林興浩 尚學峰

（廣東省科學技術情報研究所，廣州510006）

1 引言

電力電子技術是對電能進行高效產(chǎn)生、傳輸、轉換、存儲和控制的技術。電力電子器件則是電力電子技術的“核心”，用于實現(xiàn)電能高效轉換的開關控制，其發(fā)展經(jīng)歷了以晶閘管為核心的第一階段、以金屬 －氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）為代表的第二階段，現(xiàn)在正進入以新型電力電子器件（第三代寬禁帶半導體器件）為核心的新發(fā)展階段［1］。相比于傳統(tǒng)的硅基電力電子器件，以SiC和GaN基為代表的第三代半導體功率器件因具備更高的擊穿電壓、熱導率、電子飽和漂移速率和抗輻射能力［2-4］，目前正逐步在微波射頻［5，6］、新一代移動通信［7］、新能源汽車［8，9］、有軌列車［10］及國防［11］等領域嶄露頭角，有望滿足目前科技快速發(fā)展的技術需求并突破能源環(huán)境危機引起的技術瓶頸，已成為先進國家／地區(qū)爭先布局的重點領域。技術領先國家美國、日本、德國等近期相繼制定相關規(guī)劃，不斷加強SiC和GaN基功率器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，擬從材料生長、器件制備、封裝應用等全產(chǎn)業(yè)鏈進行重點布局，全力搶占該領域的技術制高點［12-14］。近年來，我國新型電力電子器件在國家大力支持下也實現(xiàn)了“從無到有”的突破，并在若干領域取得了重大進展，如6英寸硅基GaN晶圓生長技術及其相關器件的產(chǎn)業(yè)化水平現(xiàn)已逐步接近國際先進水平［15］。

目前，國外先進地區(qū)在硅基功率器件領域已形成較高的技術壁壘，2018年4月“中興事件”的爆發(fā)揭示了國內(nèi)在高端射頻、通信等功率器件領域仍處于受制于人的困境。相比較而言，全球各主要國家在SiC和GaN基功率器件領域正處于爭先發(fā)展布局的現(xiàn)狀，仍未形成較高技術屏障。因此，國內(nèi)有望在該領域突破先進地區(qū)對功率器件領域的技術封鎖，并實現(xiàn)趕超。

科技文獻是科技人員獲取科技知識的捷徑和政府管理部門研究科技發(fā)展規(guī)律及趨勢的重要載體，可為揭示和預測技術的發(fā)展趨勢及制定技術發(fā)展規(guī)劃提供重要信息參考［16-19］。論文和專利都是可獲取的重要公開科技文獻，分別反映了技術的原始性創(chuàng)新（基礎研究和應用基礎研究）和應用性創(chuàng)新（產(chǎn)業(yè)化研究）。通過論文分析可以得到技術的原始性創(chuàng)新態(tài)勢，深入了解到技術知識的萌芽、發(fā)展及細分知識領域產(chǎn)生的情況，而通過專利分析可以得到技術應用創(chuàng)新態(tài)勢，掌握技術知識進一步改善及被產(chǎn)業(yè)化應用的情況。可以說，技術領域的原始性創(chuàng)新為后續(xù)的應用型創(chuàng)新提供了重要的技術源支撐。因此，本論文將從原創(chuàng)性知識創(chuàng)造的角度，基于論文計量方法初步分析國內(nèi)外新型電力電子領域的知識創(chuàng)新情況，為有關研究機構和政府機構掌握該領域的知識創(chuàng)新態(tài)勢及完善技術研究方向與規(guī)劃提供信息參考。

2 數(shù)據(jù)獲取及分析

本文分析的科技文獻來源于美國ISI Web of Knowledge平臺 SCIE數(shù)據(jù)庫。檢索式為 TS＝（GaN OR＂gallium nitride＂or＂silicon carbide＂or SiC）and TS＝（＂power semiconductor＂or＂power device＂or＂power electronics＂or＂power diode＂or＂thyristor＂or＂switch＂or＂transistor＂or＂ampli-fier＂or＂inverter＂or＂MOSFET＂or＂IGBT＂or＂JFET＂or＂HEMT＂）。檢索時間范圍為 1990—2017年，文獻類型為 Article、Letter和 Review，語言為English，檢索時間為2018年2月25日，共檢索得到6987篇論文。檢索結果將中國香港和中國澳門的統(tǒng)計文獻納入中國大陸的統(tǒng)計，而中國臺灣地區(qū)的文獻則單獨統(tǒng)計。

本文對科技文獻采用計量分析和文本分析得到全球新型電力電子器件領域的研究態(tài)勢。首先，利用 ISI Web of Science統(tǒng)計分析功能及Thomson Data Analyzer（TDA）、Microsoft Excel、Origin 8．0等軟件工具對檢索數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計分析，得到該領域全球整體發(fā)文趨勢、重點高產(chǎn)國家／地區(qū)態(tài)勢、高產(chǎn)機構情況等。其次，通過VOSviewer軟件對檢索文獻的內(nèi)容進行共現(xiàn)、聚類分析，得到該領域的主要研究熱點及全球國家與機構的合作情況。最后，針對全球新型電力電子器件領域主要高產(chǎn)國家／地區(qū)，通過選取若干重要指標進行標準化計算，初步對比了主要高產(chǎn)國家／地區(qū)的創(chuàng)新水平，從一定程度上了解該學科的布局情況。

圖1 1990—2017年全球新型電力電子領域的論文年發(fā)表趨勢Fig．1 The trend of paper publication in advanced power electronic device within 1990-2007

3 結果與討論

3．1 整體發(fā)展態(tài)勢分析

3．1．1 全球論文總體概述

檢索結果表明，全球新型電力電子器件領域在1990—2017年間共發(fā)表了6987篇論文，其年度發(fā)文趨勢如圖1所示。早在20世界90年代初，國外的Carter、Nakamura和Strite等科學家在SiC和GaN寬禁帶材料的生長及其在高頻、高功率電子器件的應用方面取得了突破，并對材料的晶體、電子結構與器件的物理化學性能進行系統(tǒng)研究，由此開啟了該領域的研究熱潮［20-22］。但2000年以前，因科研條件限制，仍主要處于理論研究和材料制備探索階段，直至1999年，全球年發(fā)文量才突破100篇。進入21世紀以來，隨著無線通信容量增加和多信道化的發(fā)展要求，以及光伏、智能電網(wǎng)等領域的低能耗需求，具備高頻、高功率和耐高溫高壓的新型寬禁帶半導體材料及器件受到極大關注。特別是GaN基光電子器件的成功應用［23］，更是激勵了各國加強對新型電力電子器件領域研究的支持力度，持續(xù)產(chǎn)出科研成果。其中，全球2017年在新型電力電子期間領域共發(fā)表了821篇論文，比2013年的發(fā)文量增加近一倍。該現(xiàn)象表明近幾年新型電力電子器件領域仍是全球科學家重點關注的研究方向，并取得了突破性進展。

3．1．2 全球主要產(chǎn)出國家／地區(qū)概述

通過對新型電力電子領域檢索的6987篇論文進行地區(qū)分析，發(fā)現(xiàn)全球共有18個國家／地區(qū)的發(fā)文量超過100篇（如圖2）。其中，美國和日本作為新型電力電子器件應用的發(fā)源地，一直高度重視寬禁帶半導體材料生長制備和器件應用的技術積累，分別以發(fā)表2234篇和947篇論文位于全球前兩位。隨后，中國大陸在國家近幾年的大力支持下，在該領域也取得了較多研究成果，以894篇論文產(chǎn)出排在第三位。位于前十八位的國家／地區(qū)主要集中在歐洲、亞太、北美等地區(qū)。

圖2 全球新型電力電子領域發(fā)文量超過100篇的國家／地區(qū)Fig．2 The main country／region with more than 100 papers published for advanced power electronic device

圖3 發(fā)文量超過400篇的主要國家／地區(qū)年發(fā)文量變化趨勢Fig．3 The trend of paper publication for the main country／region with more than 400 papers published

圖3對比了高產(chǎn)國家／地區(qū)（發(fā)文量超過400篇）的年度發(fā)文趨勢，發(fā)現(xiàn)美國和日本在2010年之前在新型電力電子領域的發(fā)文量具有明顯的優(yōu)勢。兩國在該領域的技術積累為其產(chǎn)業(yè)水平至今保持全球領先提供了重要原始創(chuàng)新支撐［15］。在國家近期宏觀政策的大力支持下［12］，中國大陸的新型電力電子器件領域年發(fā)文量在2010年后得到突破性增長，超過日本位居全球第二，近幾年的年均增幅超過美國排在全球第一。另外，德國、法國和韓國等國家則在該領域一直保持著持續(xù)研究趨勢，年發(fā)文量也保持著穩(wěn)定的增長。

對比主要高產(chǎn)國家／地區(qū)的科研產(chǎn)出核心指標（表1）可以看到，美國在各項指標中均遙遙領先，表明其不僅產(chǎn)出的科研成果（發(fā)文量）最多，而且整體質量（被引次數(shù)、h－index因子和ESI高被引論文）也遠高于其余五個國家／地區(qū)。日本則在各項指標中僅次于美國，位居第二。中國大陸的科研產(chǎn)出雖然位于全球第三，具備了一定科研規(guī)模，但整體科研產(chǎn)出質量要明顯低于美國、日本和德國等國家，表明我國具有前沿創(chuàng)新性成果的積累仍與先進國家存在一定差距。

表1 發(fā)文量超過400篇的國家／地區(qū)科研產(chǎn)出和質量核心指標對比Tab．1 Comparison of core indicators of scientific research output and quality among the main country／region with more than 400 papers published

經(jīng)過近二十年的技術積累，全球新型電力電子器件領域目前已初步具備產(chǎn)業(yè)化應用基礎，其中美國在碳化硅領域全球獨大，Cree和道康寧等公司占據(jù)全球超過70%的碳化硅市場規(guī)模；日本憑借雄厚的技術積累，目前也已形成較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈，重點布局GaN材料及器件；而歐洲則在器件的設計和開發(fā)方面具有一定優(yōu)勢［12］。相比之下，我國新型電力電子器件領域的基礎技術積累不足，但在近期的政策和資金支持下，取得了快速的進步，并為產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展提供了一定基礎［15］。可以說，目前全球新型電力電子器件領域已逐步形成美國、歐洲、日本三足鼎立，中國奮力追趕的產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢。

3．1．3 國內(nèi)外主要機構概述

表2 全球發(fā)文量大于100篇的核心機構Tab．2 The main institutions with more than 100 papers published around the world

全球新型電力電子器件領域發(fā)文量超過100篇的高產(chǎn)機構共有15家（表2），主要集中在美國（7家）、中國大陸（4家）、法國（3家）、俄羅斯（1家）和日本（1家）等國家／地區(qū)。其中，法國國家科學研究中心以278篇論文位居首位。另外，值得關注的是，美國高產(chǎn)機構中包含了國防部、能源部、美國海軍實驗室等國家軍工研究機構，表明美國新型電力電子器件領域的研究成果相當一部分是來自于國家軍工領域的科研機構，這與美國二戰(zhàn)期間以及之后持續(xù)加強軍民技術融合發(fā)展具有很大關系，這也是美國創(chuàng)新體系演變過程的具體表現(xiàn)［24］。

在新型電力電子器件領域，國內(nèi)僅有6家機構的SCI發(fā)文量進入全球前一百位（表3）。其中，中國科學院、西安電子科技大學、電子科技大學和香港科技大學的發(fā)文量均超過100篇，位于全球前十，共發(fā)表了591篇論文，占了全國論文總量的65．9%。這表明國內(nèi)開展新型電力電子器件領域基礎研究的整體布局較為集中。另外，北京大學和河北半導體研究院也具備了一定的基礎研究能力。

表3 國內(nèi)主要機構發(fā)文數(shù)Tab．3 The paper publication of main institutions in China Mainland

3．2 研究熱點分析

3．2．1 全球研究熱點概述

圖4 全球電力電子器件領域的研究熱點Fig．4 The research hotspots in power electronics field advanced power electronic device around the world

本文通過統(tǒng)計全球在新型電力電子器件領域發(fā)表論文中高頻出現(xiàn)的熱點詞（圖4），并結合其研究特點，總結了該領域科學家關注的幾點重要研究方向（表4）：一是寬禁帶半導體核心材料的外延生長及其動力學機理性研究；二是碳化硅基高功率電力電子器件模組的開發(fā)及其在變流器、整流器、轉化器等領域應用的性能優(yōu)化；三是氮化鎵基高頻功率供電模組器件技術的開發(fā)，包括器件性能優(yōu)化機理研究和器件在功率放大器領域應用的性能優(yōu)化兩方面。研究熱點聚類分析結果表明，該領域的研究主要包含了關鍵材料（氮化鎵和碳化硅）外延生長的基礎研究、器件性能優(yōu)化及創(chuàng)新應用的應用基礎研究兩大類。

表4 全球電力電子器件領域主要研究熱點及高頻關鍵詞Tab．4 The main research hotspots and high frequency key words in power electronics field advanced power electronic device around the world

表5 美國、日本和中國大陸的主要研究熱點及高頻關鍵詞Tab．5 The main research hotspots and high frequency key words for the USA，Japan，China Mainland

在關鍵材料外延生長方面，美國的碳化硅外延生長研究具有絕對領先地位，其中Cree公司的碳化硅單晶材料技術水平可代表國際頂尖水平，目前已實現(xiàn)4～6英寸碳化硅材料的規(guī)?；a(chǎn)［25］；而日本則在氮化鎵同質外延方面具有較雄厚的技術積累，其中名古屋大學、日亞化學等機構早在20世紀90年代初便突破了氮化鎵外延生長技術［23］。在新型電力電子器件創(chuàng)新應用方面，美國、日本和歐洲目前具備較強創(chuàng)新實力，在SiC MOSFET及功率模塊、GaN HEMT微波功率器件等領域取得重要突破［25，26］。我國開展碳化硅、氮化鎵材料和器件方面的研究工作比較晚，整體研究水平相對較低，但中科院、北京大學和香港科技大學等機構近期在關鍵材料的制備和器件封測技術等領域取得了一定成績［15］。

3．2．2 主要國家研究熱點對比

通過統(tǒng)計美國、日本和中國發(fā)表論文的高頻關鍵詞，可對比全球主要國家在該領域的研究特征（表5）。美國能源部、佛羅里達州立大學等機構均開展了氮化鎵和碳化硅材料外延技術研究，一直處于全球領先地位，并衍生Cree、CPI等企業(yè)；同時，美國也重點開展了碳化硅基變流器、整流器的應用研究和氮化鎵場效應晶體管性能研究。日本在藍寶石基關鍵材料異質外延生長及動力學研究積累了雄厚的技術基礎，并在碳化硅及功率器件的界面、電子遷移性質研究和氮化鎵基功率放大器性能優(yōu)化、機理性研究等方面取得一定成果突破。相比之下，中國在關鍵材料外延生長方面仍處于優(yōu)化工藝階段，并僅在氮化鎵基高電子遷移率晶體管性能優(yōu)化及在功率放大器的應用研究方面取得一定成果，而對碳化硅材料外延和相關器件制備的研究較為缺乏。

3．3 全球合作網(wǎng)絡分析

3．3．1 全球主要國家／地區(qū)合作網(wǎng)絡

全球電力電子器件領域主要高產(chǎn)國家／地區(qū)的合作網(wǎng)絡，（圖5、表6）呈現(xiàn)以下兩個特征：一是北美與東亞主要國家／地區(qū)形成緊密合作關系，這主要是由于上述國家之間科研人員的交流較為緊密，相互之間科研項目合作也相對較多，因此逐步形成領域研究聚類。二是歐洲國家內(nèi)部形成3個主要合作集群（表6），而俄羅斯在該領域的研究較為獨立，與其它國家／地區(qū)的合作關系并不緊密，這可能與其大學科研人員對外交流不多有關。從全球的國家／地區(qū)合作網(wǎng)絡來看，該領域的科研合作網(wǎng)絡主要分為“北美-亞洲”和“歐洲”兩大區(qū)域分布，美國和日本為連接兩大區(qū)域分布的重要節(jié)點，這與兩國較為強大的科研實力相關。而美、日兩國與各主要國家緊密的合作關系，也為其加快吸收該領域最新研究成果、推動本國新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展提供了重要技術支撐。

表6 全球主要國家／地區(qū)合作情況Tab．6 Cooperation among main countries in the world

圖5 全球發(fā)文量超過50篇的主要國家／地區(qū)合作網(wǎng)絡圖Fig．5 Cooperative network among the main countries with more than 50 papers published around the world

3．3．2 全球主要機構合作網(wǎng)絡

全球電力電子器件領域主要高產(chǎn)機構的合作網(wǎng)絡（圖6、表7）主要呈現(xiàn)以下特征：一是我國大陸與臺灣地區(qū)的高產(chǎn)機構合作較為緊密；二是瑞典、法國、荷蘭、俄羅斯等國主要高產(chǎn)機構與美國的加州大學圣塔芭芭拉分校開展了較為緊密的合作研究；三是美國本土主要高校與日本的名古屋大學、產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所以及新加波的南洋理工大學交流相對比較多，形成了相應的合作網(wǎng)絡。值得注意的是，該領域的合作網(wǎng)中并沒有美國國防部、能源部和美國海軍實驗室等高產(chǎn)機構，說明上述機構可能因為涉密等原因較少與其它機構合作公開發(fā)表論文。

圖6 全球發(fā)文量超過60篇的主要機構合作網(wǎng)絡圖Fig．6 Cooperative network diagram among the main institutions with more than 60 papers published around the world

表7 全球主要機構合作情況Tab．7 Cooperation among main institutions in the world

3．4 主要國家創(chuàng)新指標分析

本文通過選取全球前六的主要高產(chǎn)國家／地區(qū)總發(fā)文量、總被引數(shù)、h-index因子、ESI高被引論文數(shù)和高產(chǎn)機構數(shù)（TOP 50）等五個指標進行標準化計算，以此來對比新型電力電子器件領域主要國家／地區(qū)開展基礎研究的各項創(chuàng)新指標值，從一定程度上綜合分析各主要國家的創(chuàng)新水平。各指標標準化計算公式如式（1）［18］所示。

其中，Aij代表第i個國家在第j個指標的標準分，xij代表第i個國家在第j個指標的數(shù)值，xj代表所有國家在第j個指標的平均值，T代表國家總數(shù)，Ai代表第i個國家的綜合得分。

通過標準化計算，得到如表8所示的主要國家各項指標的標準化數(shù)值，主要呈現(xiàn)以下特征：一是美國處于絕對領先地位，各項指標均明顯高于其余幾個國家，五項指標綜合得分為15．58，接近于第二名日本的3倍，表現(xiàn)出強大的基礎研究水平，這也是其產(chǎn)業(yè)水平能長期領先全球的重要支撐之一。二是日本、中國大陸和德國處于第二集團，各國在該領域的研究態(tài)勢各具特點。日本基于20世紀80年代快速發(fā)展起來的電力電子器件產(chǎn)業(yè)［27］，以及寬禁帶半導體材料在可見光等領域取得的突破［23］，加快推動了新型寬禁帶材料在電力電子領域的應用研究，并取得重要原創(chuàng)新研究成果。日本各項指標及綜合得分均位于全球第二，在第二集團中處于明顯領先地位。中國則憑借近幾年政府的大力支持，以及龐大的市場需求，在發(fā)文量及ESI高被引論文數(shù)取得重大突破，均排在全球第三。但論文被引總數(shù)及h-index因子兩項指標相對較低，與美國、日本等仍具有較為明顯的差距。德國的論文被引總數(shù)及h-index因子兩項指標表現(xiàn)較為強勢，均僅次于美國和日本，但論文發(fā)表數(shù)稍微較少，仍有進一步提升空間。三是法國、韓國處于該領域基礎研究實力第三集團，表現(xiàn)出一定的研究能力。

表8 新型電力電子器件領域主要國家／地區(qū)的綜合創(chuàng)新能力分析Tab．8 Analysis on the comprehensive innovation capability of main countries in advanced power electronic device

4 結論及建議

本文基于美國 ISI Web of Knowledge平臺SCIE數(shù)據(jù)庫，采用文獻計量的方法對全球新型電力電子器件領域發(fā)表的科技論文進行系統(tǒng)分析，得到該領域的整體發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢，主要結論如下：

1）全球新型電力電子器件領域近二十年的科技論文發(fā)表量呈現(xiàn)出穩(wěn)定增長趨勢，目前仍是全球科學家重點關注的研究領域。美國、日本、中國大陸、德國和法國表現(xiàn)突出，發(fā)文量依次位于全球前五。同時，全球發(fā)文量超過100篇的高產(chǎn)機構主要分布在美國（7家）、中國大陸（4家）、法國（3家）、俄羅斯（1家）和日本（1家），其中法國國家科學研究院以278篇論文排在全球第一。目前，全球新型電力電子器件領域已逐步形成以美國、歐洲、日本三足鼎立，中國奮力追趕的整體發(fā)展態(tài)勢。

2）新型電力電子領域的研究熱點主要包括關鍵材料（氮化鎵和碳化硅）外延生長及其動力學機理的基礎性研究、器件性能優(yōu)化及創(chuàng)新應用的應用基礎研究。美國在關鍵材料外延生長方面整體上處于全球領先水平，并在碳化硅基變流器、整流器的應用研究和氮化鎵場效應晶體管性能研究取得突破。日本則在藍寶石基關鍵材料異質外延生長及動力學研究積累了雄厚的技術基礎，并著重布局氮化鎵基功率放大器性能優(yōu)化及其機理性研究。歐洲等國家在核心器件設計及應用方面具有一定優(yōu)勢，而中國近期在關鍵材料制備和器件封測技術等領域取得一定成績。

3）通過分析新型電力電子器件領域的國家／地區(qū)及機構合作情況可以發(fā)現(xiàn)，目前全球在該領域主要形成了明顯的“北美-亞洲”和“歐洲”兩大地區(qū)合作網(wǎng)絡。美國和日本為連接兩大網(wǎng)絡的重要節(jié)點，這與兩國是碳化硅和氮化鎵器件應用發(fā)源地，并表現(xiàn)出較為強大的科研實力相關。另外，通過對該領域主要國家／地區(qū)的各類創(chuàng)新指標進行標準化，發(fā)現(xiàn)美國和日本表現(xiàn)出較為明顯的創(chuàng)新能力優(yōu)勢。而中國大陸雖然已具備了一定的科研規(guī)模和實力，但論文的整體研究質量仍需進一步提升。

對比美、日、歐等先進國家／地區(qū)，中國開展新型電力電子器件領域的研究相對較晚，在關鍵材料外延技術、芯片器件制備等環(huán)節(jié)的技術積累與先進地區(qū)仍存在差距。為加快彌補我國在新型電力電子器件領域的技術薄弱點，實現(xiàn)該領域對國外先進地區(qū)的趕超，仍需在核心技術攻關和創(chuàng)新能力建設等幾方面取得突破：

1）加強核心共性技術攻關。強化對新型電力電子領域技術發(fā)展的整體規(guī)劃和布局，針對我國在該領域的技術薄弱點，加強技術攻關。重點突破碳化硅和氮化鎵材料外延生長技術及配套設備的制造工藝，爭取實現(xiàn)核心芯片外延生長的自主可控；加快發(fā)展碳化硅基變流器、整流器等功率器件，以及氮化鎵放大器基等微波器件的制備技術及其配套材料的制造工藝，強化國內(nèi)器件封裝及測試技術的優(yōu)勢，形成自主核心技術，突破國外的技術封鎖。

2）加強領域高水平創(chuàng)新主體建設。聚焦國內(nèi)新型電力電子器件核心技術攻關需求，有效整合政府、高校、科研機構和龍頭企業(yè)的資金、人才、技術、設備等優(yōu)勢資源，打造該領域重點實驗室、新型產(chǎn)學研創(chuàng)新平臺和工程技術中心等，并針對領域薄弱點，加強引進國外高層次人才及研究團隊，完善國內(nèi)新型電力電子領域各個環(huán)節(jié)的創(chuàng)新主體建設。同時，鼓勵國內(nèi)研究人員開展具有一定風險、但更具有創(chuàng)新性和引領性的前沿研究，產(chǎn)出具有國際影響力的高水平成果。

3）形成多元化的國際研究合作機制。加強國內(nèi)機構與國外先進地區(qū)的合作，針對美國在碳化硅材料外延及器件制備、日本在氮化鎵材料外延及器件制備、歐洲等國在電力電子器件創(chuàng)新應用的技術優(yōu)勢，建立高效、多元化的技術研究合作機制，加快我國新型電力電子器件領域的發(fā)展。