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      熱真空條件下二浮IMU電子箱熱設(shè)計(jì)

      2018-11-02 09:18:52程耀強(qiáng)郭林肖郭紅軍
      載人航天 2018年5期
      關(guān)鍵詞:鉑電阻印制板電子設(shè)備

      程耀強(qiáng),郭林肖,潘 光,郭 秦,黃 剛,郭紅軍

      (1.西安現(xiàn)代控制技術(shù)研究所,西安710065;2.中國(guó)航天科技集團(tuán)九院第16研究所,西安710100;3.西北工業(yè)大學(xué)航海學(xué)院,西安710072)

      1 引言

      二浮慣性測(cè)量裝置(Inertial Measurement U-nit,IMU)電子箱是慣性儀表(二浮陀螺和石英加速度計(jì))的配套電子設(shè)備,用于對(duì)二浮陀螺和石英加速度計(jì)供電、溫度控制、模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換、回路控制和數(shù)字信號(hào)輸出[1]。

      二浮IMU電子箱安裝在貨運(yùn)飛船儀器艙內(nèi),隨艙段在空間運(yùn)行,空間環(huán)境高低溫溫差大、電磁場(chǎng)密集,二浮IMU電子箱會(huì)受到電磁輻射、太陽(yáng)輻射、地球紅外輻射和地球陽(yáng)光反照及空間冷黑熱沉的交替加熱和冷卻,工作環(huán)境十分惡劣[2];且二浮IMU電子箱工作時(shí),電子元器件自身也要產(chǎn)生熱量,這些內(nèi)外熱環(huán)境的共同影響會(huì)使二浮IMU電子箱產(chǎn)生一定的溫度載荷,對(duì)二浮IMU電子箱的性能甚至功能帶來影響。因此必須進(jìn)行合理的熱設(shè)計(jì),將二浮IMU電子箱的溫度波動(dòng)控制在一定的范圍內(nèi)。

      目前對(duì)電子設(shè)備進(jìn)行熱設(shè)計(jì),常借助flotherm、ansys、icepak、SINDA/Fluint軟件等進(jìn)行建模和整機(jī)熱仿真分析[3-5],這些軟件仿真的效果往往依賴于電子設(shè)備模型的準(zhǔn)確度和邊界條件選擇的合理性等,其結(jié)果往往與工程中電子設(shè)備實(shí)際運(yùn)行時(shí)的熱分布不符,對(duì)電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)意義有限。而目前常用的設(shè)計(jì)評(píng)估方法——熱真空試驗(yàn),是在整機(jī)完成結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和熱設(shè)計(jì)之后進(jìn)行的,一旦熱設(shè)計(jì)不合理,補(bǔ)救的代價(jià)就非常高,且熱真空試驗(yàn)單純以整機(jī)環(huán)境試驗(yàn)作為電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)成功的依據(jù)[1-2],忽視電子設(shè)備內(nèi)部個(gè)別元器件的熱設(shè)計(jì)隱患,直接影響到整個(gè)電子設(shè)備的運(yùn)行可靠性。

      基于此,本文使用集整機(jī)熱設(shè)計(jì)與內(nèi)部電子元器件溫度精準(zhǔn)測(cè)量為一體的設(shè)計(jì)方法,以二浮IMU電子箱為例,應(yīng)用該方法設(shè)計(jì)箱體傳熱途徑,并完成包括印制板結(jié)構(gòu)及其散熱器布置、異型墊板布局等在內(nèi)的具體設(shè)計(jì),最后通過熱真空試驗(yàn)前后標(biāo)定參數(shù)對(duì)比的方法驗(yàn)證設(shè)計(jì)結(jié)果以及方法的有效性。

      2 熱設(shè)計(jì)要求

      在實(shí)驗(yàn)室條件下,二浮IMU電子箱穩(wěn)態(tài)功耗高達(dá)86.5 W,真空條件下,穩(wěn)態(tài)功耗不低于75 W,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于常見電子設(shè)備的功耗[1]。一個(gè)成功的二浮IMU電子箱熱設(shè)計(jì),需滿足如下的條件[1-2, 6-7] :

      1)在真空條件下,全溫范圍(-25℃ ~60℃)內(nèi),二浮IMU電子箱中各電子元器件能夠工作在各自規(guī)定的Ⅰ類降額(實(shí)際應(yīng)用時(shí)低于元器件參數(shù),如功率、電壓、電流的額定值)范圍內(nèi);

      2)熱真空試驗(yàn)前后慣性儀表的誤差參數(shù)變化量需滿足表1的極差要求。

      表1 慣性儀表誤差參數(shù)變化量要求Table 1 Requirements on error variation of the inertial instruments

      其中,E1~E3為二浮陀螺標(biāo)度因數(shù);D01~D03為二浮陀螺零位;Dx1~Dz3為二浮陀螺與g有關(guān)項(xiàng)系數(shù);K1x~K1z為石英加速度計(jì)標(biāo)度因數(shù);K01~K03為石英加速度計(jì)零位。

      3 熱設(shè)計(jì)

      二浮IMU電子箱由電源電路、伺服及溫控電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路、LTU(Logic Terminal Unit)電路及箱體等組成,包括為各電路板提供可靠的力學(xué)工作環(huán)境的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和為各電路板上的元器件提供良好的熱學(xué)工作環(huán)境的熱設(shè)計(jì)兩部分。

      3.1 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

      二浮IMU電子箱主要為電路的印制板提供安裝和固定的平臺(tái),箱體的強(qiáng)度、剛度和動(dòng)態(tài)性能對(duì)印制板的可靠性有很大影響。在對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行三維建模的基礎(chǔ)上,進(jìn)行模態(tài)分析以及熱仿真分析,得到一種二浮IMU電子箱的頻率特性和熱場(chǎng)分布最優(yōu)化的結(jié)構(gòu)形式如圖1所示。

      圖1 二浮IMU電子箱結(jié)構(gòu)外形圖Fig.1 Structure and appearance of two-bearing IMU

      3.2 傳熱途徑設(shè)計(jì)

      對(duì)電子設(shè)備而言,一般的熱控手段包括熱隔離、熱疏導(dǎo)、熱補(bǔ)償、熱輻射等[2]。而在近地空間的特殊環(huán)境下,二浮IMU電子箱安裝于貨運(yùn)飛船儀器艙內(nèi)部,傳熱途徑主要有兩條,一是輻射,二是傳導(dǎo),傳熱途徑如圖2所示。

      圖2 二浮IMU電子箱散熱途徑示意圖Fig.2 Heat dissipation illustration of two-bearing IMU electronic circuit box

      熱真空條件下,二浮IMU電子箱與外界空間能量的輻射一般通過公式(1)所示斯忒藩-玻爾茲曼定律來衡量[2]:

      式中,Q為熱流密度;Kf為導(dǎo)熱系數(shù),指在穩(wěn)定傳熱條件下圍護(hù)結(jié)構(gòu)兩側(cè)空氣溫差為1℃時(shí),1 s內(nèi)1 m傳遞的熱量;dx/dt表示x方向上的溫度梯度。由公式(2)可知,控制接觸安裝面熱量傳遞量值只能通過改變Kf值來實(shí)現(xiàn),而Kf值取決于所選用的安裝面的材料,不同的材料,導(dǎo)熱系數(shù)不同。電子元器件與印制版的安裝面一般采用銅材料,印制板與箱體的安裝面一般采用鋁材料,電子設(shè)備與艙體之間一般采用鋁材料[8-9],表2列出了這幾種材料以及IMU產(chǎn)品中常用的幾種材料的傳熱系數(shù)值[8-10]。

      式中,E為輻射密度值,ζ為表面黑度,σ0為斯忒藩-玻爾茲系數(shù),T為試件表面溫度。由公式(1)可知,要提高二浮IMU電子箱的輻射熱量值,傳熱設(shè)計(jì)時(shí)采用了兩種方法:

      1)提高二浮IMU電子箱自身的溫度值,方法是提高箱體的溫度控制點(diǎn),但二浮IMU電子箱采用被動(dòng)控溫方式,即二浮IMU箱體未設(shè)計(jì)溫控控制電路,不能主動(dòng)控制其溫度升高,因此該方法不適用;

      2)盡量增大二浮IMU電子箱的表面積,并提高表面發(fā)黑水平,提高ζ值,采用的方法是對(duì)二浮IMU電子箱表面盡量采用鋁合金材料,并采用黑色陽(yáng)極化技術(shù)進(jìn)行發(fā)黑處理。

      二浮IMU電子箱除了滿足熱輻射的理論外,設(shè)備和內(nèi)部的元器件通過安裝面導(dǎo)熱也是一個(gè)重要的傳熱途徑,這些安裝面包括元器件與印制版的安裝面、印制板與箱體的安裝面以及二浮IMU電子箱與艙體之間的安裝面。安裝面的散熱一般采用傅里葉定律來衡量[8],見公式(2):

      表2 不同材料的傳熱系數(shù)值Table 2 Heat transfer coefficient of different materials/(W/(m·K))

      除了上述常見的材料外,在工程應(yīng)用中廣泛使用導(dǎo)熱硅脂,其典型傳熱系數(shù)值為1.4~4.0 W/(m·K),遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于空氣的傳熱系數(shù)(0.023 W/(m·K))[2,10],因此在兩種介質(zhì)的安裝界面間均勻涂一層導(dǎo)熱硅脂,可以提高兩種介質(zhì)之間的傳熱效果。并且導(dǎo)熱硅脂還具有極佳的電絕緣性和使用穩(wěn)定性,耐高低溫性能好,對(duì)接觸的金屬材料(銅、鋁、鋁合金)無腐蝕性。

      為減小電子元器件在真空條件下的溫升,在傳熱設(shè)計(jì)中作如下的兩個(gè)處理:

      1)將熱量盡可能多地往電子箱箱體上傳導(dǎo)

      在發(fā)熱量大的元器件上設(shè)置小型散熱器,并在其印制板上覆銅,以及在發(fā)熱量大的器件下方設(shè)計(jì)專門的異型鋁材質(zhì)的墊板,直接將墊板與發(fā)熱量大的器件接觸,通過熱良導(dǎo)體銅、鋁將元器件的熱量傳導(dǎo)至印制板框架,再通過框架傳至箱體,在此基礎(chǔ)上,在元器件底面與印制版覆銅處增加一層導(dǎo)熱硅脂,填充氣隙,增大元器件與印制版覆銅層的接觸面積,如圖3所示。

      圖3 發(fā)熱量大的元器件散熱措施示意圖Fig.3 diagram of measures for large heat dissipation electronic components

      2)將箱體上的熱量盡可能多地往空間傳導(dǎo)

      如圖4所示,電子箱箱體表面均經(jīng)過黑色陽(yáng)極化處理,以保證箱體熱量能夠以輻射形式向周圍傳散。為加快傳熱速率以使得線路內(nèi)溫度場(chǎng)盡快平衡,對(duì)電子箱箱體的安裝面進(jìn)行精加工,以提高其表面光潔度,從而使電子箱箱體與艙體的安裝面充分接觸,增加傳到散熱。同時(shí)在箱體安裝面與艙體的安裝面之間增加一層導(dǎo)熱硅脂,填充氣隙,更有利于箱體的熱量向外傳遞。

      3.3 熱設(shè)計(jì)方案

      3.3.1 箱體熱設(shè)計(jì)

      圖4 線路箱體安裝面改進(jìn)設(shè)計(jì)示意圖Fig.4 Diagram of improved design of circuit box surface

      考慮二浮IMU電子箱隨貨運(yùn)飛船儀器艙在高低溫溫差大、電磁場(chǎng)密集等惡劣環(huán)境中運(yùn)行,為提高二浮IMU電子箱的可靠性,箱體熱設(shè)計(jì)主要采取三項(xiàng)措施:

      1)選擇了低功耗的元器件,并盡可能利用設(shè)備的結(jié)構(gòu)進(jìn)行傳熱;

      2)在對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行熱仿真分析時(shí),充分考慮了電子設(shè)備的極端工況,同時(shí)加熱功率留有足夠的余量,以適應(yīng)低溫工況和低溫啟動(dòng)時(shí)的需求;

      3)將發(fā)熱量大,功耗較大的電路放置在箱體兩端,更有利于電子箱內(nèi)部熱量的輻射。

      3.3.2 電子元器件溫度精準(zhǔn)測(cè)量熱設(shè)計(jì)

      統(tǒng)計(jì)發(fā)現(xiàn),電子設(shè)備所發(fā)生的故障大部分(55%以上)是由于溫度因素引起的[11-12]。功耗增大易引起元器件封裝體內(nèi)溫度的升高,當(dāng)溫度超過元器件額定溫度時(shí),易導(dǎo)致元器件工作不穩(wěn)定而失效[9];統(tǒng)計(jì)資料顯示,電子元器件溫度每升高 2℃,可靠性下降10%,溫升50℃時(shí)的壽命只有溫升 25℃ 時(shí)的 1/6[13-14]。溫升對(duì)電子元器件最直接的影響是導(dǎo)致元器件完全或部分失去電氣功能,即熱失效。電子產(chǎn)品元器件隨結(jié)點(diǎn)溫度的升高,其熱失效率呈指數(shù)增長(zhǎng)[10]。根據(jù)6℃法則,當(dāng)變壓器的工作溫度在某范圍內(nèi)時(shí)(不同類型的變壓器,溫度范圍不同),溫度每升高6℃,其絕緣老化率就會(huì)增加一倍[11]。

      從滿足空間應(yīng)用需求和提高抗熱力學(xué)環(huán)境能力角度出發(fā)進(jìn)行二浮IMU電子箱的設(shè)計(jì)和加工,熱設(shè)計(jì)的合理性不能僅僅利用理論計(jì)算的手段解決,理論計(jì)算往往存在著較大的偏差,為了進(jìn)一步驗(yàn)證二浮IMU電子箱熱設(shè)計(jì)的正確性,檢驗(yàn)各組件的熱性能,考核熱設(shè)計(jì)對(duì)在軌飛行熱環(huán)境的適應(yīng)能力及確定最佳熱控參數(shù),必須采用地面模擬試驗(yàn)進(jìn)行輔助設(shè)計(jì),本文采用對(duì)電子元器件的溫度進(jìn)行精準(zhǔn)測(cè)量的設(shè)計(jì)方法。

      為了更好地說明問題,在各個(gè)電路板上選取了一至兩個(gè)發(fā)熱量最大的器件,選取的器件見表3,其中“對(duì)應(yīng)標(biāo)號(hào)”是測(cè)溫鉑電阻的編號(hào),具體見圖5。

      表3 線路箱體中電子元器件溫度值Table 3 Temperature of electronic components in the circuit box

      圖5 鉑電阻粘貼連接示意圖Fig.5 Aste and connection illustration of platinum resistance

      在選定的元器件表殼粘貼鉑電阻(例如PT800鉑電阻),通過監(jiān)測(cè)鉑電阻的阻值,來判定熱真空試驗(yàn)過程中相應(yīng)元器件的溫度值。鉑電阻的阻值與它所感應(yīng)的溫度值之間的關(guān)系如式(3)[7]:

      式中:α為鉑電阻溫度系數(shù),查閱廠家數(shù)據(jù)手冊(cè),取值3.85×10-3Ω/℃;t為元器件的實(shí)時(shí)溫度值,單位℃;Rt為鉑電阻感測(cè)到的元器件的溫度值,單位 Ω;R0為鉑電阻在時(shí)的溫度值,單位Ω。鉑電阻粘貼連接示意如圖5所示。

      4 熱設(shè)計(jì)驗(yàn)證及性能評(píng)估

      4.1 熱設(shè)計(jì)驗(yàn)證

      根據(jù)貨運(yùn)飛船儀器艙的實(shí)際運(yùn)行環(huán)境,設(shè)定二浮IMU電子箱試驗(yàn)條件為:熱真空罐真空度不小于6.5 ×10-3Pa;試驗(yàn)溫度 -25℃ ~60℃,控溫點(diǎn)選在非熱源處[1,15-16]。

      試驗(yàn)時(shí),將二浮IMU電子箱放入熱真空罐中,將二浮IMU組合體(內(nèi)含二浮陀螺和石英加速度計(jì))放置在熱真空罐外。產(chǎn)品加溫1 h,啟動(dòng)熱真空罐,將熱真空罐內(nèi)的氣壓降至6.5×10-3Pa以下,罐內(nèi)氣壓在整個(gè)試驗(yàn)過程中均保持在6.5×10-3Pa以下,然后熱真空罐開始升溫,控溫點(diǎn)到達(dá)60℃后,通過調(diào)節(jié)熱真空罐的溫度,維持控溫點(diǎn)的溫度值, 保持4 h后,熱真空罐開始降溫,控溫點(diǎn)到達(dá)-25℃后,通過調(diào)節(jié)熱真空罐的溫度,維持控溫點(diǎn)的溫度值 -,保持 4 h。 記錄全溫段(-25℃ ~60℃)所監(jiān)測(cè)的電子元器件的溫度值,并于這些元器件的Ⅰ類降額結(jié)溫值(從元器件手冊(cè)上查得)進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果具體見表4。

      表4 線路箱體中電子元器件溫度值Table 4 Temperature of electronic components in the circuit box

      由表4可知,在4 h高溫段和4 h低溫段,各個(gè)監(jiān)測(cè)的電子元器件溫度均能夠穩(wěn)定在各自的結(jié)溫值范圍內(nèi),說明本文所提出的二浮IMU電子箱熱設(shè)計(jì)方法能夠使電子箱在真空條件下達(dá)到熱平衡狀態(tài),這將能夠?yàn)殡娮釉骷峁┻m宜的溫度環(huán)境,從而提高電子元器件的壽命和可靠性。

      4.2 性能評(píng)估

      綜合評(píng)判二浮IMU電子箱熱設(shè)計(jì)性能的另一項(xiàng)重要指標(biāo)是熱真空試驗(yàn)前后慣性儀表誤差參數(shù)的變化量,指標(biāo)見表1。表5和表6給出了熱真空試驗(yàn)前后二浮陀螺和加速度計(jì)誤差參數(shù)的對(duì)比情況,其中表5陀螺的標(biāo)度因數(shù)和安裝誤差角通過率標(biāo)定得到,表6中加速度計(jì)的所有誤差參數(shù)和陀螺的一次項(xiàng)系數(shù)通過位置標(biāo)定得到。

      由表5和表6所示試驗(yàn)前后慣性儀表誤差參數(shù)的極差變化可知,慣性儀表經(jīng)過試驗(yàn)后,性能非常穩(wěn)定,主要誤差參數(shù)變化量遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于表1的指標(biāo)要求,可見二浮IMU電子箱的熱設(shè)計(jì)方案合理,為慣性儀表、電子元器件提供了良好的工作環(huán)境。

      表5 速率標(biāo)定參數(shù)對(duì)比情況Table 5 Comparison of rate calibration parameters

      表6 位置標(biāo)定參數(shù)對(duì)比情況Table 6 Comparison of position calibration parameters

      5 結(jié)論

      1)針對(duì)大功耗二浮IMU電子箱,本文提出了一種集整機(jī)熱設(shè)計(jì)與內(nèi)部電子元器件溫度精準(zhǔn)測(cè)量為一體的熱設(shè)計(jì)方法,采取了在印制板上加裝小型散熱器、異型墊板等設(shè)計(jì)措施。驗(yàn)證試驗(yàn)測(cè)得電子元器件在真空條件下,全溫范圍內(nèi)(-25℃ ~60℃)能夠穩(wěn)定在各自Ⅰ類降額結(jié)溫范圍內(nèi),可見本文提出的熱設(shè)計(jì)方案合理可行。

      2)整機(jī)熱設(shè)計(jì)與電子元器件溫度精準(zhǔn)測(cè)量相結(jié)合的熱設(shè)計(jì)方法,既可以解決常規(guī)整機(jī)熱仿真存在的不準(zhǔn)確問題,也能規(guī)避單純采用試驗(yàn)補(bǔ)救代價(jià)太大的風(fēng)險(xiǎn),對(duì)大功耗電子設(shè)備的熱設(shè)計(jì)具有參考價(jià)值,并已經(jīng)在型號(hào)中得到了成功應(yīng)用。

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