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      電子束氨法脫硫反應(yīng)器內(nèi)部劑量率的模擬計(jì)算

      2019-08-24 07:26:30王棋赟李建軍李升華
      輻射防護(hù)通訊 2019年1期
      關(guān)鍵詞:木架氨法劑量率

      王棋赟 李建軍 李升華

      (1.四川大學(xué)建筑與環(huán)境學(xué)院, 成都, 610065;2.國家電投集團(tuán)遠(yuǎn)達(dá)環(huán)保工程有限公司, 重慶, 4011222)

      電子束氨法脫硫(EA-FGD)是一種等離子體煙氣處理技術(shù),基本原理是利用高能電子束轟擊鍋爐煙氣生成的OH、O3等強(qiáng)氧化性產(chǎn)物將煙氣中的SO2和NOn氧化,繼而與H2O和NH3反應(yīng)生成(NH4)2SO4或NH4NO3的過程。電子束氨法脫硫的主工藝系統(tǒng)是煙氣輻照處理系統(tǒng),它由電子加速器和反應(yīng)器組成。系統(tǒng)運(yùn)行時(shí),反應(yīng)器內(nèi)電子束呈一個(gè)幾何輪廓為扁平狀四棱錐簾狀射束。

      鑒于源的不規(guī)整特性,加之EGS4在處理粒子輸運(yùn)問題上更為靈活、涉及物理過程也更全面[1],過去在EA-FGD反應(yīng)器設(shè)計(jì)時(shí)通常采用EGS4程序進(jìn)行模擬計(jì)算。然而EGS4程序運(yùn)行前,需要用戶用高級(jí)計(jì)算機(jī)編程語言構(gòu)建粒子輸運(yùn)的空間環(huán)境等諸多信息,這對(duì)設(shè)計(jì)人員編程能力提出了較高的要求。MCNP與EGS4同屬于蒙特卡羅方法的分支,比之EGS4,MCNP通過定義曲面來構(gòu)建空間體,且不需要像EGS4那樣描述粒子穿透不同區(qū)域的形式,也不需要用戶自行編寫代碼生成偽隨機(jī)數(shù);在解決了MCNP對(duì)不規(guī)整源的描述困難后,如能驗(yàn)證MCNP程序計(jì)算結(jié)果誤差在可接受范圍內(nèi),則可以在今后類似設(shè)計(jì)中,一定程度上降低設(shè)計(jì)的難度。

      本文利用“小孔成像”原理來解決MCNP對(duì)不規(guī)整源的描述困難。通過模擬文獻(xiàn)[2]的試驗(yàn)場(chǎng)景,將結(jié)果與試驗(yàn)值進(jìn)行比較,驗(yàn)證MCNP用于電子束氨法脫硫反應(yīng)器內(nèi)部劑量率計(jì)算的可行性。

      1 模型建立

      試驗(yàn)電子束氨法脫硫煙氣輻照處理系統(tǒng),裝置采用碳鋼反應(yīng)器[2],反應(yīng)器尺寸為〔140 cm(內(nèi)徑)×200 cm(長)〕,鈦窗尺寸為(100 cm×50 cm×0.003 cm),兩層鈦窗之間間距為7 cm,電子束流偏轉(zhuǎn)點(diǎn)到下層鈦窗上表面距離為130 cm(如圖1)。此外,電子束能量為0.57 MeV,束流強(qiáng)度是5 mA,輻照時(shí)間為30 s。

      利用“小孔成像”原理模擬電子束氨法脫硫裝置加速器引出窗[3]出射的電子束,即在MCNP源柵元描述時(shí)將此抽象成一個(gè)位于“圓筒”內(nèi)部的粒子源,而在圓筒的底面存在一個(gè)“矩形孔”,長寬比例與鈦窗相同,如圖2所示。

      通過將除“矩形孔”外的圓筒柵元的重要性設(shè)置為零,即可對(duì)這些點(diǎn)源發(fā)射的“多余”粒子不進(jìn)行跟蹤,但利用“小孔成像”建立的源會(huì)因這些“多余”的粒子引入一個(gè)幾何修正因子η,將實(shí)際粒子數(shù)進(jìn)行一定程度的“放大”,以抵消那些多余的粒子。該值可以通過把矩形孔設(shè)置成探測(cè)柵元,記錄矩形孔中的粒子通量反算得出。關(guān)于軔致輻射,因?yàn)樵谌肷潆娮幽芰繛閹讉€(gè)兆電子伏時(shí),其能量損失方式是以電離能量損失為主。兩者之比為[4]:

      (1)

      圖1 反應(yīng)器束流廓面示意圖

      圖2 棱錐射束引出示意圖

      式中,(-dE/dx)r為單位路程輻射能量損失;(-dE/dx)e為電離能量損失;Z為介質(zhì)原子序數(shù);E為電子束能量,MeV。

      文獻(xiàn)[2]的試驗(yàn)是在空氣介質(zhì)中進(jìn)行的,以氧原子的序數(shù)計(jì)算,可知當(dāng)入射電子能量為0.57 MeV時(shí),軔致輻射與電離輻射能量損失之比為0.57%。因此,在計(jì)算反應(yīng)器內(nèi)部劑量場(chǎng)時(shí),可以忽略軔致輻射的影響。

      2 計(jì)算過程與結(jié)果

      試驗(yàn)采用的木架模型,通過兩次更換木架的方向分別測(cè)量3個(gè)方向的劑量場(chǎng),即反應(yīng)器剖面劑量場(chǎng)、反應(yīng)器隨電子入射深度方向的劑量場(chǎng)和反應(yīng)器中心截面的劑量場(chǎng)[2],試驗(yàn)方案示意圖3。

      圖3 試驗(yàn)方案示意圖

      文獻(xiàn)[2]中未介紹木架的尺寸大小及木料密度,考慮過于細(xì)長的方木可能因?yàn)樽灾囟鴱澢冃?,故?yàn)證過程暫按方木尺寸2 cm×1 cm考慮,密度按0.4 g/cm3計(jì)。計(jì)算時(shí),MCNP抽樣粒子數(shù)為1×108,用F4卡計(jì)數(shù),計(jì)數(shù)柵元體積為8 cm3,結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)差均滿足統(tǒng)計(jì)檢驗(yàn)(σ<0.1)。

      (2)

      其中,

      以剖面試驗(yàn)中木架上第一排中點(diǎn)處劑量率計(jì)算為例,其劑量率與30 s累積劑量計(jì)算結(jié)果為:

      式中,D為累積時(shí)間內(nèi)的吸收劑量,kGy;t為積累時(shí)間,s。

      MCNP計(jì)算中所使用的劑量乘子卡點(diǎn)值函數(shù)DE-DF系數(shù)(即通量-劑量轉(zhuǎn)化系數(shù)f)可通過《輻射劑量學(xué)》[5]中給出的電子質(zhì)量碰撞本領(lǐng)計(jì)算求得,如能量為0.6 MeV的單能電子對(duì)應(yīng)的質(zhì)量碰撞本領(lǐng)s/ρ=1.743 MeV·cm2/g,則可計(jì)算得出轉(zhuǎn)換系數(shù):

      綜上,可得到反應(yīng)器剖面劑量場(chǎng)(示于圖4),圖5給出了實(shí)測(cè)的反應(yīng)器剖面劑量場(chǎng)。

      由圖4知,因木架(截面尺寸2 cm×1 cm)的屏蔽散射作用而導(dǎo)致的對(duì)劑量場(chǎng)的影響效應(yīng):木架使反應(yīng)器內(nèi)劑量場(chǎng)出現(xiàn)一個(gè)“陡降區(qū)”,在木架下方,劑量場(chǎng)有所回升,形成一個(gè)類似“山坳”的劑量場(chǎng)區(qū)間,而這一現(xiàn)象是圖5實(shí)測(cè)劑量場(chǎng)所沒有的,圖5左上區(qū)域等劑量線內(nèi)凹,可能就是木架左端采用木料根部,密度比右側(cè)更高的原因所導(dǎo)致的。為此,將木架截面尺寸修改為1 cm×0.5 cm重復(fù)計(jì)算,然則,這種“山坳效應(yīng)”仍然存在。

      文獻(xiàn)[6,7]用EGS4對(duì)該實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了模擬,模擬過程忽略了木架的影響,設(shè)置抽樣粒子數(shù)為1×106,可得到滿足統(tǒng)計(jì)學(xué)檢驗(yàn)的計(jì)算結(jié)果(σ<1%)。為與之對(duì)比,在MCNP建模過程中刪除木架柵元,忽略木架的影響,將計(jì)算結(jié)果分別與文獻(xiàn)[2,6,7]的結(jié)果進(jìn)行比較(表1)。

      圖4 MCNP計(jì)算所得反應(yīng)器剖面劑量場(chǎng)

      圖5 反應(yīng)器剖面劑量場(chǎng)(實(shí)測(cè))[1]

      表1 MCNP模擬結(jié)果與試驗(yàn)值的對(duì)比

      由表1可見,MCNP計(jì)算值與試驗(yàn)擬合值間最小絕對(duì)值偏差為8.43%;最大絕對(duì)值偏差為79.84%,出現(xiàn)在反應(yīng)器木架深度區(qū)域;完全去掉木架后得到的計(jì)算值(理論值),其與試驗(yàn)值的最大絕對(duì)值偏差也達(dá)到38.43%,這與文獻(xiàn)[6,7]EGS4程序的結(jié)果偏差34.7%較為接近。

      表2給出了相同幾何條件下,MCNP與EGS4模擬計(jì)算結(jié)果,兩者最大絕對(duì)值偏差為25.7%,可能是EGS4本身考慮的物理過程更全面、且具體計(jì)算時(shí)EGS4選取的探測(cè)柵元體積更大所致。

      程序驗(yàn)算結(jié)果與文獻(xiàn)[2]實(shí)驗(yàn)結(jié)果的較大誤差(實(shí)驗(yàn)結(jié)果未見理論分析中出現(xiàn)的“山坳效應(yīng)”)可能是實(shí)驗(yàn)中木架位置與理論計(jì)算有一定偏離,且實(shí)驗(yàn)值經(jīng)Matlab擬合修正后引入的。

      表2 MCNP模擬結(jié)果與EGS4模擬結(jié)果對(duì)比(無木架)

      3 結(jié)語

      MCNP與EGS4各有側(cè)重。相比MCNP,EGS4涉及的物理過程更全面,在電子模擬過程中,EGS4比MCNP更為適用,這也是前人通常采用EGS4程序模擬電子束氨法脫硫反應(yīng)器內(nèi)部劑量率的原因,但EGS4采用高級(jí)計(jì)算機(jī)編程語言進(jìn)行建模輸入,不如MCNP簡單,從這個(gè)角度來說,MCNP可操作性要好于EGS4。結(jié)果表明:

      (1) 用MCNP“小孔成像”的方法模擬電子束氨法脫硫反應(yīng)器內(nèi)部劑量場(chǎng)總體是可行的。

      (2) 為減小測(cè)量誤差,試驗(yàn)可改用更細(xì)的輕金屬絲線綁扎固定劑量片的方法,以消除固定裝置對(duì)反應(yīng)器內(nèi)部劑量場(chǎng)的影響。

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