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      復(fù)合絕緣子的應(yīng)用及關(guān)鍵技術(shù)分析

      2018-03-27 14:20王海月
      科學(xué)與技術(shù) 2018年7期
      關(guān)鍵詞:關(guān)鍵技術(shù)分析應(yīng)用

      王海月

      摘要:因?yàn)閺?fù)合絕緣子具有較為優(yōu)質(zhì)的耐污閃性能,所以在輸電線路中的應(yīng)用極為常見,尤其是對于高壓輸電線路而言,多數(shù)都在其中應(yīng)用了復(fù)合絕緣子。本文主要從復(fù)合絕緣子在我國的應(yīng)用現(xiàn)況展開研究,對其關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行重點(diǎn)分析。

      關(guān)鍵詞:復(fù)合絕緣子;應(yīng)用;關(guān)鍵技術(shù);分析

      就復(fù)合絕緣子應(yīng)用初始階段而言,我國電力運(yùn)行部門針對復(fù)合絕緣子應(yīng)用于500kV電壓輸電線都是經(jīng)過深思熟慮以后才做出的決定,并持有高度重視,其中對運(yùn)行經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行了重點(diǎn)強(qiáng)調(diào),所以便在美國、德國等多家復(fù)合絕緣子廠內(nèi)購買了大量的復(fù)合絕緣子掛網(wǎng)運(yùn)行,在此之后,我國500kV復(fù)合絕緣子也逐漸掛網(wǎng)運(yùn)行。歷經(jīng)十幾年的應(yīng)用,根據(jù)運(yùn)行實(shí)踐的效果可以看出,我國生產(chǎn)的復(fù)合絕緣子的實(shí)際質(zhì)量并沒有與國外進(jìn)口的質(zhì)量相差很多,并且無論是交貨時(shí)間以及成本造價(jià)等,國產(chǎn)復(fù)合絕緣子都進(jìn)口的相比具有較強(qiáng)的優(yōu)勢。

      一、復(fù)合絕緣子在我國的應(yīng)用現(xiàn)況

      按數(shù)據(jù)表明,我國現(xiàn)階段110kV以上的輸電線路所應(yīng)用的復(fù)合絕緣子掛網(wǎng)運(yùn)行的實(shí)際數(shù)量早已高于500萬支,已經(jīng)超越美國,位居世界第一位。事實(shí)上,我國在高壓輸電線路中應(yīng)用復(fù)合絕緣子主要是為了進(jìn)一步提升輸電線路的耐污閃性能,而后選取的原因逐漸豐富,早已不限于污穢區(qū)域的應(yīng)用,其中降低線路維護(hù)作業(yè)量,搶修便捷,成本造價(jià)較低等多種原因均是廣泛應(yīng)用復(fù)合絕緣子的主要因素?;诜N種因素都促使復(fù)合絕緣子輸電線路成為當(dāng)下及未來的發(fā)展趨勢?,F(xiàn)階段我國特高壓輸電線多數(shù)都是利用的復(fù)合絕緣子,之所以選其的主要原因不但是為了提升特高壓線路的耐污閃性,還因?yàn)槠淇梢杂行Эs小桿塔尺寸,減少工程成本造價(jià)。

      二、我國復(fù)合絕緣子的運(yùn)行現(xiàn)況

      對于我國復(fù)合絕緣子的主要事故多數(shù)都是由芯棒斷裂、芯棒脆斷與界面問題所造成的故障,與世界級相關(guān)統(tǒng)計(jì)最終結(jié)果相一致。固然復(fù)合絕緣子在實(shí)際運(yùn)行過程中所發(fā)生的事故率極低,然而針對已經(jīng)發(fā)生的事故問題必須持有高度重視。

      眾所周知,復(fù)合絕緣子芯棒斷裂與芯棒脆斷的兩種脆斷形態(tài)完全不一致,通常芯棒脆斷的斷口橫截面毀較為平整,又或者呈現(xiàn)出階梯形態(tài)。而芯棒斷裂的斷口橫截面則與之相反,斷口不具備平整性,且呈現(xiàn)出掃束形態(tài)。多數(shù)情況下,芯棒斷裂與芯棒脆裂兩種形態(tài)在復(fù)合絕緣子運(yùn)行過程中都極有可能發(fā)生。通常認(rèn)為復(fù)合絕緣子芯棒脆斷問題的出現(xiàn)與設(shè)備符合之間的聯(lián)系相對較低,但是與復(fù)合絕緣子傘裙護(hù)套的嚴(yán)密性以及是否有潮氣深入都具有極為緊密的聯(lián)系,而復(fù)合絕緣子芯棒斷裂形態(tài)與設(shè)備負(fù)荷之間聯(lián)系較大,尤其是與動態(tài)負(fù)荷之間的關(guān)系更為緊密。

      針對復(fù)合絕緣子芯棒脆斷事故的發(fā)生原理而言,應(yīng)力腐蝕理論的出現(xiàn)受到許多學(xué)者的一致認(rèn)同,在應(yīng)力腐蝕理論中表明,復(fù)合絕緣子在實(shí)際運(yùn)行過程中因?yàn)槟撤N因素,促使某種酸性介質(zhì)附著復(fù)合絕緣子表面或是深入其內(nèi)部,甚至該酸性介質(zhì)原本就出自于芯棒內(nèi)部,從而致使復(fù)合絕緣子芯棒需要在承受酸性介質(zhì)腐蝕的同時(shí),還需要承受酸性介質(zhì)的應(yīng)力,換而言之,也就是復(fù)合絕緣子芯棒承受應(yīng)力腐蝕。雖然在此時(shí)的復(fù)合絕緣子芯棒已經(jīng)承受的負(fù)荷不會對其在運(yùn)行過程中造成影響,然而因?yàn)槠溟L期屬于酸蝕環(huán)境,那么其芯棒所承受的應(yīng)力腐蝕必然會發(fā)生變化,由此導(dǎo)致復(fù)合絕緣子發(fā)生芯棒斷裂事故。

      三、復(fù)合絕緣子影響傘裙形狀的主要因素

      多數(shù)而言,許多學(xué)者都覺得復(fù)合絕緣子其傘裙形狀相對簡單,對于復(fù)合絕緣子而言,傘裙結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)對其污閃電壓造成的影響相對較小,但是根據(jù)大量的研究結(jié)果可知,傘裙結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)不但會對復(fù)合絕緣子污閃電壓產(chǎn)生影響,并且還會產(chǎn)生較為嚴(yán)重的影響。通過與多個(gè)復(fù)合絕緣子生產(chǎn)廠家的長期合作,已經(jīng)設(shè)計(jì)完成30多種不同結(jié)構(gòu)傘裙形狀的試驗(yàn)品,并且于昆明超高壓試驗(yàn)站展開試驗(yàn),其中主要采取恒壓升降法對各類試驗(yàn)品展開直流污閃的相關(guān)實(shí)驗(yàn)。根據(jù)不同結(jié)構(gòu)傘裙形狀的傘間距離對污閃電壓造成影響的最終試驗(yàn)結(jié)果表明,當(dāng)大傘間的距離處于10cm的時(shí)候,復(fù)合絕緣子的實(shí)際污閃電壓較其他相比最高,并且當(dāng)傘平均伸出8cm的時(shí)候,相應(yīng)的復(fù)合絕緣子的污閃電壓較其他相比最高。根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,就復(fù)合絕緣子傘裙形狀而言,還存在著較大可以優(yōu)化與完善的改良空間。

      四、復(fù)合絕緣子關(guān)鍵技術(shù)在運(yùn)行狀態(tài)監(jiān)測中的應(yīng)用

      就復(fù)合絕緣子運(yùn)行狀態(tài)的監(jiān)測而言,其中主要包含外觀檢查,查看復(fù)合絕緣子運(yùn)行過程中有誤出現(xiàn)裂紋、粉化、龜裂以及燒蝕問題,與此同時(shí)還可以對復(fù)合絕緣子表面的實(shí)時(shí)憎水狀態(tài)進(jìn)行觀測。近些年受到大力宣傳的紫外圖像監(jiān)測以及紅外圖像監(jiān)測的應(yīng)用極為廣泛,對于許多復(fù)合絕緣子內(nèi)許多經(jīng)典的隱患都能夠快速呈現(xiàn)出來。通常而言,若是復(fù)合絕緣子中存在隱患,那么在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)利用監(jiān)測設(shè)備所拍下的紫外圖像與紅外圖像都會特別明顯的呈現(xiàn)出破損位置。但是,針對紫外監(jiān)測以及紅外監(jiān)測而言,其在對輸電線路巡查工作中所取得的成果更為成功。除此之外,配置紫外成像儀、紅外成像儀與可見光觀測儀的相關(guān)直升機(jī)工作也已經(jīng)積累了一定的經(jīng)驗(yàn),同時(shí)已經(jīng)逐漸開始在高壓線路、超高壓線路中所應(yīng)用,其主要用于對復(fù)合絕緣子的運(yùn)行弊端進(jìn)行全方位的監(jiān)測。

      結(jié)束語

      綜上所述,本文主要針對復(fù)合絕緣子的應(yīng)用及關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行分析,從我國復(fù)合絕緣子的應(yīng)用現(xiàn)況以及運(yùn)行現(xiàn)況著手,對影響復(fù)合絕緣子傘裙形狀的主要元素以及關(guān)鍵技術(shù)在運(yùn)行狀態(tài)監(jiān)測中的應(yīng)用進(jìn)行探討與分析,希望能進(jìn)一步推動復(fù)合絕緣子的發(fā)展,僅供參考。

      參考文獻(xiàn)

      [1]曹峻瑀.淺談復(fù)合絕緣子的應(yīng)用[J].大科技,2016(35):143.

      [2]王磊.復(fù)合絕緣子的應(yīng)用及關(guān)鍵技術(shù)研究[J].城市建設(shè)理論研究(電子版),2015,5(36):1258-1259.

      [3]關(guān)志成,彭功茂,王黎明,等.復(fù)合絕緣子的應(yīng)用及關(guān)鍵技術(shù)研究[J].高電壓技術(shù),2011,37(3):513-519.

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