“高質(zhì)量第三代半導(dǎo)體材料關(guān)鍵技術(shù)”取得突破

第三代半導(dǎo)體材料是提升新一代信息技術(shù)核心競爭力的重要支撐，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，因具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、能源互聯(lián)網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。近日，科技部高新司在北京組織專家組對“十二五”國家863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域“高質(zhì)量第三代半導(dǎo)體材料關(guān)鍵技術(shù)”主題項(xiàng)目進(jìn)行了驗(yàn)收。

該項(xiàng)目突破了高質(zhì)量6英寸4H-SiC單晶襯底、高質(zhì)量4英寸GaN自支撐襯底、6-8英寸Si襯底上GaN基電子材料與器件、綠光發(fā)光器件用高In組分氮化物外延生長、深紫外發(fā)光器件用高Al組分氮化物外延生長等核心關(guān)鍵技術(shù)，完成了2英寸GaN自支撐襯底的規(guī)?；a(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了高Al組分AlGaN基深紫外光泵浦激射，開發(fā)了基于鈣鈦礦氧化物材料的紫外光電探測器件原型。項(xiàng)目為我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，對支撐我國新一代信息技術(shù)、節(jié)能環(huán)保等產(chǎn)業(yè)發(fā)展以及國防建設(shè)具有重大意義。

“十三五”期間，為進(jìn)一步推動(dòng)我國材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，科技部制定了《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》，將“戰(zhàn)略先進(jìn)電子材料”列為發(fā)展重點(diǎn)之一，以第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明、新型顯示為核心，以大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料為重點(diǎn)，推動(dòng)跨界技術(shù)整合，搶占先進(jìn)電子材料技術(shù)的制高點(diǎn)。

（來源：http：//www.most.gov.cn/kjbgz/201803/t20180320_138682.htm）