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      基于特高頻法的500 kV GIS帶電檢測

      2019-01-07 02:12:16葛志成田世杰范繼偉董洪達張賽鵬
      吉林電力 2018年5期
      關鍵詞:盆式局放氣室

      葛志成,田世杰,范繼偉,黃 濤,董洪達,張賽鵬

      (1.國網(wǎng)吉林省電力有限公司電力科學研究院,長春 130012;2.國網(wǎng)吉林省電力有限公司,長春 130012;3.大唐東北電力試驗研究院有限公司,長春 130012)

      氣體絕緣組合電器(GIS)因其具有結構緊湊、占地少、等優(yōu)點,逐漸開始取代傳統(tǒng)的高壓電裝置。GIS在生產(chǎn)過程中工藝不良或安裝過程人為疏忽都會導致存在一定的缺陷,在高電壓下會引起局部放電(以下簡稱局放)等故障。特高頻(UHF)檢測法具有檢測靈敏度高、現(xiàn)場抗干擾能力強、可實現(xiàn)局放在線定位等優(yōu)勢,被廣泛用于診斷局放產(chǎn)生的各類缺陷。GIS局放常伴有發(fā)聲、發(fā)光、機械波、電脈沖、SF6氣體化學變化等現(xiàn)象[1]。針對局放產(chǎn)生的聲、光、電、化學效應,可采用聲學、光學、電學、化學等方法來檢測。本文主要介紹用特高頻法帶電檢測GIS設備。

      1 局放檢測特高頻法基本原理及應用

      局放檢測特高頻法基本原理:通過特高頻傳感器對局放時產(chǎn)生的300 MHz≤f≤3 GHz特高頻電磁信號(f為電磁信號頻率)進行檢測。根據(jù)現(xiàn)場設備情況的不同,可以采用內(nèi)置式傳感器和外置式傳感器[2]。

      正常運行的GIS內(nèi)充有高壓SF6氣體,其絕緣強度和擊穿場強都很高。當局放在很小范圍內(nèi)發(fā)生時,氣體擊穿過程很快,將產(chǎn)生持續(xù)時間為納秒級的脈沖電流,同時向四周輻射出0.3~3 GHz的電磁波[3],應用此電磁信號進行局放檢測。

      2 實例分析

      2.1 帶電檢測設備局放情況

      某500 kV變電站特高頻局放帶電檢測,采用PDS-T90對5012間隔C相1號母線側盆式絕緣子、2號母線側盆式絕緣子、50122隔離開關氣室上部盆式絕緣子檢測,查出特高頻局放信號。

      特高頻信號異常間隔實物圖見圖1,其中測點①為1號母線側盆式絕緣子;測點②為2號母線側盆式絕緣子;測點③為50122隔離開關氣室上部盆式絕緣子。背景噪聲及1號盆式絕緣子、2號盆式絕緣子、3號盆式絕緣子處測得的特高頻信號見圖2至圖5。

      從圖2可以看出,背景噪聲信號主要為白噪聲,幅值及相位分布較為均勻;而從圖3到圖5可以看出:各盆式絕緣子處信號具有明顯的相位分布特征,即正負半周各有一簇幅值較大的信號,符合局放信號特征,其中:PAPS為脈沖序列相位分布譜圖,PRPD為局放相位分布譜圖。

      檢測發(fā)現(xiàn),越靠近3號盆式絕緣子,信號幅值越大。局放信號在工頻相位正負半周均出現(xiàn),且具有一定對稱性,放電次數(shù)較少,相位模式圖譜未有較為連續(xù)的包絡線,疑似為空穴或沿面放電。

      圖1 某500 kV變電站間隔測點示意

      圖2 背景噪聲

      圖3 測點1的信號

      2.2 缺陷的定位

      采用特高頻信號時差法對缺陷部位進行定位,通過改變傳感器的檢測位置逐漸縮小定位范圍。

      現(xiàn)場傳感器放置位置(中線、上線、下線分別代表一個傳感器)及局放信號波形見圖6,中線傳感器放置在套管下方盆式絕緣子上,上線傳感器放置在斷路器氣室左側盆式絕緣子上,下線傳感器放置在斷路器右側盆式絕緣子上。

      圖4 測點2的信號

      圖5 測點3的信號

      由局放信號波形可知,信號最先到達中線傳感器,其次為上線傳感器,最后為下線傳感器,中線傳感器信號上升沿超上線傳感器約3.5 ns(電磁波可傳播約1.05 m),中線、上線兩傳感器間實際距離為1.7 m,計算可知信號源位于中線和上線傳感器之間,且在中線傳感器下方約0.33 m。

      圖6 定位檢測傳感器位置及局放信號波形

      2.3 缺陷氣室解體

      打開缺陷氣室,該支撐絕緣子在澆鑄時低壓側內(nèi)嵌12根金屬螺桿,以便絕緣子與外殼金屬法蘭連接,金屬螺桿端部為半球形,在絕緣件斷裂面,對應金屬螺桿端部有12個半球形凹槽,現(xiàn)場可見每個凹槽內(nèi)均有放電痕跡,見圖7。部分凹槽放電較為嚴重,環(huán)氧樹脂材料被燒焦。解體后的缺陷為隔離開關靜觸頭支撐絕緣子內(nèi)部螺栓端部空穴放電,與帶電檢測結果基本一致。

      2.4 缺陷分析

      分析認為,支撐絕緣子螺栓端部凹槽放電的原因為端部存在空穴,根據(jù)電磁場理論,均勻電場中不同電介質(zhì)的電場強度分布滿足以下條件:

      式中:ε1、ε2為兩種電介質(zhì)的介電常數(shù);E1、E2為兩種電介質(zhì)中的電場強度。

      圖7 凹槽內(nèi)放電痕跡

      當支撐絕緣子中存在空穴時,由于空氣(空穴)的介電常數(shù)要小于環(huán)氧樹脂(支撐絕緣子),因此空氣中的電場強度要高于環(huán)氧樹脂,而空氣的擊穿場強卻遠小于環(huán)氧樹脂,因此空穴極易發(fā)生擊穿,從而產(chǎn)生局放。空穴中的放電會加速絕緣子的老化開裂,造成絕緣子機械強度降低,最終導致絕緣子的斷裂??昭ǖ男纬膳c絕緣子斷裂互為因果關系,絕緣子內(nèi)部裂紋會導致空穴形成,空穴中放電的老化效應又會加速絕緣子開裂。

      3 結論

      特高頻法有利于絕緣缺陷的類型識別。不同類型絕緣缺陷局放產(chǎn)生的特高頻信號具有不同的頻譜特征。特高頻法可以快速精確地判定空穴放電缺陷位置,為制定GIS設備的維修計劃、提高檢修工作效率提供了有力的支持。

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