實測效率曲線

      3 結(jié)語

      以建立模型的方式進行了非線性和線性輸出電容控制波形比較,驗證了非線性輸出電容對于連續(xù)F類功率放大器設(shè)計的重要性。在2—3GHz頻寬范圍內(nèi),證明了功放設(shè)計的可靠性。期望為4G時代數(shù)據(jù)的高效率、低功耗傳輸發(fā)展研究提供參考。

      [1]Tuffy N, Guan L, Zhu A, et al. A Simplified Broadband Design Methodology for Linearized High-Efficiency Continuous Class-F Power Amplifiers[J]. IEEE Transactions on Microwave Theory & Techniques, 2012, 60(6):1952-1963.

      [2]Tasker P J, Benedikt J. Waveform Inspired Models and the Harmonic Balance Emulator[J]. Microwave Magazine IEEE,2011, 12(2):38-54.

      王俊,1978.11,男,漢,南京,大專,助理工程師,目前從事微波射頻電路方面的研究。

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