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      電磁波在運動介質(zhì)表面上半波損失的消失現(xiàn)象

      2019-07-08 11:59:14宋仁剛夏乾旭
      物理與工程 2019年3期
      關(guān)鍵詞:半波入射波電磁波

      宋仁剛 徐 巖 夏乾旭

      (山東科技大學(xué)電子通信與物理學(xué)院,山東 青島 266590)

      半波損失是波動理論中的一個重要概念,在波動光學(xué)中表述為:當(dāng)電磁波從光疏媒質(zhì)入射到光密媒質(zhì)時,反射波電場垂直入射面的分量存在半波損失[1]。一般的教材中均是在靜止的坐標(biāo)系框架下論述半波損失現(xiàn)象,即界面相對于實驗室參考系是靜止的[2],而沒有討論過界面運動時電磁波的半波損失。對于運動介質(zhì)界面上電磁波的反射和透射特性,已有一些相關(guān)研究[3-7]。本文在前人的研究基礎(chǔ)上,利用狹義相對論分析沿介質(zhì)界面運動和垂直于介質(zhì)界面運動兩種方式下,界面上電磁波的半波損失現(xiàn)象。

      1 介質(zhì)界面運動的兩種情況

      圖1 運動介質(zhì)界面示意圖(a) 介質(zhì)平板以速度vx沿x軸正向運動; (b) 介質(zhì)平板以速度vz沿z軸正向運動

      如圖1(a)、(b)所示,絕緣介質(zhì)平板是均勻各項同性的非鐵磁介質(zhì),厚度為d,介電常數(shù)和磁導(dǎo)率分別為ε1、μ0,且在x軸無限延伸。平板之外為真空環(huán)境(ε0、μ0)。按照上述條件,可以分析介電介質(zhì)平板的以下兩種情況:(a) 介質(zhì)平板沿x軸方向以恒定速度vx運動;(b) 介質(zhì)平板沿z軸方向以恒定速度vz運動。圖中所示慣性系S是實驗室參考系,慣性系S′是相對于運動介質(zhì)靜止的參考系,即慣性系S′是相對于實驗室參考系S以某一恒定速度運動的。另外,介質(zhì)平板內(nèi)部的磁導(dǎo)率和真空磁導(dǎo)率幾乎一致,因此在介質(zhì)界面處分析電磁波的場分量時,僅需針對入射電磁波電場分量E進行分析[3]。

      2 運動界面上波矢k和頻率ω的關(guān)系

      對圖1(a)介質(zhì)平板沿x軸以速度vx運動的情況,設(shè)ωi是入射波在S系中的頻率,ω′r是反射波在S′系中的頻率,ω(r)代表從S系觀察到的S′系中反射波的頻率。由麥克斯韋方程的協(xié)變性和均勻平面波的相位不變性,利用洛倫茲變換的四維矢量變換公式[1]可得各個波矢分量與頻率之間的關(guān)系

      其中,γx=1/(1-βx2)1/2;βx=vx/c。如果從S系觀察,便有

      ω(r)=γx(ω′r+vxk′x)

      (4)

      當(dāng)入射角θi為零,將公式(1)~式(3)代入式(4)便得到

      ω(r)=ωi

      (5)

      可見當(dāng)介質(zhì)平板沿x軸以速度vx運動時,垂直平板入射的電磁波不存在相對論多普勒頻移。

      對圖1(b)介質(zhì)平板沿z軸以速度vz運動的情況,與上述過程類似,可得到

      (6)

      其中,γz=1/(1-βz2)1/2;βz=vz/c。入射角θi為零時,公式(6)變?yōu)?/p>

      (7)

      因此,當(dāng)介質(zhì)平板沿z軸以速度vz運動時,垂直平板入射的電磁波存在相對論多普勒頻移。

      3 運動界面上反射波和入射波的振幅比

      由上述第1節(jié)的討論可知,介電平板是非鐵磁介質(zhì),故只需考慮入射電磁波的電場分量E。若介質(zhì)靜止時,可由邊值關(guān)系對振幅的約束來確定邊界上反射波和入射波的振幅比[1]。當(dāng)電場振幅E的方向垂直于入射面時,有

      (8)

      當(dāng)電場振幅E的方向平行于入射面時,有

      (9)

      其中θt為折射角。

      當(dāng)介質(zhì)界面如圖1(a)、(b)所示的方式運動時, 由文獻[9]中所給出的方法,只考慮電場振幅E的方向垂直于入射面的情況,可利用洛倫茲變換給出運動界面上反射波和入射波的振幅比。

      考慮圖1(a) 中介質(zhì)平板沿x軸以速度vx運動的情況,當(dāng)電場振幅E的方向垂直于入射面時,

      (10)

      考慮圖1(b)中介質(zhì)平板沿z軸以速度vz運動時,當(dāng)電場振幅E的方向垂直于入射面時,

      (11)

      4 運動界面上的半波損失

      由公式(8)可知,對靜止介質(zhì),當(dāng)電磁波E分量垂直入射面時,電磁波由光疏介質(zhì)入射到光密介質(zhì),有θi>θt,Er/Ei<0,說明反射波和入射波反相,即存在半波損失[1]。

      當(dāng)介質(zhì)界面按如圖1(a)、(b)所示的方式運動時,其反射波和入射波的振幅比已不能用公式(8)表示,上述兩種情況下的反射波和入射波的振幅比由式(10)和式(11)表示。特別地,我們討論入射電磁波垂直于介質(zhì)界面的情況, 當(dāng)介質(zhì)平板沿x軸以速度vx運動時,電場振幅E的方向不論是垂直于入射面或平行于入射面,式(10)均退化為

      (12)

      同理,當(dāng)介質(zhì)平板沿z軸以速度vz運動時,式(11)均退化為

      (13)

      可以看出,電磁波垂直于運動介質(zhì)界面入射時,反射波和入射波不存在反相的情況,故不存在通常意義上的半波損失現(xiàn)象。

      更一般的,我們僅考慮電場振幅E的方向垂直于入射面的情況,不論介質(zhì)界面以圖1(a)、(b)所示的任何一種方式運動,由式(10)和式(11)可知,入射波與反射波不再滿足菲涅爾公式。為了清楚地說明這一點, 我們給定介質(zhì)折射率n=1.5,做出了介質(zhì)運動速度分別為0,0.5c,0.9c和0.99c時邊界上反射波和入射波的振幅比Er/Ei隨著入射角變化而變化的情況,如圖2(a)~圖2(d)所示。

      圖2 邊界上反射波和入射波的振幅比隨著入射角i變化而變化的情況(a)~(d)分別對應(yīng)介質(zhì)運動速度為0,0.5c,0.9c和0.99c時的情況

      從圖2(a)~圖2(c)中可以發(fā)現(xiàn),當(dāng)介質(zhì)運動速度達到0.9c時,考慮到電場振幅E的方向垂直于入射面,電磁波在運動介質(zhì)界面上的反射波和入射波的振幅比Er/Ei存在反相的特性;從圖2(d)中可以看出,當(dāng)介質(zhì)運動速度達到0.99c時,振幅比Er/Ei不存在反相的情況,亦即入射波和反射波的電場振幅E不存在相位相反的特性,這也表明了此時不存在通常意義上的半波損失現(xiàn)象。值得注意的是,當(dāng)介質(zhì)運動速度遠小于光速c時,式(10)和式(11)可自然過渡為菲涅爾公式。

      5 總結(jié)

      本文考慮電磁波在運動介質(zhì)表面上的半波損失情形,針對介質(zhì)沿介質(zhì)界面運動和垂直于介質(zhì)界面運動這兩種情況,利用相對論四維波矢量的洛倫茲變換關(guān)系,給出了電磁波在運動介質(zhì)界面上波矢和頻率的關(guān)系以及反射波和入射波的振幅比,并由此討論了兩種不同運動方式下反射波的半波損失現(xiàn)象。結(jié)果發(fā)現(xiàn),當(dāng)介質(zhì)運動速度達到接近光速時,電磁波在介質(zhì)界面上的反射不存在半波損失,這種現(xiàn)象有利于進一步加深對狹義相對論的理解,并且在光電器件制造和雷達屏蔽方面有潛在的應(yīng)用[7]。

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