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      Ka波段微帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì)

      2018-11-02 01:43:32單偉電子科技大學(xué)物理學(xué)院四川成都610054
      新生代 2018年15期
      關(guān)鍵詞:漏極噪聲系數(shù)低噪聲

      單偉 電子科技大學(xué)物理學(xué)院 四川成都 610054

      1 設(shè)計(jì)目標(biāo)

      Ka波段微帶低噪聲放大器設(shè)計(jì):頻率:32-38GHz,噪聲系數(shù)≤4dB,增益≥20dB,輸入、輸出回波損耗≤-10dB。

      2 低噪聲放大電路的設(shè)計(jì)與仿真

      2.1 低噪聲器件的選取

      根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo),要在32-38GHz內(nèi)實(shí)現(xiàn)NF≤4dB,增益G≥20dB,輸入、輸出回波損耗小于-10dB。由于該低噪聲放大器的工作頻段很高,且要求的噪聲系數(shù)較低,增益較高,綜合考慮,最后選擇了Ommic工藝庫(kù)里的 FD01PHONL1PA這款大信號(hào)pHEMT管。這款pHEMT 管工作頻帶從直流到45GHz,工作頻帶極寬。

      2.2 低噪聲放大器的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)

      為了實(shí)現(xiàn)該低噪聲放大器在工作帶寬內(nèi)其增益≥20dB,采用該pHEMT管三級(jí)級(jí)聯(lián)的電路結(jié)構(gòu),且在每一級(jí)的前級(jí)做輸入匹配網(wǎng)絡(luò),使獲得最佳噪聲反射系數(shù);在每一級(jí)的后級(jí)做輸出匹配電路,實(shí)現(xiàn)功率傳輸和高增益。級(jí)間串聯(lián)較大的隔直電容,防止前級(jí)晶體管的漏級(jí)直流偏壓對(duì)后級(jí)晶體管柵壓的影響。在第3級(jí)輸出匹配電路端串聯(lián)一個(gè)高通濾波器實(shí)現(xiàn)增益平坦性,末端電阻網(wǎng)絡(luò)用以調(diào)節(jié)輸出駐波比。

      2.3 直流偏置電路的設(shè)計(jì)與仿真

      為確定該pHEMT管的直流偏置點(diǎn),應(yīng)用Ommic工藝庫(kù)提供的直流分析模版FET DC Tracing 對(duì)pHEMT管進(jìn)行直流掃描分析。圖1為其直流仿真結(jié)果I-V Curves曲線。

      圖1 Devic I-V Curves 曲線

      由直流仿真結(jié)果知,晶體管工作的直流偏置為VDS=3V,VGS=-0.35V,IDS=20mA。本課題要求的 Ka 波段低噪聲放大器,噪聲指標(biāo)尤為重要,所以經(jīng)過(guò)綜合考慮后,在設(shè)計(jì)偏置電路時(shí)預(yù)采用雙電源供電的形式對(duì)低噪聲晶體管進(jìn)行供電,為此要分別設(shè)計(jì)柵極跟漏極偏置電路。漏極偏置電路的作用除了為低噪聲晶體管提供恒定的漏極正電壓和漏極電流之外,還要隔離射頻信號(hào)泄露到漏極的直流電源處;柵極偏置電路的功能是提供恒定的柵極負(fù)電壓之外,遏制漏極到柵極的信號(hào)。

      2.4 匹配電路的設(shè)計(jì)與仿真

      放大器的輸入匹配一般有兩種方式,一種是按最小噪聲匹配,另一種是按最大功率傳輸匹配。一般很難同時(shí)實(shí)現(xiàn)最小噪聲與最大增益,因此在設(shè)計(jì)低噪聲放大器的時(shí)候必須折中考慮,同時(shí)兼顧噪聲與增益的性能。對(duì)于課題要求噪聲系數(shù)≤4dB,增益≥20dB,所以首先要使每一級(jí)輸入端對(duì)放大器呈現(xiàn)一定的源阻抗,接近最佳噪聲匹配,以獲得良好的噪聲系數(shù),一般情況下找到中心頻率輸出阻抗以備每一級(jí)電路的輸出匹配,在每一級(jí)的輸出端,一般是按最大功率傳輸匹配。

      2.5 pHEMT管級(jí)聯(lián)設(shè)計(jì)與仿真

      仿真分析知每一級(jí)電路的增益在7-8dB。為了實(shí)現(xiàn)該低噪聲放大器在工作帶寬內(nèi)其增益≥20dB,采用該pHEMT管三級(jí)級(jí)聯(lián)的電路結(jié)構(gòu)。為提高該放大器的增益平坦性,故考慮在第三級(jí)電路的輸出端加一高通濾波器,用以調(diào)節(jié)該低噪聲放大器的增益平坦。在輸出端串聯(lián)一π型衰減網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)輸出駐波比。將該高通濾波器以及π型衰減網(wǎng)絡(luò)串聯(lián)到第三級(jí)pHEMT管的輸出端,得到的低噪聲放大器原理圖如圖2所示。

      圖2 LNA原理圖

      優(yōu)化完成后的仿真結(jié)果如圖3所示。在32-38GHz的工作范圍內(nèi),噪聲系數(shù)≤4dB,帶內(nèi)增益為21.8dB,輸入、輸出回波損耗≤-10dB,滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)。

      圖3 LNA仿真結(jié)果

      3 總結(jié)

      本文采用Ommic公司提供的一款pHEMT管—FD01PHONL1PA,為實(shí)現(xiàn)在工作帶寬32-38GHz內(nèi),其增益≥20dB,采用晶體管三級(jí)級(jí)聯(lián)的電路結(jié)構(gòu),并在第3級(jí)輸出匹配電路端串聯(lián)一個(gè)高通濾波器實(shí)現(xiàn)增益平坦性,末端電阻網(wǎng)絡(luò)用以調(diào)節(jié)輸出駐波比。整個(gè)設(shè)計(jì)較好的達(dá)到了指標(biāo)要求,實(shí)現(xiàn)了在32-38GHz的工作頻率范圍內(nèi),噪聲系數(shù)≤4dB,增益≥20dB,輸入、輸出回波損耗≤-10dB。

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